Ⅰ.含氮化合物西瓜膨大劑別名氯吡苯脲,是經(jīng)過國家批準(zhǔn)的植物生長調(diào)節(jié)劑,實(shí)踐證明長期使用對(duì)人體無害。已知其相關(guān)性質(zhì)如下表所示:

分子式

結(jié)構(gòu)簡式

外觀

熔點(diǎn)

溶解性

C12H10ClN3O

白色結(jié)晶粉末

170~172℃

易溶于水

 

(1)氯吡苯脲的晶體類型為_______         ,所含第二周期元素第一電離能從大到小的順序?yàn)?/p>

________________(用元素符號(hào)表示)。

(2)氯吡苯脲熔點(diǎn)低,易溶于水的原因分別為                      _                        

(3)查文獻(xiàn)可知,可用2-氯-4-氨基吡啶與異氰酸苯酯反應(yīng),生成氯吡苯脲。

異氰酸苯酯                2-氯-4-氨基吡啶              氯吡苯脲

反應(yīng)過程中,每生成1mol氯吡苯脲,斷裂_______個(gè)σ鍵、斷裂_______個(gè)π鍵。

(4)含氮的化合物氨氣水溶液逐滴加入硝酸銀溶液中制備銀氨溶液,寫出銀氨溶液的配制過程中沉淀溶解的離子方程式                            

Ⅱ.下列是部分金屬元素的電離能

 

X

Y

Z

第一電離能(kJ/mol)

520.2

495.8

418.8

 

(5)已知X、Y、Z的價(jià)層電子構(gòu)型為ns1,則三種金屬的氯化物(RCl)的熔點(diǎn)由低到高的順序?yàn)椋?/p>

                               。

(6)RCl可用作有機(jī)合成催化劑, 并用于顏料, 防腐等工業(yè)。R中所有電子正好充滿K、L、M 三個(gè)電子層,它與Cl形成的晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示。元素R基態(tài)原子的電子排布式              _       ,

與同一個(gè)Cl相連的 R          個(gè)。

 

【答案】

(1)分子晶體;   N>O>C   (各2分共4分)

(2)氯吡苯脲是分子晶體,故熔點(diǎn)低;氯吡苯脲與水分子間形成氫鍵,故易溶于水。(各1分,共2分)  (3)NA(或6.02×1023)  NA(或6.02×1023)(各1分,共2分)

(4)AgOH +2 NH3·H2O=〔Ag(NH3)2〕OH  + 2H2O

(或者AgOH +2 NH3·H2O + NH4NO3=〔Ag(NH3)2〕NO3 +2 H2O) (3分)

(5)ZCl<YCl<XCl  (2分)   (6)Cu  1s22s22p63s23p63d104s1    ­或[Ar] 3d104s1(2分); 4(2分)

【解析】

試題分析:(1)氯吡苯脲的熔點(diǎn)較低,易溶于水,所以其晶體類型是分子晶體。其中所含第二周期元素分別是C、N、O,非金屬性越強(qiáng),第一電離能越大,但由于氮元素的2p軌道電子處于半充滿狀態(tài),穩(wěn)定性強(qiáng),所以第一電離能大于氧元素的,即正確的順序是N>O>C。

(2)由于氯吡苯脲是分子晶體,故熔點(diǎn)低;N與O元素的非金屬性較強(qiáng),因此氯吡苯脲與水分子間形成氫鍵,所以易溶于水。

(3)由于單鍵都是σ鍵、而雙鍵是由1個(gè)σ鍵和1個(gè)π鍵構(gòu)成的,所以根據(jù)反應(yīng)的方程式可知,每生成1mol氯吡苯脲,斷裂NA個(gè)σ鍵和NA個(gè)π鍵。

(4)X、Y、Z的價(jià)層電子構(gòu)型為ns1,則這三種元素都屬于第IA族元素.同一主族元素,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而減小,根據(jù)表格知,X、Y、Z這三種元素的金屬性逐漸增強(qiáng),原子半徑逐漸增大,這三種金屬的氯化物(RCl)都是離子晶體,離子晶體的熔點(diǎn)與離子半徑成反比,與電荷數(shù)成正比,X、Y、Z這三種陽離子電荷數(shù)相等,離子半徑逐漸增大,所以其熔點(diǎn)從小到大的順序是ZCl<YCl<XCl。

(5)R中所有電子正好充滿K、L、M 三個(gè)電子層,則R的原子序數(shù)是2+8+18+1=29.銅是29號(hào)元素,則R是Cu。因此根據(jù)構(gòu)造原理知其基態(tài)原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1 ­或[Ar]3d104s1。根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)知,面心上的氯離子連接4個(gè)亞銅離子,所以與同一個(gè)Cl相連的 R有4個(gè)。

考點(diǎn):考查晶體類型、性質(zhì)、第一電離能、共價(jià)鍵、核外電子排布以及晶體結(jié)構(gòu)的判斷等

 

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