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1.碳、氮、氟、硅、銅等元素的化合物廣泛存在于自然界,回答下列問題:
(1)氮氣分子中σ鍵和π鍵的比值為1:2;基態(tài)銅原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1
(2)C、N、F三種元素第一電離能由大到小的順序為F>N>C;三種元素分別形成的最簡單氫化物中屬于非極性分子的是CH4(填化學式).
(3)NF3是微電子工業(yè)中優(yōu)良的等離子刻蝕氣體,NF3分子的空間構型為三角錐形; 在NF3中,N原子的雜化軌道類型為sp3
(4)金剛砂(SiC)的硬度為9.5,其晶胞結構如圖所示.金剛砂晶體類型為原子晶體,每個C原子周圍最近的C原子數目為12,若晶胞的邊長為a cm,阿伏加德羅常數為NA,則金剛砂的密度為$\frac{160}{{N}_{A}{a}^{3}}$g•cm-3(不需要化簡).

分析 (1)氮氣分子結構式為N≡N,三鍵中含有1個σ鍵、2個π鍵;Cu元素原子核外電子數為29,根據能量最低原理書寫核外電子排布式;
(2)同周期隨原子序數增大,元素第一電離能呈增大趨勢;三種氫化物中甲烷為正四面體對稱結構,分子中正負電荷重心重合,屬于非極性分子;
(3)NF3分子中N原子孤電子對數=$\frac{5-1×3}{2}$=1、價層電子對數=3+1=4,雜化軌道數目為4;
(4)金剛砂硬度大,晶胞中Si、C原子之間形成共價鍵,為空間網狀結構,屬于原子晶體,晶胞中存在四面體構型,晶胞中Si、C原子位置可以互換,互換后以頂點C原子為研究對象,與之最近的C原子處于面心,每個頂點為8個晶胞共用,每個面心為2個晶胞共用;
晶胞中Si處于頂點與面心、C原子處于晶胞內部,利用均攤法計算晶胞中Si、C原子數目,進而計算晶胞質量,再根據ρ=$\frac{m}{V}$計算晶胞密度.

解答 解:(1)氮氣分子結構式為N≡N,三鍵中含有1個σ鍵、2個π鍵,分子中σ鍵和π鍵的比值為1:2,;Cu元素原子核外電子數為29,根據能量最低原理,核外電子排布式為:1s22s22p63s23p63d104s1,
故答案為:1:2;1s22s22p63s23p63d104s1
(2)同周期隨原子序數增大,元素第一電離能呈增大趨勢,故第一電離能為:F>N>C;三種氫化物中,氨氣為三角錐形,屬于極性分子,HF為雙原子分子,共用電子對偏向F,為極性分子,甲烷為正四面體對稱結構,分子中正負電荷重心重合,屬于非極性分子,
故答案為:F>N>C;CH4
(3)NF3分子中N原子孤電子對數=$\frac{5-1×3}{2}$=1、價層電子對數=3+1=4,為三角錐形結構,N原子雜化軌道數目為4,采取sp3雜化,
故答案為:三角錐形;sp3;
(4)金剛砂硬度大,晶胞中Si、C原子之間形成共價鍵,為空間網狀結構,屬于原子晶體,
晶胞中存在四面體構型,晶胞中Si、C原子位置可以互換,互換后以頂點C原子為研究對象,與之最近的C原子處于面心,每個頂點為8個晶胞共用,每個面心為2個晶胞共用,故每個C原子周圍最近的C原子數目為$\frac{3×8}{2}$=12,
晶胞中Si處于頂點與面心,晶胞中Si元素數目為8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,C原子處于晶胞內部,晶胞中C原子數目為4,故晶胞質量為4×$\frac{40}{{N}_{A}}$g,晶胞體積為(a cm)3,則晶胞密度為4×$\frac{40}{{N}_{A}}$g÷(a cm)3=$\frac{160}{{N}_{A}{a}^{3}}$g•cm-3,
故答案為:$\frac{160}{{N}_{A}{a}^{3}}$.

點評 本題是對物質結構與性質的考查,涉及核外電子排布、電離能、分子結構與性質、雜化方式與空間構型判斷、晶胞結構與計算等,(4)為易錯點,需要學生具備一定的空間想象,難度中等.

練習冊系列答案
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11.下列物質不能通過化合反應直接制得的是(  )
A.FeCl2B.NaHCO3C.Cu(OH)2D.SiO2

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科目:高中化學 來源: 題型:解答題

12.鹵代烴R-Cl在一定條件下發(fā)生如下反應:
R-Cl+KCN$\underset{\stackrel{O{H}^{-}}{→}}{\;}$R-CN+KCl
R-CN+2H2O+H+→R-COOH+NH4+
現以乙烯為原料經過下圖所示的反應制取有機物W.

