單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料�?茖W(xué)家預(yù)計(jì),到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為:    
① SiO2 + 2C Si + 2CO     ② Si + 2Cl2SiCl4  ③ SiCl4 + 2H2Si + 4HCl。
回答下列問題:
(1)上述反應(yīng)中,屬于氧化還原反應(yīng)的是           (填序號)。
(2)反應(yīng)①和③屬于           。
A.化合反應(yīng)      B.分解反應(yīng)       C.置換反應(yīng)      D.復(fù)分解反應(yīng)
(3)下列描述正確的是         。
A.氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)
B.判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降
C.化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)         
D.復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

(1) ①②③  (2) C   (3)  B

解析試題分析:(1)凡是有元素化合價(jià)升降的反應(yīng)是氧化還原反應(yīng),因此只要有單質(zhì)參加或生成的反應(yīng)都氧化還原反應(yīng),據(jù)此可知①②③都是氧化還原。
(2)一種單質(zhì)和一種化合物反應(yīng)生成另外一種單質(zhì)和另外一種化合物的反應(yīng)是置換反應(yīng),據(jù)此可知①和③屬于置換反應(yīng),②是化合反應(yīng),答案選C。
(3)氧化還原反應(yīng)不一定都是置換反應(yīng),但置換反應(yīng)都是氧化還原反應(yīng),A不正確;凡是有元素化合價(jià)升降的反應(yīng)是氧化還原反應(yīng),B正確;有單質(zhì)參加的化合反應(yīng)是氧化還原反應(yīng),C不正確;復(fù)分解反應(yīng)都不是氧化還原反應(yīng),D不正確,答案選B。
考點(diǎn):考查氧化還原反應(yīng)的判斷以及與基本反應(yīng)類型的關(guān)系
點(diǎn)評:該題是基礎(chǔ)性試題的考查,也是高考中的常見考點(diǎn)。試題基礎(chǔ)性強(qiáng),側(cè)重對學(xué)生基礎(chǔ)知識(shí)的鞏固和訓(xùn)練,有利于培養(yǎng)學(xué)生的邏輯推理能力。該題的關(guān)鍵是準(zhǔn)確判斷出有關(guān)元素的化合價(jià)變化情況,然后結(jié)合氧化還原反應(yīng)的含義以及判斷依據(jù)靈活運(yùn)用即可。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.科學(xué)家預(yù)計(jì),到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對硅的純度要求很高.用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為:①SiO2+2C 
 高溫 
.
 
Si+2CO     ②Si+2Cl2
 點(diǎn)燃 
.
 
SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HCl.回答下列問題:
(1)上述反應(yīng)中,屬于氧化還原反應(yīng)的是
①②③
①②③
(填序號).
(2)反應(yīng)①和③屬于
C
C

A.化合反應(yīng)      B.分解反應(yīng)       C.置換反應(yīng)      D.復(fù)分解反應(yīng)
(3)下列描述正確的是
B
B

A.氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)
B.判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是否有化合價(jià)的升降
C.化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)          D.復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng).
闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柟闂寸绾惧綊鏌i幋锝呅撻柛銈呭閺屾盯骞橀懠顒夋М闂佹悶鍔嶇换鍐Φ閸曨垰鍐€妞ゆ劦婢€缁墎绱撴担鎻掍壕婵犮垼娉涢鍕崲閸℃稒鐓忛柛顐g箖閸f椽鏌涢敐鍛础缂佽鲸甯¢幃鈺呮濞戞帗鐎伴梻浣告惈閻ジ宕伴弽顓犲祦闁硅揪绠戠粻娑㈡⒒閸喓鈯曟い鏂垮濮婄粯鎷呴崨濠傛殘婵烇絽娲﹀浠嬫晲閻愭潙绶為柟閭﹀劦閿曞倹鐓曢柡鍥ュ妼閻忕姵淇婇锝忚€块柡灞剧洴閳ワ箓骞嬪┑鍥╀壕缂傚倷绀侀鍛崲閹版澘鐓橀柟杈鹃檮閸婄兘鏌ょ喊鍗炲闁告柨鎲$换娑氣偓娑欋缚閻倕霉濠婂簼绨绘い鏇稻缁绘繂顫濋鐔割仧闂備胶绮灙閻忓繑鐟╁畷鎰版倷閻戞ǚ鎷洪柣搴℃贡婵敻濡撮崘鈺€绻嗛柣鎰綑濞搭喗顨ラ悙宸剱妞わ妇澧楅幆鏃堟晲閸ラ搴婇梻鍌欒兌缁垶宕濋敃鍌氱婵炲棙鎸哥粈澶愭煏閸繃顥撳ù婊勭矋閵囧嫰骞樼捄鐩掋垽鏌涘Ο铏规憼妞ゃ劊鍎甸幃娆撳箵閹烘挻顔勯梺鍓х帛閻楃娀寮诲☉妯锋闁告鍋為悘鍫熺箾鐎电ǹ顎岄柛娆忓暙椤繘鎼归崷顓狅紲濠殿喗顨呭Λ娆撴偩閸洘鈷戠紓浣癸供濞堟棃鏌ㄩ弴銊ら偗闁绘侗鍠涚粻娑樷槈濞嗘垵濮搁柣搴$畭閸庡崬螞瀹€鍕婵炲樊浜濋埛鎴︽煕濞戞﹫鍔熺紒鐘虫崌閹顫濋悡搴$睄闂佽桨绀佺粔鐟邦嚕椤曗偓瀹曟帒饪伴崪鍐簥闂傚倷绀侀幖顐ゆ偖椤愶箑纾块柟鎯板Г閸嬧晜绻涘顔荤凹闁绘挻绋戦湁闁挎繂鎳忛幉鎼佸极閸惊鏃堟偐闂堟稐绮跺┑鐐叉▕閸欏啴濡存笟鈧浠嬵敇閻愰潧骞愰梻浣告啞閸旀垿宕濆澶嬪€堕柛顐犲劜閸婄敻鎮峰▎蹇擃仾缂佲偓閸愨斂浜滈柕濞垮劵闊剚顨ラ悙璇ц含鐎殿喕绮欓、姗€鎮欓棃娑樼闂傚倷绀侀幉锟犲礉閹达箑绀夐幖娣妼绾惧綊鏌ㄩ悤鍌涘

