Question

【題目】下表是元素周期表的一部分，表中所列的字母分別代表一種元素。

A

B

C

D

E

F

T

G

H

I

J

K

L

M

N

O

試回答下列問題（注意：每問中的字母代號為上表中的字母代號，并非為元素符號）

(1)N的單質(zhì)和水蒸氣反應(yīng)能生成固體X，則I的單質(zhì)與X反應(yīng)的化學(xué)方程式_______。

(2)D的氣態(tài)氫化物的VSEPR模型的名稱為_______。

(3)由A、C、D形成的ACD分子中，σ鍵和π鍵個數(shù)比= _______________。

(4)要證明太陽上是否含有R 元素，可采用的方法是__________________________。

(5)元素M的化合物(ME2L2)在有機合成中可作氧化劑或氯化劑，能與許多有機物反應(yīng)。回答問題：

①ME2L2常溫下為深紅色液體，能與CCl4、CS2等互溶，據(jù)此可判斷ME2L2是_________（填“極性”或“非極性”）分子。

②將N和O的單質(zhì)用導(dǎo)線連接后插入D的最高價氧化物對應(yīng)的水化物濃溶液中，可制成原電池，則組成負極材料的元素的外圍電子軌道表示式為______________________。

(6)往O2＋溶液中加入氨水，形成藍色沉淀，繼續(xù)加入氨水，難溶物溶解變成藍色透明溶液，寫出沉淀溶解的離子方程式_____。

(7)若F 、K兩種元素形成的化合物中中心原子的價電子全部參與成鍵，則該化合物的空間構(gòu)型的名稱為___。

(8)如圖四條折線分別表示ⅣA族、ⅤA族、ⅥA族、ⅦA族元素氣態(tài)氫化物沸點變化，則E的氫化物所在的折線是__（填m、n、x或y）。

(9)1183 K以下純N晶體的基本結(jié)構(gòu)單元如所示，1183 K以上轉(zhuǎn)變?yōu)?/span>所示結(jié)構(gòu)的基本結(jié)構(gòu)單元。在1183 K以下的晶體中，空間利用率為____；在1183 K以上的晶體中，與N原子等距離且最近的N原子數(shù)為____，晶體堆積方式的名稱為_____。

Answer 1

【答案】8Al+3Fe3O44Al2O3+9Fe 四面體 1：1 對太陽光進行光譜分析 非極性 Cu(OH)2+4NH3·H2O=[Cu(NH3)4]2+ + 2OH- + 4H2O 正八面體 m 或68% 12 面心立方最密堆積

【解析】

A為H，R為He，B為Li，C為C，D為N，E為O，F為F，T為Ne，G為Na，H為Mg，I為Al，J為Si，K為S，L為Cl，M為Cr，N為Fe，O為Cu。

(1)Fe的單質(zhì)和水蒸氣反應(yīng)能生成固體Fe3O4，則Al與Fe3O4反應(yīng)生成Fe和Al2O3，其化學(xué)方程式8Al+3Fe3O4 4Al2O3+9Fe；故答案為：8Al+3Fe3O4 4Al2O3+9Fe。

(2)D的氣態(tài)氫化物NH3的價層電子對數(shù)為，VSEPR模型的名稱為四面體形；故答案為：四面體形。

(3)由A、C、D形成的ACD分子HCN，其結(jié)構(gòu)為H—C≡N，σ鍵和π鍵個數(shù)比為1:1；故答案為：1:1。

(4)要證明太陽上是否含有He元素，可采用的方法是對太陽光進行光譜分析；故答案為：對太陽光進行光譜分析。

(5)①ME2L2常溫下為深紅色液體，能與CCl4、CS2等互溶，CCl4、CS2是非極性分子，根據(jù)相似相溶原理得出ME2L2是非極性分子；故答案為：非極性。

②將N和O的單質(zhì)用導(dǎo)線連接后插入D的最高價氧化物對應(yīng)的水化物濃溶液中，可制成Cu—Al—濃硝酸原電池，則組成負極材料是銅，其外圍電子軌道表示式為；故答案為：。

(6)往Cu2+溶液中加入氨水，形成藍色沉淀，繼續(xù)加入氨水，難溶物溶解變成藍色透明溶液，發(fā)生的是氫氧化銅和氨水反應(yīng)生成四氨合銅子、氫氧根和水，其沉淀溶解的離子方程式Cu(OH)2+4NH3·H2O=[Cu(NH3)4]2+ + 2OH－ + 4H2O；故答案為：Cu(OH)2+ 4NH3·H2O = [Cu(NH3)4]2+ + 2OH－ + 4H2O。

(7)若F、K兩種元素形成的化合物中中心原子的價電子全部參與成鍵則形成SF6，則該化合物的空間構(gòu)型的名稱為正八面體；故答案為：正八面體。

(8)如圖四條折線分別表示ⅣA族、ⅤA族、ⅥA族、ⅦA族元素氣態(tài)氫化物沸點變化，沸點最高的是H2O，因此m為H2O，n為HF，x為NH3，y為CH4，則E的氫化物為H2O，其所在的折線是m；故答案為：m。

(9)在1183 K以下的晶體中，則該晶體為體心立方，設(shè)原子半徑為r，根據(jù)體對角線為4r，則晶胞參數(shù)為，則空間利用率為；在1183 K以上的晶體中，晶體堆積方式為面心立方最密堆積，與N原子等距離且最近的N原子數(shù)為12；故答案為：或68%；12；面心立方最密堆積。