A. | 加熱金屬鈉與氧氣制取氧化鈉 | B. | 用二氧化硫漂白粉絲、銀耳 | ||
C. | 晶體硅是良好的半導(dǎo)體材料 | D. | S可用于一步制取SO3 |
分析 A.鈉與氧氣加熱生成過氧化鈉;
B.二氧化硫有毒;
C.晶體硅的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與半導(dǎo)體之間;
D.硫與氧氣反應(yīng)生成二氧化硫.
解答 解;A.熱金屬鈉與氧氣生成過氧化鈉,故A錯誤;
B.二氧化硫有毒,不能用來漂白食物,故B錯誤;
C.晶體硅的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與半導(dǎo)體之間,是良好的半導(dǎo)體材料,故C正確;
D.硫與氧氣反應(yīng)生成二氧化硫,通過一步反應(yīng),不能生成三氧化硫,故D錯誤;
故選;C.
點評 本題考查了物質(zhì)的性質(zhì),側(cè)重考查學(xué)生對基礎(chǔ)知識的掌握熟練程度,題目難度不大.
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 含氧酸的酸性:HClO3強(qiáng)于H2SO4 | |
B. | Cl元素的最高正價比S元素的最高正價要高 | |
C. | 氣態(tài)氫化物溶于水后的酸性:HCl比H2S強(qiáng) | |
D. | Cl2能與H2S水溶液反應(yīng),生成S單質(zhì) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
族周期 | ⅠA | ⅡA | ⅢA | ⅣA | ⅤA | ⅥA | ⅦA | 0 |
1 | A | |||||||
2 | B | C | D | E | ||||
3 | F | G | H | I | J | K | M | N |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:多選題
A. | 硅晶體、食鹽、干冰 | B. | 冰、石墨、金屬鈉 | ||
C. | 碘、碳酸鈣、金剛石 | D. | HF、HBr、HCl |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
實驗步驟 | 實驗現(xiàn)象 | 實驗結(jié)論及分析 |
取固體溶于水 | 得到藍(lán)色溶液 | ①一定含有CuSO4、NaCl; ②可能含有Na2SO4; ③加入足量Ba(NO3)2溶液的目的是將SO42-沉淀完全(防止干擾Cl-檢驗); 不利用其他試劑,檢驗Ba(NO3)2已經(jīng)過量的方法是靜置,向上層清液中繼續(xù)滴加Ba(NO3)2溶液,無新沉淀生成. |
向溶液中加入足量Ba(NO3)2溶液 | 得到白色沉淀 | |
過濾,向濾液再加入AgNO3溶液 | 得到白色沉淀 |
實驗步驟 | 實驗現(xiàn)象 | 實驗結(jié)論及分析 |
取固體溶于水 | 得到白色沉淀,靜置后溶液為無色 | ①一定不含有CuSO4; ②可能含有NaCl. |
過濾,向所得沉淀中加入足量鹽酸 | 沉淀部分溶解,有氣泡放出 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | ①③ | B. | ①④ | C. | ②④ | D. | ②③ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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