下列分子中，能形成氫鍵的是_________。

①HClO4   ②H2SO4   ③H3PO4   ④HNO3    ⑤H2Se    ⑥H3PO2   ⑦C2H5OH      ⑧CH3COOH  ⑨H2O2?⑩C6H6

解析：HClO4、H2SO4、H3PO4、HNO3、H3PO2、C2H5OH、CH3COOH、H2O2、HBrO3分子內(nèi)都存在O-H鍵，都能形成氫鍵。H2Se、C6H6分子中都不含O—H鍵，分子間都不能形成氫鍵。

答案：①②③④⑥⑦⑧⑨

練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列說法錯(cuò)誤的是（　�。�

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2011?大同模擬）有E、Q、T、X、Z五種前四周期元素，原子序數(shù)E＜Q＜T＜X＜Z．E、Q、T三種元素的基態(tài)原子具有相同的能層和能級(jí)，且I1（E）＜I1（T）＜I1（Q），其中基態(tài)Q原子的2p軌道處于半充滿狀態(tài)，且QT2+與ET2互為等電子體．X為周期表前四周期中電負(fù)性最小的元素，Z的原子序數(shù)為28．請(qǐng)回答下列問題（答題時(shí)如需表示具體元素，請(qǐng)用相應(yīng)的元素符號(hào)）：
（1）寫出QT2+的電子式
、基態(tài)Z原子的核外電子排布式
1s22s22p63s23p63d84s2
1s22s22p63s23p63d84s2
．
（2）Q的簡單氫化物極易溶于T的簡單氫化物，其主要原因有
這兩種氫化物均為極性分子、相互之間能形成氫鍵
這兩種氫化物均為極性分子、相互之間能形成氫鍵
等兩種．
（3）化合物甲由T、X兩元素組成，其晶胞如圖1，甲的化學(xué)式為
KO2
KO2
．
（4）化合物乙的晶胞如圖2，乙由E、Q兩元素組成，硬度超過金剛石．
①乙的晶體類型為
原子晶體
原子晶體
，其硬度超過金剛石的原因是
C-N鍵的鍵長小于C-C鍵，鍵能大于C-C鍵
C-N鍵的鍵長小于C-C鍵，鍵能大于C-C鍵
．
②乙的晶體中E、Q兩種元素原子的雜化方式均為
sp3
sp3
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

（2009?宿遷模擬）已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)A＜B＜C＜D＜E．其中B、D、E原子最外電子層的p能級(jí)（軌道）上的電子處于半滿狀態(tài)．通常情況下，A的一種氧化物分子為非極性分子，其晶胞結(jié)構(gòu)如右下圖所示．原子序數(shù)為31的元素鎵（Ga）與元素B形成的一種化合物是繼以C單質(zhì)為代表的第一代半導(dǎo)體材料和GaE為代表的第二代半導(dǎo)體材料之后，在近10年迅速發(fā)展起來的第三代新型半導(dǎo)體材料．
試回答下列問題：（答題時(shí)，A、B、C、D、E用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示）
（1）基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
．
（2）A、B、C的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
N＞C＞Si
N＞C＞Si
．
（3）B元素的單質(zhì)分子中有
2
2
個(gè)π鍵，與其互為等電子體的物質(zhì)的化學(xué)式可能為
CO（或其他合理答案）
CO（或其他合理答案）
（任寫一種）．
（4）上述A的氧化物分子的中心原子采取
sp
sp
雜化，其晶胞中微粒間的作用力為
范德華力
范德華力
．
（5）EH3分子的空間構(gòu)型為
三角錐形
三角錐形
，其沸點(diǎn)與BH3相比
低
低
（填“高”或“低”），原因是
NH3分子間能形成氫鍵，AsH3分子間不能形成氫鍵
NH3分子間能形成氫鍵，AsH3分子間不能形成氫鍵
．
（6）向CuSO4溶液中逐滴加入BH3的水溶液，得到深藍(lán)色的透明溶液．請(qǐng)寫出該反應(yīng)的離子方程式
Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2+2NH4+、Cu（OH）2+4NH3=[Cu（NH3）4]2++2OH-
Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2+2NH4+、Cu（OH）2+4NH3=[Cu（NH3）4]2++2OH-
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2013?無錫一模）[物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
鎵（Ga）、鍺（Ge）、砷（As）、硒（Se）均為第4周期的元素，它們?cè)诟呖萍技舛丝茖W(xué)特別是信息領(lǐng)域有著廣泛的用途．已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖．試回答下列問題：
（1）下列說法不正確的是
AB
AB
（填字母）．
A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B．第一電離能：Se＞As＞Ge＞Ga
C．鎵、鍺、砷、硒都屬于p區(qū)元素
D．半導(dǎo)體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體
（2）砷化鎵是將（CH3）3Ga和AsH3反應(yīng)制備得到，該反應(yīng)在700℃進(jìn)行，反應(yīng)的方程式為
（CH3）3Ga+AsH3
700℃
GaAs+3CH4
（CH3）3Ga+AsH3
700℃
GaAs+3CH4
，AsH3空間形狀為
三角錐型
三角錐型
．
（3）Ge的核外電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s24p2
1s22s22p63s23p63d104s24p2
，H2Se中硒原子的雜化方式為
sp3
sp3
．
（4）AsH3沸點(diǎn)比NH3低，其原因是
NH3分子間能形成氫鍵，而As電負(fù)性小，半徑大，分子間不能形成氫鍵
NH3分子間能形成氫鍵，而As電負(fù)性小，半徑大，分子間不能形成氫鍵
．

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