下列說法正確的是( )
A.4.0g碳化硅晶體中所含C-Si數(shù)為0.4NA
B.PCl3、BF3、HClO這些分子中每個原子都達到了8電子結(jié)構(gòu)
C.電解精煉銅時,當陽極質(zhì)量減少3.2 g時,電路中轉(zhuǎn)移的電子數(shù)為0.1NA
D.若H+(aq)+OH-(aq)=H2O(l);△H=-57.3kJ?mol-1,則含Ba(OH)2 1 mol溶液與1 mol稀H2SO4反應(yīng)放出的熱量為114.6 kJ
【答案】
分析:A、碳化硅晶體結(jié)構(gòu)與金剛石類似,每個C原子掌握有4個Si原子,每個Si原子掌握有4個C原子,每個C原子呈4個C-Si鍵,根據(jù)n=

計算碳化硅的物質(zhì)的量,再根據(jù)N=nN
A計算C-Si鍵數(shù)目;
B、BF
3中B原子、HClO中H原子不滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu);
C、電解精煉銅時,陽極失電子的物質(zhì)除銅外,其它部分雜質(zhì)也發(fā)生氧化反應(yīng);
D、Ba(OH)
2 1 mol溶液與1 mol稀H
2SO
4反應(yīng)生成2mol水與1mol硫酸鋇沉淀,生成硫酸鋇沉淀也放出熱量.
解答:解:A、4.0g碳化硅晶體的物質(zhì)的量為

=0.1mol,每個C原子掌握有4個Si原子,每個Si原子掌握有4個C原子,每個C原子呈4個C-Si鍵,所以含有的C-Si鍵數(shù)目為0.1mol×4×N
Amol
-1=0.4N
A,故A正確;
B、PCl
3中各原子滿足8電子結(jié)構(gòu),BF
3中B原子、HClO中H原子不滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),故B錯誤;
C、電解精煉銅時,陽極失電子的物質(zhì)除銅外,其它部分雜質(zhì)也發(fā)生氧化反應(yīng),當陽極質(zhì)量減少3.2 g時,電路中轉(zhuǎn)移的電子數(shù)不一定為0.1N
A,故C錯誤;
D、Ba(OH)
2 1 mol溶液與1 mol稀H
2SO
4反應(yīng)生成2mol水與1mol硫酸鋇沉淀,生成硫酸鋇沉淀也放出熱量,所以放出的熱量應(yīng)大于114.6 kJ,故D錯誤;
故選A.
點評:本題考查晶體與分子結(jié)構(gòu)、電解原理、熱化學(xué)方程式等,難度中等,注意A中結(jié)構(gòu)與金剛石類似,但不是C-Si鍵為C原子提供

個鍵.