下面的排序不正確的是( 。
分析:A.分子晶體的相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔沸點(diǎn)越大;
B.鍵長(zhǎng)越短,共價(jià)鍵越強(qiáng),硬度越大;
C.金屬離子的電荷越大、半徑越小,其熔點(diǎn)越大;
D.離子半徑越小、離子鍵越強(qiáng),則晶格能越大.
解答:解:A.分子晶體的相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔沸點(diǎn)越大,則晶體熔點(diǎn)由低到高順序?yàn)镃F4<CCl4<CBr4<CI4,故A正確;
B.鍵長(zhǎng)越短,共價(jià)鍵越強(qiáng),硬度越大,鍵長(zhǎng)C-C<C-Si<Si-Si,則硬度由大到小為金剛石>碳化硅>晶體硅,故B正確;
C.金屬離子的電荷越大、半徑越小,其熔點(diǎn)越大,則熔點(diǎn)由高到低為Al>Mg>Na,故C錯(cuò)誤;
D.離子半徑越小、離子鍵越強(qiáng),則晶格能越大,F(xiàn)、Cl、Br、I的離子半徑在增大,則晶格能由大到小:NaF>NaCl>NaBr>NaI,故D正確;
故選C.
點(diǎn)評(píng):本題考查晶體熔沸點(diǎn)的比較,明確晶體類型及不同類型晶體熔沸點(diǎn)的比較方法是解答本題的關(guān)鍵,選項(xiàng)C為解答的難點(diǎn),題目難度中等.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

下面的排序不正確的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

下面的排序不正確的是( 。
A、電負(fù)性的大小:Cl>S>Al>MgB、硬度由大到。航饎偸咎蓟瑁揪w硅C、熔點(diǎn)由高到低:石英>食鹽>干冰>鈉D、晶格能由大到。篘aF>NaCl>NaBr>NaI

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

下面的排序不正確的是

     A.晶體熔點(diǎn)由低到高:CF4<CCl4<CBr4<CCI4

     B.硬度由大到小:金剛石>碳化硅>晶體硅

     C.熔點(diǎn)由高到低:Na>Mg>Al

     D.晶格能由大到。篘aF> NaCl> NaBr>NaI

【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體,其熔點(diǎn)和分子間作用力有關(guān),相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力就越大,A正確。在原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng),硬度越大。形成共價(jià)鍵的原子半徑越小,共價(jià)鍵越強(qiáng),碳原子比較小于硅原子半徑,所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體,金屬晶體中金屬鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高。而金屬鍵強(qiáng)弱與金屬陽(yáng)離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān),陽(yáng)離子半徑越小,電荷數(shù)越多,金屬鍵越強(qiáng),所以熔點(diǎn)由高到低是Na<Mg<Al,C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體,形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng),晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小,所帶電荷數(shù)越多,離子鍵越強(qiáng),所以D是正確的。答案選C。

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2013屆山西省高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題

下面的排序不正確的是

     A.晶體熔點(diǎn)由低到高:CF4<CCl4<CBr4<CCI4

     B.硬度由大到。航饎偸>碳化硅>晶體硅

     C.熔點(diǎn)由高到低:Na>Mg>Al

     D.晶格能由大到。篘aF> NaCl> NaBr>NaI

【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體,其熔點(diǎn)和分子間作用力有關(guān),相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力就越大,A正確。在原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng),硬度越大。形成共價(jià)鍵的原子半徑越小,共價(jià)鍵越強(qiáng),碳原子比較小于硅原子半徑,所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體,金屬晶體中金屬鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高。而金屬鍵強(qiáng)弱與金屬陽(yáng)離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān),陽(yáng)離子半徑越小,電荷數(shù)越多,金屬鍵越強(qiáng),所以熔點(diǎn)由高到低是Na<Mg<Al,C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體,形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng),晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小,所帶電荷數(shù)越多,離子鍵越強(qiáng),所以D是正確的。答案選C。

 

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