一種離子晶體的晶胞如右圖。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。

（1）每個晶胞種含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。
（2）若A的核外電子排布與Ar相同，B的電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；
（3）陽離子的配位數(shù)為_________，陰離子的配位數(shù)為________。
（4）已知A的離子半徑為0.99×10－10m，則該晶胞的體積是_______________m3。
（每空2分，共12分）
（1）4、8
（2）CaF2
（3）8、4
（4）16r3
略
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于48。X的一種1:1型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵。Z是金屬元素，Z的單質(zhì)和化合物有廣泛的用途。已知Z的核電荷數(shù)小于28，且次外層有2個未成對電子。工業(yè)上利用ZO2和碳酸鋇在熔融狀態(tài)下制取化合物M（M可看做一種含氧酸鹽）。M有顯著的“壓電性能”，應(yīng)用于超聲波的發(fā)生裝置。經(jīng)X射線分析，M晶體的最小重復(fù)單位為正方體（如右圖），邊長為4.03×10－10 m，頂點(diǎn)位置為Z4＋所占，體心位置為Ba2＋所占，所有棱心位置為O2－所占。

⑴Y在周期表中位于______________；Z4＋的核外電子排布式為______________；
⑵X的該種氫化物分子構(gòu)型為___________，X在該氫化物中以_____________方式雜化。X和Y
形成的化合物的熔點(diǎn)應(yīng)該_____________（填“高于”或“低于”）X氫化物的熔點(diǎn)。
⑶①制備M的化學(xué)反應(yīng)方程式是________________________________________；
②在M晶體中，若將Z4＋置于立方體的體心，Ba2＋置于立方體的頂點(diǎn)，則O2－處于立方體的______；
③在M晶體中，Z4＋的氧配位數(shù)為________；
④已知O2－半徑為1.40×10－10 m，則Z4＋半徑為___________m。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

【化學(xué)一一選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】 （15分）
已知A、B、C、D都是元素周期表中前36號的元素，它們的原子序數(shù)依次增大。A原子核外部分電子排布式為：NsnNpn；B原子核外2P軌道有3個未成對電子：C原子核外S能級電子總數(shù)和P能級電子總數(shù)相同，且P能級成對電子數(shù)等于未成對電子數(shù)：D原子核外M層全充滿，N層只有1個電子。
請回答：
（1）B元素外圍電子排布圖為：                。
（2）A、B、C的第一電離能由大到小順序為         ，電負(fù)性由大到小順序為               （用元素符號回答）。
（3）B和C兩元素形成的陰離子BC-3中B的雜化類型為        ，空間構(gòu)型為     。
（4）與BC-3互為等電子體且含有A、C兩元素的微粒是        。（寫化學(xué)式）
（5）比較A、B的氫化物在水中溶解度大小并說明原因             。
（6）D元素基態(tài)原子電子排布     ，該元素單質(zhì)形成的晶體晶胞如圖所示，則D元素單質(zhì)的堆積方式為     ，已知D原子半徑為r，相對原子質(zhì)量為Mr，則D元素單質(zhì)的密度可表示為       。（用NA表示阿伏加德羅常數(shù)）

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

(16分)波爾多液是一種保護(hù)性殺菌劑，廣泛應(yīng)用于樹木、果樹和花卉上，鮮藍(lán)色的膽礬晶體是配制波爾多液的主要原料。已知CuSO4·5H2O的部分結(jié)構(gòu)可表示如下：

