A.Mg>Al B.Mg<Al
C.Mg=Al D.無法比較
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
族 周期 |
IA | IIA | IIIA | IVA | VA | VIA | VIIA | 0 |
2 | ① | ② | ③ | |||||
3 | ④ | ⑤ | ⑥ |
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科目:高中化學(xué) 來源:2013-2014學(xué)年江西省景德鎮(zhèn)市高三第二次質(zhì)檢理綜化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
決定物質(zhì)性質(zhì)的重要因素是物質(zhì)結(jié)構(gòu)。請(qǐng)回答下列問題。
(1)下圖是石墨的結(jié)構(gòu),其晶體中存在的作用力有??????? (填序號(hào))
Aσ鍵;Bπ鍵;C氫鍵;D配位鍵;E分子間作用力;F金屬鍵;G離子鍵
(2)下面關(guān)于晶體的說法不正確的是___________
A.晶體熔點(diǎn)由低到高:CF4<CCl4<CBr4<CI4??
B.硬度由大到。航饎偸>碳化硅>晶體硅
C.熔點(diǎn)由高到低:Na>Mg>Al???????????????
D.晶格能由大到。NaF> NaCl> NaBr>NaI
(3)CaF2結(jié)構(gòu)如圖Ⅰ所示,Cu形成晶體的結(jié)構(gòu)如Ⅲ所示,Ⅱ為H3BO3晶體結(jié)構(gòu)圖(層狀結(jié)構(gòu),層內(nèi)的H3BO3分子通過氫鍵結(jié)合)?
?
圖Ⅰ????????????????????????? 圖Ⅱ???????????????????? 圖Ⅲ
① 圖I所示的晶體中與Ca2+離子最近且等距離的Ca2+離子數(shù)為???????????? ,
圖III中未標(biāo)號(hào)的Cu原子形成晶體后周圍最緊鄰的Cu原子數(shù)為?????????????? ;
②H3BO3晶體中B原子雜化方式______ ;
③三種晶體中熔點(diǎn)高低的順序?yàn)?/span>?????????????????? (填化學(xué)式),H3BO3晶體受熱熔化時(shí),克服的微粒之間的相互作用為?????????????????
(4) 碳的某種單質(zhì)的晶胞如圖所示,一個(gè)晶胞中有_____個(gè)碳原子;若該晶體的密度為ρ g/cm3,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則晶體中最近的兩個(gè)碳原子之間的距離為_??? ____cm(用代數(shù)式表示)
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科目:高中化學(xué) 來源:2013-2014學(xué)年湖北省高三上學(xué)期12月月考化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
決定物質(zhì)性質(zhì)的重要因素是物質(zhì)結(jié)構(gòu)。請(qǐng)回答下列問題。
(1)下圖是石墨的結(jié)構(gòu),其晶體中存在的作用力有 (填序號(hào))
A:σ鍵 B:π鍵 C:氫鍵 D:配位鍵 E:分子間作用力 F:金屬鍵 G:離子鍵
(2) 下面關(guān)于晶體的說法不正確的是___________
A.晶體熔點(diǎn)由低到高:CF4<CCl4<CBr4<CI4
B.硬度由大到。航饎偸>碳化硅>晶體硅
C.熔點(diǎn)由高到低:Na>Mg>Al
D.晶格能由大到。篘aF> NaCl> NaBr>NaI
(3)CaF2結(jié)構(gòu)如圖Ⅰ所示,Cu形成晶體的結(jié)構(gòu)如Ⅲ所示,Ⅱ?yàn)镠3BO3晶體結(jié)構(gòu)圖(層狀結(jié)構(gòu),層內(nèi)的H3BO3分子通過氫鍵結(jié)合)
圖Ⅰ 圖Ⅱ 圖Ⅲ
① 圖I所示的晶體中與Ca2+離子最近且等距離的Ca2+離子數(shù)為 ,
圖III中未標(biāo)號(hào)的Cu原子形成晶體后周圍最緊鄰的Cu原子數(shù)為 ;
② H3BO3晶體中B原子雜化方式______ ; CNO-的形狀為____________;
③ 三種晶體中熔點(diǎn)高低的順序?yàn)?u> (填空化學(xué)式),
H3BO3晶體受熱熔化時(shí),克服的微粒之間的相互作用為
(4) 碳的某種單質(zhì)的晶胞如右圖所示,一個(gè)晶胞中有_____個(gè)碳原子;若該晶體的密度為ρ g/cm3,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則晶體中最近的兩個(gè)碳原子之間的距離為_ ____cm(用代數(shù)式表示)
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
決定物質(zhì)性質(zhì)的重要因素是物質(zhì)結(jié)構(gòu)。請(qǐng)回答下列問題。
(1)下圖是石墨的結(jié)構(gòu),其晶體中存在的作用力有 (填序號(hào))
A:σ鍵 B:π鍵 C:氫鍵 D:配位鍵 E:分子間作用力 F:金屬鍵 G:離子鍵
(2) 下面關(guān)于晶體的說法不正確的是___________
A.晶體熔點(diǎn)由低到高:CF4<CCl4<CBr4<CI4
B.硬度由大到。航饎偸>碳化硅>晶體硅
C.熔點(diǎn)由高到低:Na>Mg>Al
D.晶格能由大到。篘aF> NaCl> NaBr>NaI
(3)CaF2結(jié)構(gòu)如圖Ⅰ所示,Cu形成晶體的結(jié)構(gòu)如Ⅲ所示,Ⅱ?yàn)镠3BO3晶體結(jié)構(gòu)圖(層狀結(jié)構(gòu),層內(nèi)的H3BO3分子通過氫鍵結(jié)合)
圖Ⅰ 圖Ⅱ 圖Ⅲ
① 圖I所示的晶體中與Ca2+離子最近且等距離的Ca2+離子數(shù)為 ,
圖III中未標(biāo)號(hào)的Cu原子形成晶體后周圍最緊鄰的Cu原子數(shù)為 ;
② H3BO3晶體中B原子雜化方式______ ; CNO-的形狀為____________;
③ 三種晶體中熔點(diǎn)高低的順序?yàn)?u> (填空化學(xué)式),
H3BO3晶體受熱熔化時(shí),克服的微粒之間的相互作用為
(4) 碳的某種單質(zhì)的晶胞如右圖所示,一個(gè)晶胞中有_____個(gè)碳原子;若該晶體的密度為ρ g/cm3,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則晶體中最近的兩個(gè)碳原子之間的距離為_ ____cm(用代數(shù)式表示)
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