【題目】(1)碳的一種單質的結構如圖(a)所示。該單質的晶體類型為___________,碳原子的雜化軌道類型為_________。

(2)SiCl4分子的中心原子的價層電子對數(shù)為__________,分子的立體構型為_______。

(3)四鹵化硅SiX4的沸點和二鹵化鉛PbX2的熔點如圖(b)所示。

SiX4的沸點依F、Cl、Br、I次序升高的原因是:______________________________________

(4)碳的另一種單質C60可以與鉀形成低溫超導化合物,晶體結構如圖(c)所示。K位于立方體的棱上和立方體的內部,此化合物的化學式為_______________;其晶胞參數(shù)為1.4 nm,晶體密度為___________________________________g·cm-3(列式并計算保留1位小數(shù))。

【答案】混合型晶體 sp2 4 正四面體 均為分子晶體,范德華力隨分子相對質量增大而增大 K3C60 2.0

【解析】

(1)碳的一種單質的結構如圖(a)所示,應為石墨;同層的碳原子與相鄰碳原子形成3個鍵,無孤電子對;(2)中心原子的價層電子對數(shù)=中心原子孤電子對數(shù)+中心原子與周圍原子形成σ鍵電子對數(shù);(3)SiX4均為分子晶體相對分子質量越大,沸點越高;(4)根據(jù)均攤原則計算化學式;1個晶胞含有4個C60、12個K原子,所以晶胞的摩爾質量是4×60×12+12×39=3348g/mol;晶胞參數(shù)1.4nm,則1個晶胞的體積是(1.4×10-7)3cm3。

(1)碳的一種單質的結構如圖(a)所示,應為石墨,屬于混合型晶體;同層的碳原子與相鄰碳原子形成3個鍵,無孤電子對,所以碳原子的雜化軌道類型為sp2;(2)中心原子的價層電子對數(shù)=中心原子孤電子對數(shù)+中心原子與周圍原子形成σ鍵電子對數(shù),SiCl4分子的中心原子是Si,孤電子對數(shù)為0與氯原子形成4個σ鍵,所以價層電子對數(shù)為4;根據(jù)價電子互斥理論,SiCl4分子的立體構型為正四面體;(3)SiX4均為分子晶體,范德華力隨分子相對質量增大而增大,所以SiX4的沸點依F、Cl、Br、I次序升高;(4)根據(jù)均攤原則,1個晶胞中C60數(shù)是,K原子數(shù)是,所以化學式為K3C601個晶胞含有4個C60、12K原子,所以晶胞的摩爾質量是4×60×12+12×39=3348g/mol;晶胞參數(shù)1.4nm,則1個晶胞的體積是(1.4×10-7)3cm3,晶體的密度為 g·cm–3=2.0 g·cm–3。

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B. 若壓強不變,向容器中再加入一定量的N2O4,再次達到平衡時各種物質的百分含量不變

C. 若體積不變,向容器中再加入一定量的N2O4,平衡向逆反應方向移動,再次平衡時N2O4的轉化率將降低

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①恒容條件下,升高溫度 ②恒容條件下,降低溫度 ③恒溫條件下,縮小反應容器體積 ④恒溫條件下,擴大反應容器體積 ⑤恒溫恒容條件下,加入適當?shù)拇呋瘎?/span>

A. ①⑤, ③ B. ②⑤, ④ C. ③⑤, ② D. ③⑤, ④

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