A. | 元素的電負(fù)性:S>P | B. | 晶體的硬度:碳化硅<晶體硅 | ||
C. | 酸性:H3PO4<H3PO3 | D. | 熱分解溫度:CaCO3>BaCO3 |
分析 A.同一周期元素從左到右電負(fù)性逐漸增大;
B.影響原子晶體硬度大小的因素是共價鍵的鍵長;
C.酸的電離常數(shù)越大,該酸的酸性越強(qiáng);
D.晶格能越大,熱分解溫度越高,晶格能的主要影響因素是離子電荷,電荷越高,晶格能越大.其次就是離子半徑,離子越小,晶格能越大.
解答 解:A.S、P屬于同一周期,且原子序數(shù)逐漸增大,同一周期元素從左到右電負(fù)性逐漸增大,因此電負(fù)性S>P,故A正確;
B.原子半徑Si>C,兩者都為原子晶體,原子半徑越大,共價鍵的鍵能越小,則硬度越小,所以晶體的硬度:碳化硅>晶體硅,故B錯誤;
C.H3PO4電離常數(shù)K1=7.1×10-3,H3PO3電離常數(shù)K1=3.7×10-2,H3PO4的電離常數(shù)大,酸性強(qiáng),故C錯誤;
D.CaCO3、BaCO3離子電荷相同,Ca2+半徑小于Ba2+半徑,固體CaCO3晶格能大于BaCO3晶格能,所以熱分解溫度:CaCO3<BaCO3,故D錯誤;
故選A.
點(diǎn)評 本題考查電負(fù)性、晶體硬度、酸性強(qiáng)弱、離子晶體晶格能大小比較等知識,題目難度中等,注意D晶格能的主要影響因素是離子電荷,電荷越高,晶格能越大.其次就是離子半徑,離子越小,晶格能越大,為高頻考點(diǎn)、易錯點(diǎn).
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
IA | IIA | IIIA | IVA | VA | VIA | VIIA | 0 | |
2 | ① | ② | ||||||
3 | ③ | ④ | ⑤ | ⑥ | ⑦ | ⑧ | ⑨ | |
4 | ⑩ | ⑪ | ⑫ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 單質(zhì)硅是良好的半導(dǎo)體材料 | B. | 硅常溫時可以和強(qiáng)堿反應(yīng) | ||
C. | 二氧化硅廣泛存在于自然界 | D. | 硅酸是揮發(fā)性酸 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 原子半徑Y(jié)>Z>X>W(wǎng) | B. | 氫化物的穩(wěn)定性H2Y>HZ | ||
C. | 離子的氧化性aW3+>bX+ | D. | a+3<c-2 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | ①③④⑦ | B. | ②④⑥⑧ | C. | ③⑤⑦⑧ | D. | ③④⑥⑦ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 海帶中碘的提取實(shí)驗(yàn)中,將海帶灰溶于水,過濾后在濾液中加入CCl4即可萃取 | |
B. | 減壓過濾可以過濾膠狀沉淀或顆粒太小的沉淀 | |
C. | 可通過觀察硫代硫酸鈉溶液和硫酸反應(yīng)產(chǎn)生氣體的快慢來比較化學(xué)反應(yīng)速率的快慢 | |
D. | 在“鍍鋅鐵皮厚度測量”實(shí)驗(yàn)中,當(dāng)鋅在酸中完全溶解后,產(chǎn)生氫氣的速率會顯著減慢,可借此判斷鍍鋅鐵皮中鋅鍍層是否完全反應(yīng) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 在“阿司匹林的合成”實(shí)驗(yàn)中,把從鹽酸中析出的晶體進(jìn)行抽濾,用乙醇洗滌晶體1~2次,然后抽濾,將晶體轉(zhuǎn)移到表面皿上,干燥后稱其質(zhì)量,計(jì)算產(chǎn)率 | |
B. | 制備摩爾鹽時,最后在蒸發(fā)皿中蒸發(fā)濃縮溶液,加熱至液體表面出現(xiàn)晶膜為止,不能溶液全部蒸干 | |
C. | 晶體顆粒的大小與結(jié)晶條件有關(guān),溶質(zhì)的溶解度越小,或溶液的濃度越高,或溶劑的蒸發(fā)速度越快,析出的晶粒就越細(xì)大 | |
D. | 在“食醋總酸含量測定”實(shí)驗(yàn)中,將食醋稀釋10倍后再滴定是為了減少食醋的浪費(fèi) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 圖1中,A到B的過程中有0.005mol電子發(fā)生了轉(zhuǎn)移 | |
B. | 圖1整個過程中共生成0.18g水 | |
C. | 圖2三條曲線中,表示CuO和其中所含Cu元素質(zhì)量關(guān)系的曲線是A | |
D. | 圖1中A和B化學(xué)式分別為Cu2O和CuO |
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