2010年上海世博會(huì)將實(shí)現(xiàn)環(huán)保世博、生態(tài)世博目標(biāo),下列做法中不符合這一目標(biāo)的( )
A.部分國(guó)家的展館使用可降解的建筑材料
B.把世博會(huì)期間產(chǎn)生的垃圾焚燒或深埋處理
C.某些館的外殼使用非晶硅薄膜,以充分利用太陽(yáng)能
D.停車場(chǎng)安裝了催化光解設(shè)施,用于處理汽車尾氣
【答案】分析:實(shí)現(xiàn)環(huán)保世博、生態(tài)世博目標(biāo),應(yīng)減少污染物的排放,充分利用太陽(yáng)能,減少資源的浪費(fèi)和損耗.
解答:解:A.使用可降解的建筑材料,可減少白色污染和建筑垃圾,符合目標(biāo),故A正確;
B.垃圾焚燒或深埋處理,會(huì)導(dǎo)致環(huán)境污染、破壞土壤結(jié)構(gòu),不符合目標(biāo),故B錯(cuò)誤;
C.充分利用太陽(yáng)能,可減少化石燃料的使用,節(jié)約資源,減少污染,符合目標(biāo),故C正確;
D.安裝了催化光解設(shè)施,用于處理汽車尾氣,可減少環(huán)境污染,符合目標(biāo),故D正確.
故選B.
點(diǎn)評(píng):本題考查三廢處理,題目難度不大,注意相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)的積累即可解答該題.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館,大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED品片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、lnGaN(氮化銦鎵)為主.已知鎵是鋁同族下一周期的元素.砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖.試回答:
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
[Ar]3d104s24p1
[Ar]3d104s24p1

(2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個(gè)數(shù)為
4
4
,與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體

(3)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
NH3>AsH3>PH3
NH3>AsH3>PH3
. (用氫化物分子式表示)
(4)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時(shí)制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2

(5)比較二者的第一電離能:As
Ga(填“<”、“>”或“=”).
(6)下列說(shuō)法正確的是
BCD
BCD
(填字母).
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同B.GaP與GaAs互為等電子體
C.電負(fù)性:As>Ga       D.砷化鎵晶體中含有配位鍵.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED晶片材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主.已知鎵是鋁同族下一周期的元素.砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖.試回答:
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
1s22s22p63d104s24p1
1s22s22p63d104s24p1

(2)比較二者的第一電離能:As
Ga(填“<”、“>”或“=”).
(3)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個(gè)數(shù)為
4
4
,與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體

(4)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時(shí)制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2

(5)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
NH3>AsH3>PH3
NH3>AsH3>PH3
.(用氫化物分子式表示)
(6)下列說(shuō)法正確的是
BCD
BCD
(填字母).
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同       B.GaP與GaAs互為等電子體
C.電負(fù)性:As>Ga                  D.砷化鎵晶體中含有配位鍵.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

2010年上海世博會(huì)主題是“城市,讓生活更美好”,下列有關(guān)世博會(huì)說(shuō)法錯(cuò)誤的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2011?南京模擬)2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館,大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED品片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主.砷化鎵的品胞結(jié)構(gòu)如圖.試回答:
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
ls22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1
ls22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1

(2)砷化鎵品胞中所包含的砷原子(白色球)個(gè)數(shù)為
4
4
,與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體

(3)下列說(shuō)法正確的是
BCDE
BCDE
(填字母).
A.砷化鎵品胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B.第一電離能:As>Ga
C.電負(fù)性:As>Ga
D.砷化鎵晶體中含有配位鍵
E.GaP與GaAs互為等電子體
(4)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
NH3>AsH3>PH3
NH3>AsH3>PH3

(5)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時(shí)制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2011?石景山區(qū)一模)2010年上海世博會(huì)的主題是“城市,讓生活更美好”.下列敘述中不正確的是(  )

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