單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.科學(xué)家預(yù)計(jì),到2011年一個電腦芯片上將會集成10億個晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對硅的純度要求很高.用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為:①SiO2+2C 數(shù)學(xué)公式Si+2CO   ②Si+2Cl2數(shù)學(xué)公式SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HCl.回答下列問題:
(1)上述反應(yīng)中,屬于氧化還原反應(yīng)的是______(填序號).
(2)反應(yīng)①和③屬于______.
A.化合反應(yīng)   B.分解反應(yīng)    C.置換反應(yīng)   D.復(fù)分解反應(yīng)
(3)下列描述正確的是______.
A.氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)
B.判斷一個反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是否有化合價(jià)的升降
C.化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)     D.復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng).

解:(1)反應(yīng)①②③中有化合價(jià)變化的元素,該反應(yīng)是氧化還原反應(yīng),故答案為:①②③;
(2)反應(yīng)①和③是一種單質(zhì)和一種化合物反應(yīng)生成新的單質(zhì)和化合物的反應(yīng),是置換反應(yīng),故選C;
(3)A、置換反應(yīng)均為氧化后還原反應(yīng),故A錯誤;
B、氧化還原反應(yīng)的特征是有化合價(jià)的升降,故B正確;
C、部分化合反應(yīng)是氧化還原反應(yīng),故C錯誤;
D、復(fù)分解反應(yīng)全部都是非氧化還原反應(yīng),故D錯誤.
故選B.
分析:(1)有化合價(jià)變化的反應(yīng)是氧化還原反應(yīng);
(2)一種單質(zhì)和一種化合物反應(yīng)生成鋅的單質(zhì)和化合物的反應(yīng)是置換反應(yīng);
(3)根據(jù)氧化還原反應(yīng)和四大基本反應(yīng)類型之間的關(guān)系來回答.
點(diǎn)評:本題考查學(xué)生有關(guān)化學(xué)反應(yīng)類型的知識,是對基本知識的考查,較簡單.
練習(xí)冊系列答案
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.科學(xué)家預(yù)計(jì),到2011年一個電腦芯片上將會集成10億個晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對硅的純度要求很高.用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為:①SiO2+2C 
 高溫 
.
 
Si+2CO     ②Si+2Cl2
 點(diǎn)燃 
.
 
SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HCl.回答下列問題:
(1)上述反應(yīng)中,屬于氧化還原反應(yīng)的是
①②③
①②③
(填序號).
(2)反應(yīng)①和③屬于
C
C

A.化合反應(yīng)      B.分解反應(yīng)       C.置換反應(yīng)      D.復(fù)分解反應(yīng)
(3)下列描述正確的是
B
B

A.氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)
B.判斷一個反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是否有化合價(jià)的升降
C.化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)          D.復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng).

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科目:高中化學(xué) 來源:2011-2012學(xué)年浙江省溫州市直六校協(xié)作體高一第一學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型:填空題

(6分)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料?茖W(xué)家預(yù)計(jì),到2011年一個電腦芯片上將會集成10億個晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為:    ①SiO2 + 2C Si + 2CO    ②Si + 2Cl2SiCl4
③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl;卮鹣铝袉栴}:
(1)上述反應(yīng)中,屬于氧化還原反應(yīng)的是           (填序號)。
(2)反應(yīng)①和③屬于           。
A.化合反應(yīng)      B.分解反應(yīng)       C.置換反應(yīng)      D.復(fù)分解反應(yīng)
(3)下列描述正確的是         。
A.氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)
B.判斷一個反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降
C.化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)          D.復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

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科目:高中化學(xué) 來源:2014屆浙江省蒼南縣靈溪二高高一第一次月考化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料?茖W(xué)家預(yù)計(jì),到2011年一個電腦芯片上將會集成10億個晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為:    

① SiO2 + 2C Si + 2CO     ② Si + 2Cl2SiCl4  ③ SiCl4 + 2H2Si + 4HCl。

回答下列問題:

(1)上述反應(yīng)中,屬于氧化還原反應(yīng)的是           (填序號)。

(2)反應(yīng)①和③屬于           。

A.化合反應(yīng)      B.分解反應(yīng)       C.置換反應(yīng)      D.復(fù)分解反應(yīng)

(3)下列描述正確的是         。

A.氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)

B.判斷一個反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降

C.化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)         

D.復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

 

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科目:高中化學(xué) 來源:2014屆廣東汕頭市高一第一學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料?茖W(xué)家預(yù)計(jì),到2011年一個電腦芯片上將會集成10億個晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為 :

①SiO2 + 2C  Si + 2CO②Si + 2Cl2SiCl4       ③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl,

其中反應(yīng)①和③屬于(     )

A. 化合反應(yīng)      B. 分解反應(yīng)        C. 置換反應(yīng)         D. 復(fù)分解反應(yīng)

 

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科目:高中化學(xué) 來源:2014屆浙江省溫州市直六校協(xié)作體高一第一學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型:填空題

(6分)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料?茖W(xué)家預(yù)計(jì),到2011年一個電腦芯片上將會集成10億個晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為:     ①SiO2 + 2C  Si + 2CO     ②Si + 2Cl2SiCl4

③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl;卮鹣铝袉栴}:

(1)上述反應(yīng)中,屬于氧化還原反應(yīng)的是            (填序號)。

(2)反應(yīng)①和③屬于            。

A.化合反應(yīng)      B.分解反應(yīng)       C.置換反應(yīng)      D.復(fù)分解反應(yīng)

(3)下列描述正確的是          。

A.氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)

B.判斷一個反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降

C.化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)          D.復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

 

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