Question

【題目】常見(jiàn)的太陽(yáng)能電池有單晶硅太陽(yáng)能電池、多晶硅太陽(yáng)能電池、GaAs太陽(yáng)能電池及銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池等。

(1)銅原子在基態(tài)時(shí)的價(jià)電子排布式為__________。金屬銅的結(jié)構(gòu)形式為面心立方最密堆積，晶胞中每個(gè)銅原子周圍最近的銅原子有________個(gè)。

(2)砷、硒是第四周期的相鄰元素，已知砷的第一電離能大于硒。請(qǐng)從原子結(jié)構(gòu)的角度 加以解釋_______________________。

(3)GaC13和AsF3的空間構(gòu)型分別是：_________，_______。

(4)硼酸(H3BO3)本身不能電離出H+，在水中易結(jié)合一個(gè)OH-生成[B(OH)4]－，而體現(xiàn)弱酸性。

①[B(OH)4]－中B原子的雜化類型為____________；

②[B(OH)4]－的結(jié)構(gòu)式為_________________。

(5)金剛石的晶胞如圖，若以硅原子代替金剛石晶體中的碳原子，便得到晶體硅；若將金剛石晶體中一半的碳原子換成硅原子，且碳、硅原子交替，即得到碳化硅晶體(金剛砂)。

①金剛石、晶體硅、碳化硅的熔點(diǎn)由高到低的排列順序是______________(用化學(xué)式表示)；

②立方氮化硼晶體的結(jié)構(gòu)與金剛石相似，硬度與金剛石相當(dāng)，晶胞邊長(zhǎng)為361.5pm (1pm=10-12m)。立方氮化硼的密度是______g·cm-3(只要求列算式，不必計(jì)算出數(shù)值，阿伏加德羅常數(shù)為NA)。

Answer 1

【答案】（1）3d10（2分）(2)砷的4p軌道上的電子處于半充滿狀態(tài)，比較穩(wěn)定，氣態(tài)原子失去一個(gè)電子需要的能量比較大。（2分）

（3）原子晶體109°28′（2分）

（4）平面三角形，三角錐（2分）

（5）①sp3（1分）②（2分）

（6）①C＞SiC＞Si（2分）②（2分）

【解析】試題分析：（1）銅的核電荷數(shù)為29，根據(jù)構(gòu)造原理排列為[Ar]3d104s1，Cu+為失去1個(gè)電子后達(dá)到全滿的結(jié)構(gòu)，故價(jià)電子排布為3d10；

（2）砷的4p軌道上的電子處于半充滿狀態(tài)，比較穩(wěn)定，氣態(tài)原子失去一個(gè)電子需要的能量比較大，所以砷的第一電離能大于硒。

（3）GaAs熔點(diǎn)1238℃，難溶于溶劑，說(shuō)明晶體類型為原子晶體，根據(jù)Ga、As原子結(jié)構(gòu)推測(cè)，GaAs晶體與金剛石類似，其鍵角為109°28′。

（4）GaCl3和AsF3的中心原子價(jià)層電子對(duì)數(shù)分別是3、3+（5-1×3）/2＝4，所以空間構(gòu)型分別是平面三角形，三角錐。

（5）①[B（OH）4]－中B原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)是4，雜化類型為sp3。

②硼酸（H3BO3）本身不能電離出H+，在水中易結(jié)合一個(gè)OH－生成[B（OH）4]－，而體現(xiàn)弱酸性，這說(shuō)明[B（OH）4]－中含有配位鍵，則結(jié)構(gòu)式為；

（6）①金剛石、晶體硅、碳化硅都是原子晶體，半徑越小。熔點(diǎn)越高，即熔點(diǎn)高低順序?yàn)?/span>C＞SiC＞Si。

②根據(jù)分?jǐn)傇瓌t，立方氮化硼晶體的結(jié)構(gòu)與金剛石相似，晶胞中共有8個(gè)原子，N和B各占4個(gè)。因此如果晶胞邊長(zhǎng)為361．5pm，則立方氮化硼的密度是g·cm－3。