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科目:高中化學(xué) 來源:2011-2012學(xué)年浙江省溫州市直六校協(xié)作體高一第一學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型:填空題

(6分)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料。科學(xué)家預(yù)計(jì),到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為:    ①SiO2 + 2C Si + 2CO    ②Si + 2Cl2SiCl4
③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl�;卮鹣铝袉栴}:
(1)上述反應(yīng)中,屬于氧化還原反應(yīng)的是           (填序號)。
(2)反應(yīng)①和③屬于           。
A.化合反應(yīng)      B.分解反應(yīng)       C.置換反應(yīng)      D.復(fù)分解反應(yīng)
(3)下列描述正確的是         。
A.氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)
B.判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降
C.化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)          D.復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柟闂寸绾惧綊鏌i幋锝呅撻柛銈呭閺屾盯骞橀懠顒夋М闂佹悶鍔嶇换鍐Φ閸曨垰鍐€妞ゆ劦婢€缁墎绱撴担鎻掍壕婵犮垼娉涢鍕崲閸℃稒鐓忛柛顐g箖閸f椽鏌涢敐鍛础缂佽鲸甯¢幃鈺呮濞戞帗鐎伴梻浣告惈閻ジ宕伴弽顓犲祦闁硅揪绠戠粻娑㈡⒒閸喓鈯曟い鏂垮濮婄粯鎷呴崨濠傛殘婵烇絽娲﹀浠嬫晲閻愭潙绶為柟閭﹀劦閿曞倹鐓曢柡鍥ュ妼閻忕姵淇婇锝忚€块柡灞剧洴閳ワ箓骞嬪┑鍥╀壕缂傚倷绀侀鍛崲閹版澘鐓橀柟杈鹃檮閸婄兘鏌ょ喊鍗炲闁告柨鎲$换娑氣偓娑欋缚閻倕霉濠婂簼绨绘い鏇稻缁绘繂顫濋鐔割仧闂備胶绮灙閻忓繑鐟╁畷鎰版倷閻戞ǚ鎷洪柣搴℃贡婵敻濡撮崘鈺€绻嗛柣鎰綑濞搭喗顨ラ悙宸剱妞わ妇澧楅幆鏃堟晲閸ラ搴婇梻鍌欒兌缁垶宕濋敃鍌氱婵炲棙鎸哥粈澶愭煏閸繃顥撳ù婊勭矋閵囧嫰骞樼捄鐩掋垽鏌涘Ο铏规憼妞ゃ劊鍎甸幃娆撳箵閹烘挻顔勯梺鍓х帛閻楃娀寮诲☉妯锋闁告鍋為悘鍫熺箾鐎电ǹ顎岄柛娆忓暙椤繘鎼归崷顓狅紲濠殿喗顨呭Λ娆撴偩閸洘鈷戠紓浣癸供濞堟棃鏌ㄩ弴銊ら偗闁绘侗鍠涚粻娑樷槈濞嗘垵濮搁柣搴$畭閸庡崬螞瀹€鍕婵炲樊浜濋埛鎴︽煕濞戞﹫鍔熺紒鐘虫崌閹顫濋悡搴$睄闂佽桨绀佺粔鐟邦嚕椤曗偓瀹曟帒饪伴崪鍐簥闂傚倷绀侀幖顐ゆ偖椤愶箑纾块柟鎯板Г閸嬧晜绻涘顔荤凹闁绘挻绋戦湁闁挎繂鎳忛幉鎼佸极閸惊鏃堟偐闂堟稐绮跺┑鐐叉▕閸欏啴濡存笟鈧浠嬵敇閻愰潧骞愰梻浣告啞閸旀垿宕濆澶嬪€堕柛顐犲劜閸婄敻鎮峰▎蹇擃仾缂佲偓閸愨斂浜滈柕濞垮劵闊剚顨ラ悙璇ц含鐎殿喕绮欓、姗€鎮欓棃娑樼闂傚倷绀侀幉锟犲礉閹达箑绀夐幖娣妼绾惧綊鏌ㄩ悤鍌涘

