下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是

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A．最小的環(huán)上，有3個(gè)Si原子和3個(gè)O原子
B．最小的環(huán)上，Si和O原子數(shù)之比為1:2
C．最小的環(huán)上，有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子
D．存在四面體結(jié)構(gòu)單元，O處于中心，Si處于4個(gè)頂角
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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2010?湖北）下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是（　�。�

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是（　�。�

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是

A．存在四面體結(jié)構(gòu)單元，O處于中心，Si處于4個(gè)頂角

B．最小的環(huán)上，有3個(gè)Si原子和3個(gè)O原子

C．最小的環(huán)上，Si和O原子數(shù)之比為1：2

D．最小的環(huán)上，有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子

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科目：高中化學(xué) 來源：2010-2011學(xué)年黑龍江省雞西市高三第二次模擬考試化學(xué)試卷 題型：選擇題

下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是

A．存在四面體結(jié)構(gòu)單元，O處于中心，Si處于4個(gè)頂角

B．最小的環(huán)上，有3個(gè)Si原子和3個(gè)O原子

C．最小的環(huán)上，Si和O原子數(shù)之比為1：2

D．最小的環(huán)上，有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子

 

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科目：高中化學(xué) 來源：2012屆福建省高二3月月考化學(xué)試卷 題型：選擇題

下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是

A．存在四面體結(jié)構(gòu)單元，O處于中心，Si處于4個(gè)頂角

B．最小的環(huán)上，有3個(gè)Si原子和3個(gè)O原子

C．最小的環(huán)上，Si和O原子數(shù)之比為1：2

D．最小的環(huán)上，有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子

 

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