10．下列說(shuō)法正確的是（　�。�
A．電解質(zhì)與非電解質(zhì)的本質(zhì)區(qū)別，是在水溶液中或熔融狀態(tài)下能否電離
B．在水溶液中和熔融狀態(tài)下都能導(dǎo)電的化合物叫電解質(zhì)
C．酸、堿和鹽類都屬于電解質(zhì)，其他化合物都是非電解質(zhì)
D．常見(jiàn)的強(qiáng)酸、強(qiáng)堿和大部分鹽都是電解質(zhì)，其他化合物都是非電解質(zhì)

分析 A．電解質(zhì)和非電解質(zhì)都是化合物，區(qū)別是非電解質(zhì)不能自身電離；
B．電解質(zhì)在水溶液中或熔融狀態(tài)電離；
C．酸、堿和鹽類都屬于電解質(zhì)，氧化物也是電解質(zhì)；
D．常見(jiàn)的強(qiáng)酸、強(qiáng)堿和大部分鹽都是強(qiáng)電解質(zhì)，其他化合物不一定是非電解質(zhì)．

解答 解：A．電解質(zhì)是指：該物質(zhì)是化合物，溶于水溶液中或在熔融狀態(tài)下就能夠?qū)щ�，是自身電離，在水溶液中和在熔融狀態(tài)下兩種情況下都不能導(dǎo)電的化合物稱為非電解質(zhì)，所以它們的本質(zhì)區(qū)別是在一定條件下能否電離，故A正確；
B．有些難溶于水的電解質(zhì)在熔融狀態(tài)下電離如CuO難溶于水，只有在熔融狀態(tài)下有自由移動(dòng)的離子導(dǎo)電；有些液態(tài)電解質(zhì)在溶液中電離，如硫酸常溫下為液體，所以只有在水溶液中有自由移動(dòng)的離子導(dǎo)電，故B錯(cuò)誤；
C．電解質(zhì)是指在水溶液或熔化狀態(tài)下都能導(dǎo)電的化合物，氧化鋁在熔化狀態(tài)下能電離出自由移動(dòng)的氧離子和鋁離子，能導(dǎo)電，是強(qiáng)電解質(zhì)，故C錯(cuò)誤；
D．常見(jiàn)的強(qiáng)酸、強(qiáng)堿和大部分鹽都是強(qiáng)電解質(zhì)，其他化合物不一定是非電解質(zhì)，如弱酸、弱堿、金屬氧化物也是電解質(zhì)，故D錯(cuò)誤，故選A．

點(diǎn)評(píng) 本題重點(diǎn)考查了電解質(zhì)概念的辨析，解題時(shí)緊抓住電解質(zhì)必須是化合物，導(dǎo)電是在水溶液或熔化狀態(tài)下為條件，題目較簡(jiǎn)單．

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：解答題

1．將4mol O2和3mol NxHy（y＞x）的混合氣體在150℃和1.05×105Pa下點(diǎn)燃，完全反應(yīng)后，恢復(fù)到原來(lái)的溫度與壓強(qiáng)時(shí)，測(cè)得反應(yīng)后N2、O2、H2O（g）的混合氣體比原混合氣體的密度減少$\frac{3}{10}$．
（1）此反應(yīng)的化學(xué)方程式是（用NxHy表示）yO2+4NxHy═2xN2+2yH2O．
（2）推算NxHy化學(xué)式的根據(jù)是阿伏伽德羅定律．
（3）x與y的關(guān)系式為2x+y=8．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

1．下列說(shuō)法正確的是（　�。�
A．水的電離方程式：H2O═H++OH-B．升高溫度，水的電離程度增大
C．在NaOH溶液中沒(méi)有H+D．在HCl溶液中沒(méi)有OH-

