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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。
(1)請(qǐng)寫(xiě)出下圖中d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式__________________。
(2)單質(zhì)a、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1∶1形成的分子(相同條件下對(duì)H2的相對(duì)密度為13)中含________個(gè)σ鍵和_________個(gè)π鍵。
(3)a與b的元素形成的10電子中性分子X(jué)的空間構(gòu)型為;將X溶于水后的溶液滴入到AgNO3溶液中至過(guò)量,得到配合物的化學(xué)式為_(kāi)_________________,其中X與Ag+之間以__________________鍵結(jié)合。
(4)下圖是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu);請(qǐng)簡(jiǎn)要說(shuō)明該物質(zhì)易溶于水的原因___________________________。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低順序,其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。
(1)請(qǐng)寫(xiě)出上圖中d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式_____________。
(2)單質(zhì)a、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比2∶1形成的分子(相同條件下對(duì)氫氣的相對(duì)密度為14)中含_____________個(gè)δ鍵和_____________個(gè)π鍵。
(3)a與b的組成元素形成的 10電子中性分子的空間構(gòu)型是_____________;由該分子構(gòu)成的物質(zhì)易液化的原因是____________________________________________________。
(4)e對(duì)應(yīng)的元素形成的氧化物的晶體類(lèi)型為_(kāi)___________晶體。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012-2013年四川昭覺(jué)中學(xué)高二上學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(帶解析) 題型:單選題
下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良
導(dǎo)體。下列判斷不正確的是
A.e、f單質(zhì)晶體熔化時(shí)克服的是共價(jià)鍵
B.d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式:1s22s22p63s23p2
C.b元素形成的最高價(jià)含氧酸易與水分子之間形成氫鍵
D.單質(zhì)a、b、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1∶1∶1形成的分子中含2個(gè)σ鍵,2個(gè)π鍵
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2014屆四川昭覺(jué)中學(xué)高二上學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
下圖是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序,其中c、d均是熱和電的良
導(dǎo)體。下列判斷不正確的是
A.e、f單質(zhì)晶體熔化時(shí)克服的是共價(jià)鍵
B.d單質(zhì)對(duì)應(yīng)元素原子的電子排布式:1s22s22p63s23p2
C.b元素形成的最高價(jià)含氧酸易與水分子之間形成氫鍵
D.單質(zhì)a、b、f對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1∶1∶1形成的分子中含2個(gè)σ鍵,2個(gè)π鍵
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