（1）寫出銅原子價電子層的電子排布式____________，與銅同周期的所有元素的基態(tài)原子中最外層電子數(shù)與銅原子相同的元素有__________(填元素符號)。
（2）請在上圖中把CuSO4·5H2O結(jié)構(gòu)中的化學(xué)鍵用短線“——”表示出來。
（3）往濃CuSO4溶液中加入過量較濃的NH3·H2O直到原先生成的沉淀恰好溶解為止，得到深藍(lán)色溶液。小心加入約和溶液等體積的C2H5OH并使之分成兩層，靜置。經(jīng)過一段時間后可觀察到在兩層“交界處”下部析出深藍(lán)色Cu(NH3)4SO4·H2O晶體。實驗中所加C2H5OH的作用是______________________________________________。
（4）Cu(NH3)4SO4·H2O晶體中呈正四面體的原子團(tuán)是______________，雜化軌道類型是sp3的原子是____________________________。
（5）如將深藍(lán)色溶液加熱，可能得到什么結(jié)果？________________________________。
（6）把CoCl2溶解于水后加氨水直到先生成的Co(OH)2沉淀又溶解后，再加氨水，使生成[Co(NH3)6]2+。此時向溶液中通入空氣，得到的產(chǎn)物中有一種其組成可用CoCl3·5NH3表示。把分離出的CoCl3·5NH3溶于水后立即加硝酸銀溶液，則析出AgCl沉淀。經(jīng)測定，每1 mol CoCl3·5NH3只生成2 mol AgCl。請寫出表示此配合物結(jié)構(gòu)的化學(xué)式（鈷的配位數(shù)為6）___________，此配合物中的Co化合價為__  ____。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

（12分）高溫超導(dǎo)材料是科學(xué)家研究的重點(diǎn)物質(zhì)之一。
⑴科學(xué)家把C60和K摻雜在一起制造了一種富勒烯化合物，其晶胞如下左圖所示。該富勒烯化合物中的K原子和C60分子的個數(shù)比為  ▲ 。
         
⑵某同學(xué)畫出的C的核外電子排布（軌道表示式）如上右圖所示，該電子排布圖（軌道表示式）違背了  ▲ ，請你畫出正確的電子排布圖（軌道表示式）  ▲ 。
⑶金屬鉀采用的是下列  ▲ （填字母代號）堆積方式。

⑷富勒烯（C60）的結(jié)構(gòu)如圖。

①1 mol C60分子中σ鍵的數(shù)目為   ▲  。
②已知：金剛石中的C－C的鍵長為154.45 pm，C60中C－C鍵長為145~140 pm。有同學(xué)據(jù)此推斷C60的熔點(diǎn)高于金剛石，你認(rèn)為是否正確并闡述理由：  ▲ 。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

（4分）A+，B2+，C-離子都由1～18號中某些元素組成。A+離子中鍵角為109°28＇，B2+離子中沒有化學(xué)鍵。C-離子中有9個質(zhì)子，具直線型結(jié)構(gòu)。已知A+，B2+，C-均有10個電子。試回答
（1）寫出離子符號：A+______，B2+______，C-______。
（2）下列微粒：Ca2+，Ag+，質(zhì)子，中子，哪些最易與C-結(jié)合為揮發(fā)性穩(wěn)定化合物______

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列說法正確是                                                   （   ）
①所有基態(tài)原子核外電子排布都遵循構(gòu)造原理
②同一周期從左到右，元素第一電離能、電負(fù)性都是越來越大
③所有化學(xué)鍵和氫鍵都具有相同特征：方向性和飽和性
④所有配合物都存在配位鍵，所有含配位鍵的化合物都是配合物
⑤所有含極性鍵的分子都是極性分子
⑥所有離子晶體中都含有離子鍵
⑦所有金屬晶體熔點(diǎn)肯定高于分子晶體
A．①②B．⑥C．③④⑤D．①②⑥

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

晶體硼的基本結(jié)構(gòu)單元都是由硼原子組成的正二十面體的原子晶體(如圖)。其中含20個等邊三角形和一定數(shù)量的頂角，每個頂角上各有一個原子。試觀察推斷這個基本結(jié)構(gòu)單元所含B原子數(shù)，B—B鍵個數(shù)及鍵角正確的一組是
A．20個，60個，360°B．12個，30個，60°
C．9個，18個，45°D．18個，54個，90°

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列關(guān)于晶體的敘述中，錯誤的是（     ）
A．每摩爾Si晶體中，含有2摩爾Si-Si共價鍵
B．在CO2晶體中，與每個CO2分子周圍緊鄰的有12個CO2分子
C．在CsCl晶體中，與每個Cs+周圍緊鄰的有8個Cl-，而與每個Cs+等距離緊鄰的也有8個Cs+
D．在簡單立方堆積的金屬晶體中，每個金屬原子周圍緊鄰的有6個金屬原子

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