已知CsCl晶體的密度為ρg/cm3，NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，相鄰的兩個Cs＋的核間距為acm(如右圖所示)，則CsCl的相對分子質(zhì)量可表示為
A．B．
C．D．NA·a3·ρ
D
根據(jù)氯化銫的晶胞可知，該晶胞中含有8個氯離子和銫離子，所以有
，解得M＝NA·a3·ρ，所以答案選D。
練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

下列指定粒子的個數(shù)比為2∶1的是(　　)
A．Be2＋中的電子和質(zhì)子
B．Na2O2中的陽離子和陰離子
C．NaHCO3晶體中的陽離子和陰離子
D．BaO2(過氧化鋇)固體中的陰離子和陽離子

查看答案和解析>>

科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

1995年美國Lagow教授報道，他制得了碳的第四種同素異形體——鏈式炔碳：，該物質(zhì)的一個分子中含有300～500個碳原子，性質(zhì)很活潑。下列關(guān)于該鏈式炔碳的熔點判斷正確的是（　　）
A．比石墨高B．比石墨低
C．低于石墨而高于金剛石D．無法判斷

查看答案和解析>>

科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

（15分）氮化硅是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，硬度大、耐磨損。利用SiO2和C的混合粉末在N2的氣氛中加熱至1300℃反應制得。請回答下列問題：
（1）已知氮化硅的晶體結(jié)構(gòu)中，原子間都以單鍵相連，且N原子和N原子，Si原子與Si原子不直接相連，同時每個原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則氮化硅的化學式____，晶體類型是   ；
（2）基態(tài)Si原子的電子排布式為_________；Si和C相比，電負性較大的是_________，
（3）在SiO2晶體結(jié)構(gòu)中，O－Si－O的鍵角是_______，Si原子和周圍的四個O原子組成的空間構(gòu)型為           ，SiO2中Si的雜化類型_______；
（4）氮化硅抗腐蝕能力強，一般不與其他無機酸反應，但能和氫氟酸反應生成硅酸。試寫出該反應的化學方程式                            。
（5）晶體硅的晶胞如圖所示，則每個晶體硅的晶胞中含有     個硅原子。

查看答案和解析>>

科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

下列敘述正確的是（ ）
A 固體時能導電的晶體一定為金屬晶體
B 電負性差值小于1.7的A、B兩種元素，組成的化合物也可能為離子化合物
C 某晶體難溶于水、熔點高、固態(tài)不導電，熔化時導電，可判斷該晶體為離子晶體
D 由原子構(gòu)成的晶體均具有熔沸點高、硬度大的特性

查看答案和解析>>

科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

有一種藍色晶體[可表示為：MFey(CN)6]，經(jīng)X射線研究發(fā)現(xiàn)，它的結(jié)構(gòu)特征是Fe3+ 和Fe2+互相占據(jù)立方體互不相鄰的頂點，而CN－位于立方體的棱上。其晶體中陰離子的最小結(jié)構(gòu)單元如右圖所示。下列說法正確的是（  ）
A．該晶體的化學式為MFe2(CN)6
B．該晶體屬于離子晶體，M呈+1價
C．該晶體屬于離子晶體，M呈+2價
D．晶體中與每個Fe3+距離最近且等距離的CN－為3個

查看答案和解析>>

科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

(10分)某離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，試求：
(1)晶體中每一個Y同時吸引著______個X，每個X同時吸引著________個Y，該晶體的化學式是________。
(2)晶體中在每個X周圍與它最接近且距離相等的X共有______個。
(3)設該晶體的摩爾質(zhì)量為M g·mol－1，晶胞密度為ρ g·cm－3，阿伏加德羅常數(shù)為NA·mol－1，則晶體中兩個最近的X中心間距離為________ cm。

查看答案和解析>>

科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

下列物質(zhì)呈固態(tài)時必定屬于分子晶體的是(　　)
A．非金屬氧化物B．金屬氧化物C．非金屬單質(zhì)D．常溫下呈氣態(tài)的物質(zhì)

查看答案和解析>>

科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

四氯化硅的結(jié)構(gòu)與四氯化碳類似，對其性質(zhì)的推斷如下：
①四氯化硅晶體是分子晶體；②通常情況下為液態(tài)，③熔點高于四氯化碳；
④屬于正四面體的分子構(gòu)型，⑤極性鍵結(jié)合的非極性分子。
其中正確的是(　　)
A．僅有①B．僅有①④⑤C．僅有②③④D．①②③④⑤

查看答案和解析>>

同步練習冊答案