Question

（2010?海南）I下列描述中正確的是

C、D

A、CS₂為V形的極性分子
B、Cl0₃^- 的空間構(gòu)型為平面三角形
C、SF₆中有6對完全相同的成鍵電子對
D、SiF₄和SO₃^2- 的中心原子均為sp³雜化
Ⅱ金屬鎳及其化合物在合金材料以及催化劑等方面應(yīng)用廣泛．請回答下列問題：
（1）Ni原子的核外電子排布式為

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁸4s²

；
（2）Ni0、Fe0的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉的相同，Ni²⁺和Fe²⁺的離子半徑分別為69pm和78pm，則熔點(diǎn)NiO

＞

 FeO（填“＜”或“＞”）；
（3）Ni0晶胞中Ni和O的配位數(shù)分別為

6

、

6

；
（4）金屬鎳與鑭（La）形成的合金是一種良好的儲氫材料，其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如左下圖所示．該合金的化學(xué)式為

LaNi₅

；
（5）丁二酮肟常用于檢驗(yàn)Ni²⁺：在稀氨水介質(zhì)中，丁二酮肟與Ni²⁺反應(yīng)可生成鮮紅色沉淀，其結(jié)構(gòu)如圖所示．
①該結(jié)構(gòu)中，碳碳之間的共價鍵類型是σ鍵，碳氮之間的共價鍵類型是

一個σ鍵、一個π鍵

，氮鎳之間形成的化學(xué)鍵是

配位鍵

；
②該結(jié)構(gòu)中，氧氫之間除共價鍵外還可存在

氫鍵

；
③該結(jié)構(gòu)中，碳原子的雜化軌道類型有

sp²、sp³

．

Answer 1

分析：（1）依據(jù)價層電子對互斥理論可知CS₂為直線形的非極性分子，Cl0₃^-是三角錐形；硫原子最外層有6個電子，和氟原子之間有6對完全相同的成鍵電子對，SiF₄和SO₃^2- 的空間構(gòu)型分別為正四面體和三角錐形，但中心原子均采用的是sp³雜化；
（2）鎳屬于28號元素，根據(jù)構(gòu)造原理可以寫出該原子的核外電子排布式；
（3）離子晶體的熔點(diǎn)與離子鍵的強(qiáng)弱有關(guān)，離子所帶電荷數(shù)越多，離子半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高；
（4）因?yàn)镹i0、Fe0的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉的相同，而氯化鈉中陰陽離子的配位數(shù)均為6，所以Ni0晶胞中Ni和O的配位數(shù)也均為6；
（5）晶胞中鑭原子數(shù)=8×

1

8

=1；鎳原子數(shù)=1+8×

1

2

=5，由此可判斷出化學(xué)式；
（6）雙鍵是由一個σ鍵和一個π鍵構(gòu)成；鎳原子有空軌道，氮原子有孤電子對，因此二者形成配位鍵；丁二酮肟中碳原子既有單鍵又有雙鍵，因此雜化類型是sp²和sp³雜化．

解答：解：Ⅰ、
A、依據(jù)價層電子對互斥理論可知CS₂為直線形的非極性分子，故A錯誤；
B、由價層電子對互斥理論可知Cl0₃^-中中心原子的孤電子對數(shù)是

1

2

×（8-3×2）=1，所以Cl0₃^-是三角錐形，故B錯誤；
C、硫原子最外層有6個電子，和氟原子之間有6對完全相同的成鍵電子對，故C正確；
D、SiF₄和SO₃^2- 的空間構(gòu)型分別為正四面體和三角錐形，但中心原子均采用的是sp³雜化，故D正確．
故選C、D．
Ⅱ、（1）鎳屬于28號元素，根據(jù)構(gòu)造原理可以寫出該原子的核外電子排布式，Ni的核外電子排布式是1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d ⁸4s²故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d ⁸4s²；
（2）Ni0、Fe0的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉的相同，說明二者都是離子晶體，離子晶體的熔點(diǎn)與離子鍵的強(qiáng)弱有關(guān)，離子所帶電荷數(shù)越多，離子半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高．由于Ni²⁺的離子半徑小于Fe²⁺的離子半徑，屬于熔點(diǎn)是NiO＞FeO．故答案為：＞；
（3）因?yàn)镹i0、Fe0的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉的相同，而氯化鈉中陰陽離子的配位數(shù)均為6，所以Ni0晶胞中Ni和O的配位數(shù)也均為6．故答案為：6；6；
（4）晶胞中鑭原子數(shù)=8×

1

8

=1；鎳原子數(shù)=1+8×

1

2

=5，所以化學(xué)式為LaNi₅，故答案為：LaNi₅；
（5）①雙鍵是由一個σ鍵和一個π鍵構(gòu)成；鎳原子有空軌道，氮原子有孤電子對，因此二者形成配位鍵．②氧原子與氫原子之間可以形成氫鍵．③在該結(jié)構(gòu)中碳原子既有單鍵又有雙鍵，因此雜化類型是sp²和sp³雜化，故答案為：①一個σ鍵、一個π鍵；配位鍵；②氫鍵；③sp²、sp³．

點(diǎn)評：本題考查晶體的結(jié)構(gòu)與物質(zhì)的性質(zhì)的相互關(guān)系及應(yīng)用，做題時注意電子排布式的書寫方法，晶體熔點(diǎn)比較發(fā)放，分子空間構(gòu)型的判斷方法以及晶胞的有關(guān)計(jì)算，注意學(xué)習(xí)中有關(guān)做題方法的積累．