下列熱化學(xué)方程式中,能直接表示出氯化鈉晶體晶格能的是(  )

A.Na+(g)+Cl-(g)===NaCl(s) ΔH

B.Na(s)+Cl2(g)===NaCl(s) ΔH1

C.Na(s)===Na(g)       ΔH2

D.Na(g)-e-===Na+(g)    ΔH3


A [1 mol氣態(tài)鈉離子和1 mol氣態(tài)氯離子結(jié)合生成1 mol氯化鈉晶體釋放出的熱能為氯化鈉晶體的晶格能。]


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


某課外活動(dòng)小組在學(xué)習(xí)CO的化學(xué)性質(zhì)時(shí),準(zhǔn)備做CO還原CuO的實(shí)驗(yàn)。下面是同學(xué)們?cè)O(shè)計(jì)的四套實(shí)驗(yàn)裝置圖。從安全和能源充分利用的角度來(lái)看,你認(rèn)為最理想的實(shí)驗(yàn)裝置是(   )

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


通常人們把拆開(kāi)1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(ΔH),化學(xué)反應(yīng)的ΔH等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵

Si—O

Si-Cl

H-H

H-Cl

Si-Si

Si-C

鍵能/kJ·mol-1

460

360

436

431

176

347

請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”)。

SiC________Si;SiCl4________SiO2。

(2)下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子,請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

(3)工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制取:

SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)

該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH=________kJ·mol-1。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


A、B、C、D分別代表四種不同的短周期元素。A元素的原子最外層電子排布為ns1,

B元素的原子價(jià)電子排布為ns2np2,C元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍,D元素原子的M電子層的p亞層中有1個(gè)電子。

(1)C原子的電子排布式為_(kāi)_______________________________________________,

若A元素的原子最外層電子排布為1s1,則按原子軌道的重疊方式,A與C形成的化合

物中的共價(jià)鍵屬于________鍵。

(2)當(dāng)n=2時(shí),B的原子結(jié)構(gòu)示意圖為_(kāi)_________,B與C形成的化合物晶體屬于____________晶體。當(dāng)n=3時(shí),B與C形成的化合物的晶體中微粒間的作用力是_____。

(3)

若D元素與Fe形成某種晶體,該晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則晶體的化學(xué)式是___(用元素符號(hào)表示);若晶胞的邊長(zhǎng)為a nm,則合金的密度為_(kāi)_____________g·cm-3。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


NaF、NaI、MgO晶體均為離子晶體,根據(jù)下列數(shù)據(jù),這三種晶體的熔點(diǎn)高低順序是(  )

物質(zhì)

①NaF

②NaI

③MgO

離子電荷數(shù)

1

1

2

離子間距離/10-10m

2.31

3.18

2.10

A.①>②>③              B.③>①>②

C.③>②>①             D.②>①>③

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


A、B為兩種短周期元素,A的原子序數(shù)大于B,且B原子的最外層電子數(shù)為A原

子最外層電子數(shù)的3倍。A、B形成的化合物是中學(xué)化學(xué)常見(jiàn)的化合物,該化合物熔融

時(shí)能導(dǎo)電。試回答下列問(wèn)題:

(1)A、B的元素符號(hào)分別是________、________。

(2)用電子式表示A、B元素形成化合物的過(guò)程:_____________________________

________________________________________________________________________。

(3)A、B所形成的化合物的晶體結(jié)構(gòu)與氯化鈉晶體結(jié)構(gòu)相似,則每個(gè)陽(yáng)離子周圍吸引了

________個(gè)陰離子;晶體中陰、陽(yáng)離子數(shù)之比為_(kāi)_________。

(4)A、B所形成化合物的晶體的熔點(diǎn)比NaF晶體的熔點(diǎn)________,其判斷的理由是

________________________________________________________________________________________________________________________________________________。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


下列指定微粒的個(gè)數(shù)比為2∶1的是(  )

A.Be2+離子中的質(zhì)子和電子

B.H原子中的中子和質(zhì)子

C.NaHCO3晶體中的陽(yáng)離子和陰離子

D.BaO2(過(guò)氧化鋇)固體中的陰離子和陽(yáng)離子

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


離子晶體一般不具有的特征是(  )

A.熔點(diǎn)較高、硬度較大

B.易溶于水而難溶于有機(jī)溶劑

C.干燥時(shí)不能導(dǎo)電

D.離子間距離較大,其密度較小

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:


據(jù)某科學(xué)雜志報(bào)道,國(guó)外有一研究機(jī)構(gòu)發(fā)現(xiàn)了一種新的球形分子,它的分子式為C60Si60,其分子結(jié)構(gòu)酷似中國(guó)傳統(tǒng)工藝“鏤雕”,經(jīng)測(cè)定其中包含C60,并且也有Si60結(jié)構(gòu),下列敘述不正確的是(  )

A.該物質(zhì)有很高的熔點(diǎn),很大的硬度

B.該物質(zhì)形成的晶體屬于分子晶體

C.該物質(zhì)分子中C60被包裹在Si60里面

D.該物質(zhì)的相對(duì)分子質(zhì)量為2 400

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