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科目:高中化學(xué) 來源:2014屆浙江省蒼南縣靈溪二高高一第一次月考化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料�?茖W(xué)家預(yù)計(jì),到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為:    

① SiO2 + 2C Si + 2CO     ② Si + 2Cl2SiCl4  ③ SiCl4 + 2H2Si + 4HCl。

回答下列問題:

(1)上述反應(yīng)中,屬于氧化還原反應(yīng)的是           (填序號)。

(2)反應(yīng)①和③屬于           。

A.化合反應(yīng)      B.分解反應(yīng)       C.置換反應(yīng)      D.復(fù)分解反應(yīng)

(3)下列描述正確的是         。

A.氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)

B.判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降

C.化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)         

D.復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

 

闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柟闂寸绾惧綊鏌i幋锝呅撻柛銈呭閺屾盯骞橀懠顒夋М闂佹悶鍔嶇换鍐Φ閸曨垰鍐€妞ゆ劦婢€缁墎绱撴担鎻掍壕婵犮垼娉涢鍕崲閸℃稒鐓忛柛顐g箖閸f椽鏌涢敐鍛础缂佽鲸甯¢幃鈺呮濞戞帗鐎伴梻浣告惈閻ジ宕伴弽顓犲祦闁硅揪绠戠粻娑㈡⒒閸喓鈯曟い鏂垮濮婄粯鎷呴崨濠傛殘婵烇絽娲﹀浠嬫晲閻愭潙绶為柟閭﹀劦閿曞倹鐓曢柡鍥ュ妼閻忕姵淇婇锝忚€块柡灞剧洴閳ワ箓骞嬪┑鍥╀壕缂傚倷绀侀鍛崲閹版澘鐓橀柟杈鹃檮閸婄兘鏌ょ喊鍗炲闁告柨鎲$换娑氣偓娑欋缚閻倕霉濠婂簼绨绘い鏇稻缁绘繂顫濋鐔割仧闂備胶绮灙閻忓繑鐟╁畷鎰版倷閻戞ǚ鎷洪柣搴℃贡婵敻濡撮崘鈺€绻嗛柣鎰綑濞搭喗顨ラ悙宸剱妞わ妇澧楅幆鏃堟晲閸ラ搴婇梻鍌欒兌缁垶宕濋敃鍌氱婵炲棙鎸哥粈澶愭煏閸繃顥撳ù婊勭矋閵囧嫰骞樼捄鐩掋垽鏌涘Ο铏规憼妞ゃ劊鍎甸幃娆撳箵閹烘挻顔勯梺鍓х帛閻楃娀寮诲☉妯锋闁告鍋為悘鍫熺箾鐎电ǹ顎岄柛娆忓暙椤繘鎼归崷顓狅紲濠殿喗顨呭Λ娆撴偩閸洘鈷戠紓浣癸供濞堟棃鏌ㄩ弴銊ら偗闁绘侗鍠涚粻娑樷槈濞嗘垵濮搁柣搴$畭閸庡崬螞瀹€鍕婵炲樊浜濋埛鎴︽煕濞戞﹫鍔熺紒鐘虫崌閹顫濋悡搴$睄闂佽桨绀佺粔鐟邦嚕椤曗偓瀹曟帒饪伴崪鍐簥闂傚倷绀侀幖顐ゆ偖椤愶箑纾块柟鎯板Г閸嬧晜绻涘顔荤凹闁绘挻绋戦湁闁挎繂鎳忛幉鎼佸极閸惊鏃堟偐闂堟稐绮跺┑鐐叉▕閸欏啴濡存笟鈧浠嬵敇閻愰潧骞愰梻浣告啞閸旀垿宕濆澶嬪€堕柛顐犲劜閸婄敻鎮峰▎蹇擃仾缂佲偓閸愨斂浜滈柕濞垮劵闊剚顨ラ悙璇ц含鐎殿喕绮欓、姗€鎮欓棃娑樼闂傚倷绀侀幉锟犲礉閹达箑绀夐幖娣妼绾惧綊鏌ㄩ悤鍌涘

