二氧化硅的熔、沸點(diǎn)較高的原因是
[ ]
A.中,硅、氧原子的個(gè)數(shù)比為1∶2
B.晶體是立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的原子晶體
C.晶體中,Si-O鍵的鍵能大
D.晶體中原子間以共價(jià)鍵結(jié)合
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
元素 | A | B | C | D |
性質(zhì) 結(jié)構(gòu) 信息 |
室溫下單質(zhì)呈粉末狀固體,加熱易熔化. 單質(zhì)在氧氣中燃燒,發(fā)出明亮的藍(lán)紫色火焰. |
單質(zhì)常溫、常壓下是氣體,能溶于水. 原子的M層有1個(gè)未成對(duì)的p電子. |
單質(zhì)質(zhì)軟、銀白色固體、導(dǎo)電性強(qiáng). 單質(zhì)在空氣中燃燒發(fā)出黃色的火焰. |
原子最外層電子層上s電子數(shù)等于p電子數(shù). 單質(zhì)為空間網(wǎng)狀晶體,具有很高的熔、沸點(diǎn). |
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科目:高中化學(xué) 來源:活題巧解巧練·高一化學(xué)(下) 題型:021
二氧化硅的熔沸點(diǎn)較高的原因是
[ ]
A.二氧化硅中,硅、氧原子個(gè)數(shù)之比為1∶2
B.二氧化硅晶體是立體網(wǎng)狀的原子晶體
C.二氧化硅晶體中,硅氧鍵的鍵能大
D.二氧化硅晶體中,原子以共價(jià)鍵相結(jié)合
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二氧化硅的熔沸點(diǎn)較高的原因是 [ ]
A.二氧化硅中,硅氧原子個(gè)數(shù)之比為1∶2
B.二氧化硅晶體是立體網(wǎng)狀的原子晶體
C.二氧化硅中,SI-O鍵的鍵能大
D.二氧化硅晶體中原子以共價(jià)鍵相結(jié)合
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二氧化硅的熔沸點(diǎn)較高的原因是 ( )
A.二氧化硅中,硅氧原子個(gè)數(shù)之比為1∶2
B.二氧化硅晶體是立體網(wǎng)狀的原子晶體
C.二氧化硅中,SI-O鍵的鍵能大
D.二氧化硅晶體中原子以共價(jià)鍵相結(jié)合
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