下列物質(zhì)熔化時(shí),化學(xué)鍵未被破壞的是(    )
A.食鹽B.干冰C.二氧化硅D.金屬鈉
B
分子晶體熔化時(shí),一般不需破壞化學(xué)鍵,只要克服分子間作用力即可。
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列說法中正確的是(    )
A.金剛石晶體中的最小碳原子環(huán)由6個(gè)碳原子構(gòu)成
B.Na2O2晶體中陰離子與陽離子數(shù)目之比為1∶1
C.1 mol SiO2晶體中含2 mol Si—O鍵
D.金剛石化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,即使在高溫下也不會和O2反應(yīng)

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:計(jì)算題

由烷基鎂熱分解制得鎂的氫化物。實(shí)驗(yàn)測定,該氫化物中氫的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為7.6%,氫的密度為0.101 g cm?3,鎂和氫的核間距為194.8 pm。已知?dú)湓拥墓矁r(jià)半徑為37pm,Mg2+ 的離子半徑為72 pm。
⑴ 寫出該氫化物中氫的存在形式,并簡述理由。                 
⑵ 將上述氫化物與金屬鎳在一定條件下用球磨機(jī)研磨,可制得化學(xué)式為Mg2NiH4的化合物。X-射線衍射分析表明,該化合物的立方晶胞的面心和頂點(diǎn)均被鎳原子占據(jù),所有鎂原子的配位數(shù)都相等。推斷鎂原子在Mg2NiH4晶胞中的位置(寫出推理過程)。      
⑶ 實(shí)驗(yàn)測定,上述Mg2NiH4晶體的晶胞參數(shù)為646.5 pm,計(jì)算該晶體中鎂和鎳的核間距。已知鎂和鎳的原子半徑分別為159.9 pm和124.6 pm。             
⑷ 若以材料中氫的密度與液態(tài)氫密度之比定義儲氫材料的儲氫能力,計(jì)算Mg2NiH4的儲氫能力(假定氫可全部放出;液氫的密度為0.0708 g·cm-3)。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列敘述不正確的是
A.離子晶體中只含離子鍵
B.含有離子鍵的晶體一定是離子晶體
C.離子晶體中可能含共價(jià)鍵
D.離子晶體不一定由金屬陽離子和非金屬陰離子構(gòu)成

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)問題:
物質(zhì)
NaF
NaCl
NaBr
NaI
NaCl
KCl
RbCl
CsCl
熔點(diǎn)/℃
995
801
755
651
801
776
715
646
物質(zhì)
SiF4
SiCl4
SiBr4
SiI4
SiCl4
GeCl4
SnCl4
PbCl4
熔點(diǎn)/℃
-90.4
-70.4
5.2
120
-70.4
-49.5
-36.2
-15
    (1)鈉的鹵化物、堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子、堿金屬離子的________有關(guān),隨著________的增大,熔點(diǎn)依次降低。
(2)硅的鹵化物的熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與__________有關(guān),隨著_________增大,_________增大,故熔沸點(diǎn)依次升高。
(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與________有關(guān),因?yàn)開______,故前者的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于后者。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列事實(shí)能說明A元素的金屬性一定比B元素強(qiáng)的是(  )
A.A的熔點(diǎn)比B的熔點(diǎn)高
B.發(fā)生氧化還原反應(yīng)時(shí),A元素原子失去的電子比B原子多
C.B陽離子的氧化性比A陽離子氧化性強(qiáng)
D.A能與水劇烈反應(yīng)放出氫氣,而B不能

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

金屬的下列性質(zhì)不能用金屬晶體結(jié)構(gòu)加以解釋的是( )
A.有金屬光澤
B.易生銹
C.易導(dǎo)電
D.有延展性

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

氮化硅是一種新合成的結(jié)構(gòu)材料,它是一種超硬、耐磨、耐高溫的物質(zhì)。下列各組物質(zhì)熔化時(shí),所克服的粒子間作用力與氮化硅熔化時(shí)所克服的作用力相同的是    (    )
A.硝石和金剛石B.晶體硅和水晶
C.冰和干冰D.萘和碘

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:問答題

下列是部分金屬元素的電離能
XYZ
第一電離能(kJ/mol)520.2495.8418.8
(1)已知X、Y、Z的價(jià)層電子構(gòu)型為ns1,則三種金屬的氯化物(RCl)的熔點(diǎn)由低到高的順序?yàn)開_____.
(2)CuCl用作有機(jī)合成催化劑,并用于顏料,防腐等工業(yè).CuCl的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示.元素Cu基態(tài)原子的電子排布式______,與同一個(gè)Cl-相連的Cu+有______個(gè).

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