已知A、B、C、D、E均為烴的衍生物,請?zhí)顚懀?br />(1)若甲為Cl2,乙為HCl,生成物W的分子式為C8H14O4,則W的結構簡式為CH3CH2OOCCH2CH2COOCH2CH3
(2)若甲、乙均為Cl2,C與E在一定條件下以1:1的比例發(fā)生反應,生成鏈狀高分子化合物W,則W的結構簡式為
(3)若甲、乙均為HCl,則C與E反應生成W的化學方程式為(有機物用結構簡式表示)CH3CH2COOH+HOCH2CH3$?_{△}^{濃硫酸}$CH3CH2COOCH2CH3+H2O.
(4)若W的分子式為C5H10O3,則甲為HCl,乙為Cl2

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9.鋰錳電池的體積小,性能優(yōu)良,是常用的一次電池.該電池反應原理如圖所示,其中電解質LiClO4溶于混合有機溶劑中.下列說法正確的是( 。
A.外電路的電流方向是由a極流向b極
B.電池正極反應式為MnO2+e-=MnO2-
C.用稀硫酸代替有機溶劑,增加自由移動的離子濃度,可以增加電池的電流強度
D.Li+通過電解質遷移入MnO2晶格中,生成LiMnO2

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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題

16.某化學興趣小組進行了有關Cu、硝酸、硫酸化學性質的實驗,實驗過程如圖所示.下列有關說法正確的是(  )
A.實驗①中溶液呈藍色,試管口有紅棕色氣體產生,說明稀硝酸被Cu還原為NO2
B.實驗③中滴加稀硫酸,銅片繼續(xù)溶解,說明稀硫酸的氧化性比稀硝酸強
C.實驗③發(fā)生反應的化學方程式為:3Cu+Cu(NO32+4H2SO4═4CuSO4+2NO↑+4H2O
D.由上述實驗可得出結論:Cu在常溫下既可以和稀硝酸反應,也可以和稀硫酸反應

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6.能在水溶液中大量共存的離子組是( 。
A.H+、Fe3+、SO42-、I-B.H+、NH4+、HCO3-、NO3-
C.K+、AlO2-、Cl-、OH-D.Ag+、K+、Cl-、SO42-

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科目:高中化學 來源: 題型:解答題

13.(1)已知:N2(g)+O2(g)═2NO(g)△H1=+180.5kJ/mol
N2(g)+3H2(g)?2NH3(g)△H2=-92.4kJ/mol
2H2(g)+O2(g)=2H2O(g)△H3=-483.6kJ/mol
寫出氨氣催化氧化生成一氧化氮氣體和水蒸氣的熱化學方程式4NH3(g)+5O2(g)═4NO(g)+6H2O(g)△H=-905.0kJ/mol.
(2)某科研小組研究:在其他條件不變的情況下,改變起始物氫氣的物質的量對N2(g)+3H2(g)?2NH3(g)反應的影響.實驗結果如圖所示:(圖中T表示溫度,n表示物質的量)
①圖象中T2和T1的關系是:T2低于T1(填“高于”“低于”“等于”“無法確定”)
②比較在a、b、c三點所處的平衡狀態(tài)中,反應物N2的轉化率最高的是c(填字母).
(3)N2O5是一種新型硝化劑,其性質和制備受到人們的關注:一定溫度下可發(fā)生下列反應:2N2O5(g)→4NO2(g)+O2(g)△H>0下表為反應在T1溫度下的部分實驗數據
t/s05001000
c(N2O5)/mol•L-15.003.522.48
①500s內NO2的平均生成速率為0.00592mol•L-1•s-1
②該反應的化學平衡常數表達式為K=$\frac{{c}^{4}(N{O}_{2})•c({O}_{2})}{{c}^{2}({N}_{2}{O}_{5})}$.

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10.已知五種元素的原子序數的大小順序為C>A>B>D>E;A、C同周期,B、C同主族;A與B形成離子化合物A2B,A2B中所有離子的電子數相同,其電子總數為30;D和E可形成4核、10個電子的分子.試回答下列問題:
(1)寫出五種元素的符號:ANa,BO,CS,DN,EH.
(2)D形成的單質的化學式是N≡N,B、D、E形成的離子化合物的化學式是NH4NO3,離子化合物A3D的電子式是

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12.某學習小組共同學習乙醛的化學性質,以下是他們的學習過程,請?zhí)羁眨?br />(1)根據乙醛的結構對性質進行預測
乙醛的結構特點可能的化學性質
有C=O雙鍵,不飽和與H2發(fā)生加成反應,乙醛表現氧化性

CHO中C-H鍵極性較強

CHO中C-H鍵被氧化,變?yōu)镃-OH
(2)寫出乙醛與氫氣反應的方程式CH3CHO+H2$→_{△}^{催化劑}$CH3CH2OH
(3)設計實驗驗證乙醛的還原性,請?zhí)钊砀瘢?br />
實驗現象結論
取適量乙醛溶液,滴加高錳酸鉀酸性溶液高錳酸鉀溶液紫色變淺(褪去)乙醛能被高錳酸鉀氧化
向新制銀氨溶液中加入幾滴乙醛溶液,水浴加熱試管壁上出現銀鏡(一層光亮如鏡的銀)乙醛將銀氨溶液還原
向新制氫氧化銅懸濁液中加入適量乙醛溶液,加熱出現紅色沉淀乙醛被氫氧化銅氧化
根據上表及所學知識回答:
①乙醛被高錳酸鉀溶液氧化為CH3COOH(填結構簡式)
②寫出乙醛發(fā)生銀鏡反應的方程式CH3CHO+2Ag(NH32OH$\stackrel{△}{→}$CH3COONH4+2Ag↓+3NH3+H2O
(4)某有機物只含C、H、O三種元素,該有機物對氫氣的相對密度為15,完全燃燒 0.1mol該有機物生成4.4gCO2和1.8gH2O,該有機物的分子式為CH2O,若紅外光譜顯示該分子中有醛基,則3g該物質與足量的新制氫氧化銅反應,生成沉淀的質量為28.8g.

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