晶體硅是一種重要的非金屬材料,在現(xiàn)代電子工業(yè)中具有非常重要的應(yīng)用.工業(yè)上制備高純硅的主要步驟如下:

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(1)下列有關(guān)硅及化合物的說(shuō)法,正確的是______.
A.石英的主要成分是SiO2
B.太陽(yáng)能電池使用單質(zhì)硅做材料,其應(yīng)用有利于環(huán)保、節(jié)能
C.粗硅制備高純硅的過(guò)程不涉及氧化還原反應(yīng)
D.玻璃、水泥、陶瓷都屬于硅酸鹽產(chǎn)品
(2)SiCl4在室溫下為無(wú)色液體,易揮發(fā),粗硅與氯氣反應(yīng)得到的粗SiCl4中含有大量固體雜質(zhì),通過(guò)“操作A”提純得到純SiCl4,操作A的名稱是______.
(3)整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧.H2還原SiCl4過(guò)程中發(fā)生的反應(yīng)是:______在該過(guò)程中若有O2混入,可能引起的后果是______.
(1)A、因石英的主要成分為SiO2,故A正確;
         B、因硅可用來(lái)制電池的材料,這一應(yīng)用有利于環(huán)保、節(jié)能,故B正確;
         C.因粗硅制備高純硅的過(guò)程中有兩個(gè)反應(yīng)為氧化還原反應(yīng):Si+2Cl2
 高溫 
.
 
SiCl4、SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
Si+4HCl;故C錯(cuò)誤;
         D.因常見(jiàn)的硅酸鹽材料有:玻璃、水泥、陶瓷,故D正確;
        故答案為:ABD
    (2)因SiCl4在室溫下為無(wú)色液體,易揮發(fā),粗SiCl4中含有大量固體雜質(zhì),可先對(duì)SiCl4進(jìn)行汽化,然后進(jìn)行液化達(dá)到分離的目的,故答案為:蒸餾(分餾、精餾均可)
    (3)因SiCl4與H2反應(yīng)可得高純硅和氣體,可知?dú)怏w為HCl,故答案為:2H2+SiCl4
 高溫 
.
 
Si+4HCl,
         因H2和O2混合容易發(fā)生爆炸,故答案為:引起爆炸.
練習(xí)冊(cè)系列答案
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(1)太陽(yáng)能熱水器中常使用一種以鎳或鎳合金空心球?yàn)槲談┑奶?yáng)能吸熱涂層.
①請(qǐng)寫(xiě)出基態(tài)鎳原子的核外電子排布式
1S22S22P63S23P63d84s2
1S22S22P63S23P63d84s2

②NiO、FeO的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉相同,Ni2+和Fe2+的離子半徑分別為69pm和78pm,則熔點(diǎn)NiO
(填“<”或“>”)FeO;
③Ni、Fe、Co等金屬都能與CO反應(yīng)形成配合物,F(xiàn)e(CO)5常溫下呈液態(tài),熔點(diǎn)為-20.5℃,沸點(diǎn)為103℃,易溶于非極性溶劑,據(jù)此可判斷Fe(CO)5晶體屬于
分子晶體
分子晶體
(填晶體類型);配位體是
CO
CO

(2)金屬酞菁配合物在硅太陽(yáng)能電池中有重要作用,一種金屬鎂酞菁配合物的結(jié)構(gòu)如下圖,請(qǐng)?jiān)谙聢D中用箭頭表示出配位鍵.
(3)CO與N2互為等電子體.CO的總鍵能大于N2的總鍵能,但CO比N2容易參加化學(xué)反應(yīng).根據(jù)下表數(shù)據(jù),說(shuō)明CO比N2活潑的原因是
反應(yīng)中,CO中首先斷裂的那個(gè)π鍵的鍵能比N2的小很多,所以CO更容易發(fā)生反應(yīng)
反應(yīng)中,CO中首先斷裂的那個(gè)π鍵的鍵能比N2的小很多,所以CO更容易發(fā)生反應(yīng)

A-B A=B A≡B
CO 鍵能(kJ?mol-1 357.7 798.9 1071.9
鍵能差值(kJ?mol-1 441.2  273
N2 鍵能(kJ?mol-1 154.8 418.3 941.7
鍵能差值(kJ?mol-1 263.6  523.3
(4)CO與N2分子中都包含
1
1
個(gè)σ鍵、
2
2
個(gè)π鍵.

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甲、乙、丙是三種常見(jiàn)單質(zhì),X、Y、Z是常見(jiàn)化合物,他們之間有如下轉(zhuǎn)化關(guān)系:

已知甲是短周期金屬單質(zhì),乙、丙是短周期非金屬單質(zhì),X、Y、Z中只有一種是離子晶體。下列說(shuō)法不正確的是

A.X是具有極性鍵的非極性分子       B.Z是水煤氣的主要成分之一

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(1)太陽(yáng)能熱水器中常使用一種以鎳或鎳合金空心球?yàn)槲談┑奶?yáng)能吸熱涂層.
①請(qǐng)寫(xiě)出基態(tài)鎳原子的核外電子排布式______.
②NiO、FeO的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉相同,Ni2+和Fe2+的離子半徑分別為69pm和78pm,則熔點(diǎn)NiO______(填“<”或“>”)FeO;
③Ni、Fe、Co等金屬都能與CO反應(yīng)形成配合物,F(xiàn)e(CO)5常溫下呈液態(tài),熔點(diǎn)為-20.5℃,沸點(diǎn)為103℃,易溶于非極性溶劑,據(jù)此可判斷Fe(CO)5晶體屬于______(填晶體類型);配位體是______.
(2)金屬酞菁配合物在硅太陽(yáng)能電池中有重要作用,一種金屬鎂酞菁配合物的結(jié)構(gòu)如下圖,請(qǐng)?jiān)谙聢D中用箭頭表示出配位鍵.
(3)CO與N2互為等電子體.CO的總鍵能大于N2的總鍵能,但CO比N2容易參加化學(xué)反應(yīng).根據(jù)下表數(shù)據(jù),說(shuō)明CO比N2活潑的原因是______.
A-BA=BA≡B
CO鍵能357.7798.91071.9
鍵能差值441.2  273
N2鍵能154.8418.3941.7
鍵能差值263.6  523.3
(4)CO與N2分子中都包含______個(gè)σ鍵、______個(gè)π鍵.

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甲、乙、丙是三種常見(jiàn)單質(zhì),X、Y、Z是常見(jiàn)化合物,他們之間有如下轉(zhuǎn)化關(guān)系:

已知甲是短周期金屬單質(zhì),乙、丙是短周期非金屬單質(zhì),X、Y、Z中只有一種是離子晶體。下列說(shuō)法不正確的是

A.X是具有極性鍵的非極性分子       B.Z是水煤氣的主要成分之一

C.甲和X的反應(yīng)是吸熱反應(yīng)          D.丙是生產(chǎn)硅的重要原料

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012屆河北省三河一中高三上學(xué)期第二次月考化學(xué)試卷 題型:單選題

甲、乙、丙是三種常見(jiàn)單質(zhì),X、Y、Z是常見(jiàn)化合物,他們之間有如下轉(zhuǎn)化關(guān)系:

已知甲是短周期金屬單質(zhì),乙、丙是短周期非金屬單質(zhì),X、Y、Z中只有一種是離子晶體。下列說(shuō)法不正確的是

A.X是具有極性鍵的非極性分子B.Z是水煤氣的主要成分之一
C.甲和X的反應(yīng)是吸熱反應(yīng)D.丙是生產(chǎn)硅的重要原料

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