【題目】氮化鎵(GaN)與Cu可組成如圖所示的人工光合系統(tǒng),該裝置能以CO2和H2O為原料合成CH4,下列說法正確的是
A. Cu電極上發(fā)生氧化反應
B. 溶液中H+向GaN電極移動
C. 該系統(tǒng)的功能是將化學能轉化為電能
D. 相同條件下,理論上產生的O2和CH4氣體體積比為2:1
科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】(I)用鋅片、銅片連接后浸入稀硫酸溶液中,構成了原電池,工作一段時間,鋅片的質量減少了3.25克,銅表面析出了氫氣________L(標準狀況下)。導線中通過_______mol電子。
(II)選擇適宜的材料和試劑設計一個原電池,以便完成下列反應。
Cu+2AgNO3===2Ag+Cu(NO3)2
(1)請指出正極材料、負極材料、電解質溶液(寫化學式):
正極:______,負極:_____,電解質溶液:______。
(2)寫出電極反應式:正極:___________,負極:___________。
(3)溶液中Ag+向______極移動,電子從______極流向_____極。(填“正”或“負”)
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】有a、b、c、d四種主族元素,已知a、b的陽離子和c、d的陰離子都具有相同的電子層結構,而且原子半徑a>b,陰離子所帶負電荷數(shù)c>d,則四種元素的原子序數(shù)關系是( )
A.a>b>c>dB.b>a>d>cC.c>b>a>dD.b>a>c>d
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】近年來,我國(PCB)印刷電路板制造業(yè)發(fā)展迅速,總產值居世界第一。工業(yè)上常用CuCl2和鹽酸的混合液作為蝕刻液,蝕刻PCB表面的銅箔。
已知:①一定條件下,Cu與Cu2+反應可生成+ 1價銅。
②氯化亞銅(CuCl)難溶于水,可與Cl-形成CuCl32-進入溶液。
Ⅰ.蝕刻過程中將Cu轉化為CuCl32-去除。
(1)蝕刻過程的離子方程式有_______、CuCl+2Cl- CuCl32-。
(2)蝕刻液中的鹽酸可大大提高蝕刻效率,結合上述反應解釋原因:______________。
Ⅱ.蝕刻一段時間后,將蝕刻廢液中的CuCl32-轉化為Cu2+,即可再生循環(huán)利用,常用方法如下:
(1)化學再生:加入H2O2溶液可使蝕刻液再生,該反應的離子方程式是______________。
(2)電解再生(電極不參與反應):按下圖裝置,使蝕刻液再生并回收金屬Cu。
①在______極(填“a”或“b)”)回收得到金屬Cu。
②結合電極反應解釋陽極區(qū)蝕刻液再生的原理:________。
③實際電解過程中,通常在兩極上均產生少量氣體,則流出液1、流出液2混合后,還需補充試劑________,得到可循環(huán)使用的再生液。
④研究表明:其他條件不變,使用無膜電解槽再生時,一段時間后,電極上析出的Cu總量反而會隨電解時間的増長而減少。解釋Cu的總量減少的原因:________。
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