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：多選題

18．一下氣體因與人體血液中的血紅蛋白作用引起中毒的是（　　）
A．NOB．COC．NO2D．CO2

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：解答題

5．如表有三組物質(zhì)，每組均有甲、乙、丙三種物質(zhì)（酸、堿、鹽均為溶液）．
 第Ⅰ組第Ⅱ組第Ⅲ組
甲BaCl2FeCu（NO3）2
乙Fe2O3K2SO4H2SO4
丙ZnNaOHMgCl2
根據(jù)該表回答問(wèn)題：
（1）第Ⅲ組中有一種物質(zhì)能與第Ⅰ組中的所有物質(zhì)反應(yīng)，這種物質(zhì)是H2SO4．
（2）不跟第I組所有物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)的，能跟第Ⅲ組中所有物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)的是第II組物質(zhì)中的NaOH，其化學(xué)反應(yīng)方程式為2NaOH+Cu（NO3）2=Cu（OH）2↓+2NaNO3、2NaOH+H2SO4=Na2SO4+2H2O、2NaOH+MgCl2=Mg（OH）2↓+2NaCl．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：解答題

15．配平下列方程式：
（1）3Ag+4HNO3--3AgNO3+1NO↑+2H2O

（2）2KMnO4+10FeSO4+8H2SO4--5Fe2（SO4）3+1K2SO4+2MnSO4+8H2O

（3）3P4+10HClO3+18H2O--12H3PO4+10HCl

（4）2KMnO4+5H2S+3H2SO4--2MnSO4+5S↓+1K2SO4+8H2O
（5）3As2S3+28HNO3+4H2O--6H3AsO4+9H2SO4+28NO↑
（6）5NH4NO3--4N2↑+2HNO3+9H2O
（7）1Cr2O72-+6I-+14H+--2Cr3++3I2+7H2O
（8）6NO3-+5CH30H--3N2+5CO2+7H2O+6OH-．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：填空題

2．獲取知識(shí)和信息是現(xiàn)代人不可缺少的素質(zhì)，信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展離不開(kāi)材料科學(xué)的推動(dòng)．
（1）光導(dǎo)纖維是一種能高質(zhì)量傳導(dǎo)光的玻璃纖維，利用光纜通訊，能同時(shí)傳輸大量信息．制造光纖電纜的主要原材料的化學(xué)式是SiO2，它屬于無(wú)機(jī)非金屬材料．
（2）信息產(chǎn)業(yè)的核心材料是高純度的硅，高純度的單晶硅生產(chǎn)方法之一：HCl、Cl2H2
SiO2$\stackrel{C}{→}$Si（粗硅）$\stackrel{HCl、Cl_{2}}{→}$SiHCl3（沸點(diǎn)31.5℃）$\stackrel{H_{2}}{→}$Si$\stackrel{氣相沉積法}{→}$超純硅（多晶硅）單晶硅
近代用得較多的另一種方法（之二）是：用金屬硅化物（Mg2Si）與鹽酸作用制得硅烷，再熱分解硅烷可得高純硅．單晶硅可用來(lái)制作大規(guī)模集成電路、整流器等，硅純度越高，大規(guī)模集成電路的性能就越好．
根據(jù)上述信息回答以下問(wèn)題：
①?gòu)姆椒ㄒ簧a(chǎn)單晶硅的過(guò)程看，由碳還原得到的硅為何還要進(jìn)一步處理？由C還原SiO2得到的單質(zhì)硅不純
②寫(xiě)出方法二中，生產(chǎn)高純硅的兩個(gè)化學(xué)反應(yīng)方程式：
I4HCl+Mg2Si═2MgCl2+SiH4↑．IISiH4$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+2H2．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

19．工業(yè)上電解飽和食鹽水制氯氣和實(shí)驗(yàn)室用MnO2與濃鹽酸反應(yīng)制氯氣，相同的原理是（　　）
A．都是將負(fù)價(jià)的氯轉(zhuǎn)變?yōu)榱銉r(jià)的氯B．都是將正價(jià)的氯轉(zhuǎn)變?yōu)榱銉r(jià)的氯
C．都是復(fù)分解反應(yīng)D．都是置換反應(yīng)

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

20．下列說(shuō)法中，不符合ⅦA族元素性質(zhì)特征的是（　　）
A．易形成-1價(jià)離子B．從上到下原子半徑逐漸減小
C．從上到下單質(zhì)的氧化性逐漸減弱D．從上到下氫化物的穩(wěn)定性依次減弱

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