(2013山東臨沂一模)(15分)碳是形成化合物種類最多的元素。
(1)CH2CH—C≡N是制備腈綸的原料,其分子中σ鍵和π鍵的個數(shù)之比為    (填最簡整數(shù)比),寫出該分子中所有碳原子的雜化方式    。 
(2)乙醇(CH3CH2OH)與二甲醚(CH3OCH3)的分子式均為C2H6O,但CH3CH2OH的沸點高于CH3OCH3的沸點,其原因是                     。 
(3)某元素位于第四周期Ⅷ族,其基態(tài)原子的未成對電子數(shù)與基態(tài)碳原子的未成對電子數(shù)相同,則其基態(tài)原子的價層電子排布式為    。 
(4)碳化硅的結(jié)構(gòu)與金剛石類似,其硬度僅次于金剛石,具有較強(qiáng)的耐磨性能,右圖所示的碳化硅的晶胞(其中為碳原子,為硅原子)。每個碳原子周圍與其距離最近的硅原子有    個。設(shè)晶胞邊長為a cm,密度為b g/cm3,則阿伏加德羅常數(shù)可表示為 (用含a、b的式子表示)。 
(1)3∶1(2分) sp3、sp(2分)
(2)乙醇中分子間能形成氫鍵,甲醚不能形成氫鍵,導(dǎo)致乙醇的沸點高于甲醚(3分)
(3)3d84s2(2分)。4)4(2分) NA=/mol。4分)
(1)單鍵是σ鍵,雙鍵中一個是σ鍵,一個是π鍵,三鍵中一個是σ鍵,兩個是π鍵,所以σ鍵和π鍵的個數(shù)之比為6∶3=2∶1,從左邊開始判斷,第一、二個碳原子都含有三個σ鍵,采取sp2雜化,第三個碳原子含有兩個σ鍵,采取sp雜化。
(2)乙醇中分子間能形成氫鍵,甲醚不能形成氫鍵,導(dǎo)致乙醇的沸點高于甲醚。
(3)基態(tài)碳原子的未成對電子數(shù)是2,位于第四周期Ⅷ族,其基態(tài)原子的未成對電子數(shù)與基態(tài)碳原子的未成對電子數(shù)相同的元素是Ni元素,其基態(tài)原子的價層電子排布式為3d84s2。
(4)根據(jù)圖像知,每個碳原子周圍有四個硅原子;該晶胞中含有的碳原子個數(shù)=8×+6×=4,硅原子個數(shù)=4,密度為b g/cm3==,NA=/mol。
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

下表為長式周期表的一部分,其中的編號代表對應(yīng)的元素。

(1)元素③基態(tài)原子的電子排布式為        。
(2)②與⑦形成的化合物的空間構(gòu)型為      。
(3)元素②④⑤⑥的第一電離能由大到小的順序是      (填元素符號)
(4)在測定①與⑥形成化合物的相對分子質(zhì)量時,實驗測得的值一般高于理論值的主要原因            。
(5)膽礬CuSO4·5H2O可寫成[Cu(H2O)4]SO4·H2O,其結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法正確的是       

a.在上述結(jié)構(gòu)示意圖中,所有氧原子都采用sp3雜化
b.在上述結(jié)構(gòu)示意圖中,存在配位鍵、共價鍵和離子鍵
c.膽礬是分子晶體,分子間存在氫鍵
d.膽礬中的水在不同溫度下會分步失去
(6)往硫酸銅溶液中加入過量氨水,可生成[Cu(NH3)4]2+配離子。已知NF3與NH3的空間構(gòu)型都是三角錐形,但NF3不易與Cu2+形成配離子,其原因是         。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于42。X元素原子的4p軌道上有3個未成對電子,Y元素原子的最外層2p軌道上有2個未成對電子。X跟Y可形成化合物X2Y3,Z元素可以形成負(fù)一價離子。請回答下列問題:
(1)X元素原子基態(tài)時的電子排布式為       ,該元素的符號是       。
(2)Y元素原子的電子排布圖為       ,元素X與Y的電負(fù)性比較:X       Y(填“>”或“<”)。
(3)X與Z可形成化合物XZ3,該化合物的空間構(gòu)型為       。
(4)由元素X與鎵元素組成的化合物A為第三代半導(dǎo)體。已知化合物A的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。(黑球位于立方體內(nèi),白球位于立方體頂點和面心)

請寫出化合物A的化學(xué)式       ;化合物A可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃下反應(yīng)制得,反應(yīng)的化學(xué)方程式為                   。
(5)已知(CH3)3Ga為非極性分子,則其中鎵原子的雜化方式為           。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

Q、R、X、Y、Z為周期表中原子序數(shù)依次遞增的前四周期元素。已知:
①Q(mào)為元素周期表中原子半徑最小的元素;
②R的基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的能級,且每種能級中的電子總數(shù)相同;
③Y的基態(tài)原子的核外成對電子數(shù)是未成對電子數(shù)的3倍;
④Q、R、Y三種元素組成的一種化合物M是新裝修居室中常含有的一種有害氣體,Q、R兩種元素組成的原子個數(shù)比為1:1的化合物N的質(zhì)荷比最大值為78;
⑤Z有“生物金屬”之稱,Z4+離子和氬原子的核外電子排布相同。
請回答下列問題(答題時,Q、R、X、Y、Z用所對應(yīng)的元素符號表示)
(1)化合物M的空間構(gòu)型為        ,其中心原子采取   雜化;化合物N在固態(tài)時的晶體類型為           。
(2)R、X、Y三種元素的第一電離能由小到大的順序為                。
(3)由上述一種或多種元素組成的與RY2互為等電子體的分子為         (寫分子式)。
(4)Z原子基態(tài)時的外圍電子排布式為     ;Z的一種含氧酸鋇鹽的晶胞 結(jié)構(gòu)如圖所示,晶體內(nèi)與每個Z原子等距離且最近的氧原子數(shù)為   。

