Question

【題目】X、Y、Z、W、R、Q為前30號元素，且原子序數(shù)依次增大。X是所有元素中原子半徑最小的，Y有三個能級，且每個能級上的電子數(shù)相等，Z原子單電子數(shù)在同周期元素中最多，W與Z同周期，第一電離能比Z的低，R與Y同一主族，Q的最外層只有一個電子，其他電子層電子均處于飽和狀態(tài)。請回答下列問題：

(1)Q＋核外電子排布式為_____________________________。

(2)化合物X2W2中W的雜化方式為________________，ZW2－的立體構(gòu)型是___________。

(3)Y、R的最高價氧化物的沸點較高的是________(填化學(xué)式)，原因是__________。

(4)將Q單質(zhì)的粉末加入到ZX3的濃溶液中，并通入W2，充分反應(yīng)后溶液呈深藍色，該反應(yīng)的離子方程式為______________________________________________________________。

Answer 1

【答案】1s22s22p63s23p63d10或[Ar]3d10sp3雜化V形SiO2SiO2為原子晶體，CO2為分子晶體2Cu＋8NH3＋O2＋2H2O===2[Cu(NH3)4]2＋＋4OH－

【解析】

X、Y、Z、W、R、Q為前30號元素，且原子序數(shù)依次增大。X是所有元素中原子半徑最小的，則X為H元素；Y有三個能級，且每個能級上的電子數(shù)相等，核外電子排布為1s22s22p2，故Y為C元素；R與Y同一主族，結(jié)合原子序數(shù)可知，R只能為第三周期元素，為Si，而Z原子單電子數(shù)在同周期元素中最多，則外圍電子排布為ns2np3，原子序數(shù)小于Si，故Z為N元素；W與Z同周期，第一電離能比Z的低，則W為O元素；Q的最外層只有一個電子，其他電子層電子均處于飽和狀態(tài)，不可能為短周期元素，原子序數(shù)小于30，故核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s1，則Q為Cu元素，據(jù)此解答。

(1)Cu+核外電子排布式為：1s22s22p63s23p63d10，故答案為：1s22s22p63s23p63d10；

(2)化合物H2O2中結(jié)構(gòu)式為H-O-O-H，O原子價層電子對數(shù)為2+=4，故O原子采取sp3雜化；NO2-離子中N原子孤電子對數(shù)為=1、價層電子對數(shù)為2+1=3，故其立體構(gòu)型是V形，故答案為：sp3；V形；

(3)Y、R的最高價氧化物分別為二氧化碳、二氧化硅，SiO2為原子晶體，CO2為分子晶體，故沸點較高的是 SiO2，故答案為：SiO2；SiO2為原子晶體，CO2為分子晶體；

(4)將Cu單質(zhì)的粉末加入到NH3的濃溶液中，并通入O2，充分反應(yīng)后溶液呈深藍色，反應(yīng)生成[Cu(NH3)4]2+，該反應(yīng)的離子方程式為：2Cu+8NH3+O2+2H2O=2[Cu(NH3)4]2++4OH-，

故答案為：2Cu+8NH3+O2+2H2O=2[Cu(NH3)4]2++4OH-。