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實現下列變化時，需克服相同類型作用力的是
A．二氧化硅和干冰的熔化B．液溴和鈉的氣化
C．食鹽和冰的熔化D．純堿和燒堿的熔化
D
二氧化硅是原子晶體，熔化克服的是共價鍵，干冰、液溴、冰形成的晶體都是分子晶體，熔化克服的是分子間作用力。氯化鈉、純堿和燒堿形成的都是離子晶體，熔化克服的是離子鍵，鈉形成的晶體是金屬晶體，熔化克服的是金屬鍵，所以正確的答案選D。
練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

已知C3N4晶體很可能具有比金剛石更大的硬度，且原子間均以單鍵結合，下列關于C3N4晶體的說法正確的是                       
A．C3N4晶體是分子晶體
B．C3N4晶體中，C-N鍵的鍵長比金剛石中的C-C鍵的鍵長要長
C．C3N4晶體中每個C原子連接4個N原子，而每個N原子連接3個C原子
D．C3N4晶體中微粒間通過離子鍵結合

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

下列物質的熔、沸點高低順序中，正確的是
A．金剛石＞晶體硅＞二氧化硅＞碳化硅B．CI4＞CBr4＞CCl4＞CH4
C．MgO＞O2＞N2＞H2OD．金剛石＞生鐵＞純鐵＞鈉

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

現有四種晶體，其離子排列方式如圖所示，其中化學式不屬于AB型的是

A              B               C                D

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

（10分）
（1）下圖表示一些晶體的結構（晶胞），其中代表干冰的是          ；

（2）MgO晶胞空間構型與NaCl晶體相同，MgO晶體中Mg2＋的配位數為________。與同個Mg2＋等距且最近的O2－圍成的空間幾何構型是　　　　　　。MgO晶體熔點高于NaCl晶體，原因是　　　　　　　　　　          　　　　　　　　；
（3）若C、D代表某種元素中的兩種同分異構體，C中原子的雜化類型是　　　　，屬于　　　晶體。D中原子的雜化類型是　　　　，D能導電的原因是　                          　；
（4）原子晶體能否形成最密堆積結構？　 ，原因是                   ；
(5)偏鈦酸鋇的熱穩(wěn)定性好，介電常數高，在小型變壓器、話筒和擴音器中都有應用。偏鈦酸鋇晶體中晶胞的結構示意圖如下圖，它的化學式是    　　　。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

（12分）已知：G、Q、R、T、X、Y、Z都是周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數依次增大。G的簡單陰離子最外層有2個電子，Q原子最外層電子數是內層電子數的兩倍，X元素最外層電子數與最內層電子數相同；T2R的晶體類型是離子晶體，Y原子基態(tài)3p原子軌道上有2個未成對電子，其單質晶體類型屬于原子晶體；在元素周期表中Z元素位于第10列。
回答下列問題：
⑴Z的核外電子排布式是     。
⑵X以及與X左右相鄰的兩種元素，其第一電離能由小到大的順序為     。
⑶QR2分子中，Q原子采取     雜化，寫出與QR2互為等電子體的一種分子的化學式：     。
⑷分子式為Q2G6R的物質有兩種，其中一種易溶于水，原因是     ；T的氯化物的熔點比Y的氯化物的熔點高，原因是     。
⑸據報道，由Q、X、Z三種元素形成的一種晶體具有超導性，其晶體結構如圖所示。晶體中距每個X原子周圍距離最近的Q原子有     個。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

有資料表明，只有釙的晶體中的原子具有如圖所示的堆積方式，釙的外圍電子排布式是6s26p4。下列關于該元素的說法不正確的是（  ）

A 上圖的堆積方式空間利用率太低，金屬極少采取這種堆積方式               
B 釙晶體中原子的配位數為6
C 釙基態(tài)原子的能層數=周期序數=價電子數
D 釙的常見化合價為+4、+6、-2價

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

如下圖所示，是一種晶體的晶胞，該離子晶體的化學式為（   ）
A．ABCB．ABC3 C．AB2C3D．AB3C3

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

下列敘述正確的是
A．分子晶體中只存在分子間作用力，不含有其他化學鍵
B．在單質的晶體中一定不存在離子鍵
C．任何晶體中，若含有陽離子也一定含有陰離子
D．金屬在常溫下都以晶體形式存在

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