已知IBr、SiCl4、PCl3、CH3COCl、CH3COOOCCH3常溫下很容易與水反應(yīng),反應(yīng)方式與鹽類(lèi)水解類(lèi)似。
(1)在所給5種物質(zhì)與水反應(yīng)的產(chǎn)物中,屬于最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的是________,屬于無(wú)氧酸的是________。
(2)分別將0.01mol這5種物質(zhì)放入0.1L水中反應(yīng),結(jié)果使溶液的pH接近3的是________。
(1)H4SiO4HBr和HCl
(2)CH3COOOCCH3
根據(jù)水解反應(yīng)規(guī)律,寫(xiě)出有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為:IBr+H2O====HIO+HBr,SiCl4+4H2O====H2SiO4↓+4HCl,PCl3+3H2O====H3PO3+3HCl,CH3COCl+H2OCH3COOH+HCl,
CH3COOOCCH3+H2O2CH3COOH。
上述反應(yīng)產(chǎn)物中屬于最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的是H4SiO4,屬于無(wú)氧酸的是HBr和HCl。5個(gè)反應(yīng)中前4個(gè)反應(yīng)都生成了強(qiáng)酸,只有第五個(gè)反應(yīng)中的CH3COOH是弱酸。0.01molCH3COOOCCH3與水反應(yīng)生成0.2molCH3COOH,形成的溶液約為0.1L,CH3COOH溶液濃度約為0.2mol·L-1。弱電解質(zhì)難電離,大約有1%的CH3COOH發(fā)生電離,溶液中的H+濃度約為0.002mol·L-1,pH接近3。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
①I(mǎi)Br+H2O====HIO+HBr
②+2H+====S+SO2↑+H2O
③+4H2O2+2H+====2CrO5+5H2O
④2HFO====2HF+O2↑
A.①②③④ B.②③④ C.④ D.②
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
(1)在所給5種物質(zhì)與水反應(yīng)的產(chǎn)物中,屬于最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的是________,屬于無(wú)氧酸的是________。
(2)分別將0.01 mol這5種物質(zhì)放入0.1 L水中反應(yīng),結(jié)果使溶液的pH接近3的是________。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
工業(yè)上用“三氯氫硅還原法”制備純硅的工業(yè)流程如圖:
(1)石英砂的主要成分是 (填化學(xué)式),在制備粗硅時(shí)焦炭的作用是 。
(2)制備三氯氫硅的反應(yīng):
Si(s)+3HCl(g)SiHCl3(g)+H2(g)
伴隨的副反應(yīng)為:
Si(s)+4HCl(g) SiCl4(g)+2H2(g)
已知SiHCl3和SiCl4常溫下均為液體,工業(yè)上分離SiHCl3和SiCl4的操作方法
為 ;
寫(xiě)出SiHCl3(g)和HCl反應(yīng)生成SiCl4(g)和H2的熱化學(xué)方程式 。
(3)該生產(chǎn)工藝中可以循環(huán)使用的物質(zhì)是 。
(4)實(shí)驗(yàn)室用SiHCl3與過(guò)量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下圖(熱源及夾持裝置略去).已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。
①裝置B中的試劑是 (填名稱(chēng)),裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是 。
②實(shí)驗(yàn)中先讓稀硫酸與鋅粒反應(yīng)一段時(shí)間后,再加熱C、D裝置的理由是 ,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2011屆廣東省茂名市高三第一次模擬考試(理綜)化學(xué)部分 題型:實(shí)驗(yàn)題
工業(yè)上用“三氯氫硅還原法”制備純硅的工業(yè)流程如圖:
(1)石英砂的主要成分是 (填化學(xué)式),在制備粗硅時(shí)焦炭的作用是 。
(2)制備三氯氫硅的反應(yīng):
Si(s)+3HCl(g)SiHCl3(g)+H2(g)
伴隨的副反應(yīng)為:
Si(s)+4HCl(g) SiCl4(g)+2H2(g)
已知SiHCl3和SiCl4常溫下均為液體,工業(yè)上分離SiHCl3和SiCl4的操作方法
為 ;
寫(xiě)出SiHCl3(g)和HCl反應(yīng)生成SiCl4(g)和H2的熱化學(xué)方程式 。
(3)該生產(chǎn)工藝中可以循環(huán)使用的物質(zhì)是 。
(4)實(shí)驗(yàn)室用SiHCl3與過(guò)量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下圖(熱源及夾持裝置略去).已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。
①裝置B中的試劑是 (填名稱(chēng)),裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是 。
②實(shí)驗(yàn)中先讓稀硫酸與鋅粒反應(yīng)一段時(shí)間后,再加熱C、D裝置的理由是 ,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。
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