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科目:高中化學(xué) 來源:2014屆廣東汕頭市高一第一學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料�?茖W(xué)家預(yù)計(jì),到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為 :

①SiO2 + 2C  Si + 2CO②Si + 2Cl2SiCl4       ③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl,

其中反應(yīng)①和③屬于(     )

A. 化合反應(yīng)      B. 分解反應(yīng)        C. 置換反應(yīng)         D. 復(fù)分解反應(yīng)

 

闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柟闂寸绾惧綊鏌i幋锝呅撻柛銈呭閺屾盯骞橀懠顒夋М闂佹悶鍔嶇换鍐Φ閸曨垰鍐€妞ゆ劦婢€缁墎绱撴担鎻掍壕婵犮垼娉涢鍕崲閸℃稒鐓忛柛顐g箖閸f椽鏌涢敐鍛础缂佽鲸甯¢幃鈺呮濞戞帗鐎伴梻浣告惈閻ジ宕伴弽顓犲祦闁硅揪绠戠粻娑㈡⒒閸喓鈯曟い鏂垮濮婄粯鎷呴崨濠傛殘婵烇絽娲﹀浠嬫晲閻愭潙绶為柟閭﹀劦閿曞倹鐓曢柡鍥ュ妼閻忕姵淇婇锝忚€块柡灞剧洴閳ワ箓骞嬪┑鍥╀壕缂傚倷绀侀鍛崲閹版澘鐓橀柟杈鹃檮閸婄兘鏌ょ喊鍗炲闁告柨鎲$换娑氣偓娑欋缚閻倕霉濠婂簼绨绘い鏇稻缁绘繂顫濋鐔割仧闂備胶绮灙閻忓繑鐟╁畷鎰版倷閻戞ǚ鎷洪柣搴℃贡婵敻濡撮崘鈺€绻嗛柣鎰綑濞搭喗顨ラ悙宸剱妞わ妇澧楅幆鏃堟晲閸ラ搴婇梻鍌欒兌缁垶宕濋敃鍌氱婵炲棙鎸哥粈澶愭煏閸繃顥撳ù婊勭矋閵囧嫰骞樼捄鐩掋垽鏌涘Ο铏规憼妞ゃ劊鍎甸幃娆撳箵閹烘挻顔勯梺鍓х帛閻楃娀寮诲☉妯锋闁告鍋為悘鍫熺箾鐎电ǹ顎岄柛娆忓暙椤繘鎼归崷顓狅紲濠殿喗顨呭Λ娆撴偩閸洘鈷戠紓浣癸供濞堟棃鏌ㄩ弴銊ら偗闁绘侗鍠涚粻娑樷槈濞嗘垵濮搁柣搴$畭閸庡崬螞瀹€鍕婵炲樊浜濋埛鎴︽煕濞戞﹫鍔熺紒鐘虫崌閹顫濋悡搴$睄闂佽桨绀佺粔鐟邦嚕椤曗偓瀹曟帒饪伴崪鍐簥闂傚倷绀侀幖顐ゆ偖椤愶箑纾块柟鎯板Г閸嬧晜绻涘顔荤凹闁绘挻绋戦湁闁挎繂鎳忛幉鎼佸极閸惊鏃堟偐闂堟稐绮跺┑鐐叉▕閸欏啴濡存笟鈧浠嬵敇閻愰潧骞愰梻浣告啞閸旀垿宕濆澶嬪€堕柛顐犲劜閸婄敻鎮峰▎蹇擃仾缂佲偓閸愨斂浜滈柕濞垮劵闊剚顨ラ悙璇ц含鐎殿喕绮欓、姗€鎮欓棃娑樼闂傚倷绀侀幉锟犲礉閹达箑绀夐幖娣妼绾惧綊鏌ㄩ悤鍌涘

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科目:高中化學(xué) 來源:2014屆浙江省溫州市直六校協(xié)作體高一第一學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型:填空題

(6分)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料�?茖W(xué)家預(yù)計(jì),到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為:     ①SiO2 + 2C  Si + 2CO     ②Si + 2Cl2SiCl4

③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl�;卮鹣铝袉栴}:

(1)上述反應(yīng)中,屬于氧化還原反應(yīng)的是            (填序號)。

(2)反應(yīng)①和③屬于            

A.化合反應(yīng)      B.分解反應(yīng)       C.置換反應(yīng)      D.復(fù)分解反應(yīng)

(3)下列描述正確的是          。

A.氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)

B.判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降

C.化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)          D.復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

 

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