Question

【題目】X、Y、Z、Q、W為前四周期中原子序數(shù)依次增大的元素。X原子的2p能級上有兩個(gè)未成對電子，且無空軌道。Y原子K層的電子數(shù)與M層的電子數(shù)的乘積等于其L層的電子數(shù)；Z與X同族，Q位于第ⅠB族；W元素最高正價(jià)和最低負(fù)價(jià)的代數(shù)和為4。根據(jù)以上信息，回答下列問題。

（1）W元素的名稱是：___________；其簡化的電子排布式為___________________；X的基態(tài)原子核外最高能級上有_____種不同空間運(yùn)動狀態(tài)的電子；已知高溫下4QX→2Q2X+X2，從Q原子價(jià)層電子結(jié)構(gòu)的角度分析，能生成Q2X的原因是__________________________________。

（2）Y與X可以形成多種復(fù)雜陰離子，如下圖所示，若其中a對應(yīng)的陰離子化學(xué)式為YX，則c對應(yīng)的陰離子的化學(xué)式為_________________(圓圈代表X原子，黑點(diǎn)代表Y原子)。

（3）向盛有含Q2+的溶液中加入氨水至過量，沉淀溶解的離子方程式為___________________。寫出最后所得配離子的結(jié)構(gòu)式____________________________________（配位鍵須注明）。

（4）W、Y均能與氫元素形成氣態(tài)氫化物，則它們形成的組成最簡單的氫化物中，VSEPR構(gòu)型____________（填“相同”或“不相同”），若“YH”中共用電子對偏向氫元素，氫氣與W反應(yīng)時(shí)單質(zhì)W是氧化劑，則W與Y的電負(fù)性相對大小為______________（用元素符號作答）。

Answer 1

【答案】硒 [Ar] 3d104s24p4 3 CuO中銅的外圍電子排布為3d9，Cu2O中銅的價(jià)電子排布為3d10，后者處于全充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，而前者不是 Si6O Cu(OH)2+4NH3·H2O= [Cu(NH3)4]2++2OH-+4H2O （或Cu(OH)2+4NH3= [Cu(NH3)4]2++2OH-） 相同 Se>Si

【解析】

X、Y、Z、Q、W為前四周期中原子序數(shù)依次增大的元素。X原子的2p能級上有兩個(gè)未成對電子，且無空軌道，則X的價(jià)電子排布式為2s22p4，X為O，Y原子K層的電子數(shù)與M層的電子數(shù)的乘積等于其L層的電子數(shù)；K層2個(gè)電子，L層8個(gè)電子，則其M層的4個(gè)電子，Y為Si，Q位于第ⅠB族且只能是第4周期，則Q為Cu；Z與X同族即第ⅥA，X、Y、Z、Q、W原子序數(shù)依次增大，則Z為S，W元素最高正價(jià)和最低負(fù)價(jià)的代數(shù)和為4，W位于ⅥA，為Se，據(jù)此結(jié)合相關(guān)知識分析回答；

(1)W即Se元素的名稱是硒；原子序數(shù)為34，則其簡化的電子排布式為[Ar] 3d104s24p4；按原子軌道能量的高低規(guī)律，X的基態(tài)原子核外最高能級為2p，有3種不同空間運(yùn)動狀態(tài)的電子；已知高溫下4QX→2Q2X+X2，即高溫下氧化銅分解生成氧化亞銅和氧氣，則能生成Cu2O原因是CuO中銅的外圍電子排布為3d9，Cu2O中銅的價(jià)電子排布為3d10，后者處于全充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，而前者不是；

答案為：硒；[Ar] 3d104s24p4；3；CuO中銅的外圍電子排布為3d9，Cu2O中銅的價(jià)電子排布為3d10，后者處于全充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，而前者不是；

(2)Y與X可以形成多種復(fù)雜硅氧根陰離子，若其中a對應(yīng)的陰離子化學(xué)式為YX即，是硅氧四面體結(jié)構(gòu)，則c對應(yīng)的陰離子為6個(gè)硅氧四面體構(gòu)成，硅氧四面體通過共用頂角氧原子成連接起來的，則每個(gè)硅氧四面體內(nèi)有1個(gè)硅原子、2+2×=3個(gè)氧原子， 則化學(xué)式為Si6O；

答案為：Si6O；

(3)向盛有含Q2+即銅離子的溶液中加入氨水至過量，先生成Cu(OH)2后沉淀溶解，則沉淀溶解的離子方程式為Cu(OH)2+4NH3·H2O= [Cu(NH3)4]2++2OH-+4H2O（或Cu(OH)2+4NH3= [Cu(NH3)4]2++2OH-）；反應(yīng)后得到的配離子的結(jié)構(gòu)式為；

答案為：Cu(OH)2+4NH3·H2O= [Cu(NH3)4]2++2OH-+4H2O（或Cu(OH)2+4NH3= [Cu(NH3)4]2++2OH-）；；

(4)W為Se、Y為Si，均能與氫元素形成氣態(tài)氫化物，它們形成的最簡單的氫化物分別為H2Se，SiH4，它們的價(jià)層電子對數(shù)均為4，故VSEPR構(gòu)型相同，若“YH”即Si-H中共用電子對偏向氫元素，則電負(fù)性H＞Si，氫氣與W即Se反應(yīng)時(shí)，單質(zhì)W即Se是氧化劑，則W即Se的電負(fù)性比氫大，則Si與Se的電負(fù)性相對大小為Se>Si;

答案為：相同；Se>Si。