(5)由R、X、Y三種元素組成的RXY-離子在酸性條件下可與NaClO溶液反應(yīng),生成X2、RY2等物質(zhì)。該反應(yīng)的離子方程式為    。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于48。X是有機(jī)物主要組成元素。X的一種1∶1型氣態(tài)氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵。Z是金屬元素,Z的核電荷數(shù)小于28,且次外層有2個未成對電子。
(1)X在該氫化物中以    方式雜化。X和Y形成的化合物的熔點應(yīng)該    (填“高于”或“低于”)X氫化物的熔點。 
(2)Y在周期表中位于            ;Z4+的核外電子排布式為    。 
(3)工業(yè)上利用ZO2和碳酸鋇在熔融狀態(tài)下制取化合物M(M可看作一種含氧酸鹽)。經(jīng)X射線分析,M晶體的最小重復(fù)單位為正方體(如圖),邊長為4.03×10-10 m,頂點位置為Z4+所占,體心位置為Ba2+所占,所有棱心位置為O2-所占。

①制備M的化學(xué)反應(yīng)方程式是            (Z用元素符號表示)。 
②在M晶體中,Ba2+的氧配位數(shù)(Ba2+周圍等距且最近的O2-的數(shù)目)為    。 
③晶體M密度的計算式為ρ=          (Z相對原子質(zhì)量為48)。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

碳、氫、氟、氮、硅等非金屬元素與人類的生產(chǎn)生活息息相關(guān);卮鹣铝袉栴}。
(1)寫出硅原子的電子排布式________。C、Si、N的電負(fù)性由大到小的順序是________。
(2)氟化氫水溶液中存在的氫鍵有________種。

(3)科學(xué)家把C60和K摻雜在一起制造了一種富勒烯與鉀的化合物,該物質(zhì)在低溫時是一種超導(dǎo)體,其晶胞如圖所示,該物質(zhì)中K原子和C60分子的個數(shù)比為________。
(4)繼C60后,科學(xué)家又合成了Si60、N60。請解釋如下現(xiàn)象:熔點Si60>N60>C60,而破壞分子所需要的能量N60>C60>Si60,其原因是________________________。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

[物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]碳是形成化合物種類最多的元素。
(1)CH2=CH—C≡N是制備腈綸的原料,其分子中σ鍵和π鍵的個數(shù)之比為________(填最簡整數(shù)比),寫出該分子中所有碳原子的雜化方式:________________。
(2)乙醇(CH3CH2OH)和二甲醚(CH3OCH3)的分子式均為C2H6O,但CH3CH2OH的沸點高于CH3OCH3的沸點,其原因是_______________________________。
(3)某元素位于第四周期Ⅷ族,其基態(tài)原子的未成對電子數(shù)與基態(tài)碳原子的未成對電子數(shù)相同,則其基態(tài)原子的價層電子排布式為________________。
(4)碳化硅的結(jié)構(gòu)與金剛石類似,其硬度僅次于金剛石,具有較強(qiáng)的耐磨性能。如圖所示為碳化硅的晶胞(其中為碳原子,為硅原子)。每個碳原子周圍與其距離最近的硅原子有________個。設(shè)晶胞邊長為a cm,密度為b g·cm-3,則阿伏加德羅常數(shù)可表示為________(用含a、b的式子表示)。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:
(1)S單質(zhì)的常見形式為S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是______;

(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為______;
(3)Se原子序數(shù)為______,其核外M層電子的排布式為______;
(4)H2Se的酸性比H2S__________(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為______平面三角形,SO32離子的立體構(gòu)型為______三角錐形;
(5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×10-2,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:
①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因:                   ;第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子;
②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因:______;
(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,其晶胞邊長為540.0 pm,密度為____________(列式并計算),a位置S2離子與b位置Zn2離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

氫能的存儲是氫能應(yīng)用的主要瓶頸,目前所采用或正在研究的主要儲氫材料有:配位氫化物、富氫載體化合物、碳質(zhì)材料、金屬氫化物等。
(1)Ti(BH42是一種過渡元素硼氫化物儲氫材料。
①Ti2+基態(tài)的電子排布式可表示為           。
②BH4的空間構(gòu)型是        (用文字描述)。
(2)液氨是富氫物質(zhì),是氫能的理想載體,利用N2+3H22NH3實現(xiàn)儲氫和輸氫。下列說法正確的是       (多項選擇)。
a.NH3分子中N原子采用sp3雜化
b.相同壓強(qiáng)時,NH3沸點比PH3
c.[Cu(NH3)4]2+離子中,N原子是配位原子
d.CN的電子式為:
(3)2008年,Yoon等人發(fā)現(xiàn)Ca與C60生成的Ca32C60能大量吸附H2分子。

①C60晶體易溶于苯、CS2,說明C60        分子(選填:“極性”、“非極性”);
②1mol C60分子中,含有σ鍵數(shù)目為         。
(4)MgH2是金屬氫化物儲氫材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,已知該晶體的密度ag·cm-3,則晶胞的體積為   cm3[用a、NA表示阿伏加德羅常數(shù)]。

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同步練習(xí)冊答案