硅是重要的半導體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ);卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號       ,該能層具有的原子軌道數(shù)為      、電子數(shù)為         
(2)硅主要以硅酸鹽、       等化合物的形式存在于地殼中。
(3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以        相結(jié)合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻       個原子。
(4)單質(zhì)硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4CI在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,該反應(yīng)的化學方程式為              。
(5)碳和硅的有關(guān)化學鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關(guān)事實:
化學鍵
C-C
C-H
C-O
Si-Si
Si-H
Si-O
鍵能(KJ/mol)
356
413
336
226
318
452
①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多,原因是                。
②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是                       。
(6)在硅酸鹽中,SiO44四面體(如下圖a)通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖b為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根;其中Si原子的雜化形式為            。Si與O的原子數(shù)之比為       化學式為   
(1)M;9;4 (2)二氧化硅; (3)共價鍵;3
(4)Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2
(5)①硅烷中的Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能小于烷烴分子中C-C鍵和C-H鍵的鍵能,穩(wěn)定性差,易斷裂,導致長鏈硅烷難以形成,所以硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多。
②由于鍵能越大,物質(zhì)越穩(wěn)定,C-H鍵的鍵能大于C-O鍵的鍵能,故C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定;而Si-H鍵的鍵能卻遠小于Si-O鍵的鍵能,所以Si-H鍵不穩(wěn)定,而傾向于形成穩(wěn)定性更強的Si-O鍵,即更易生成氧化物。
(6)sp3;1:3;[SiO3]n2n(或SiO32)
(1)基態(tài)Si原子中,有14個電子,核外電子排布式為1s22s22p63s23p2,電子占據(jù)的最高能層符號為M。該能層具有的原子軌道數(shù)為1個s軌道,3個p軌道,5個d軌道。
(2)硅主要以硅酸鹽、二氧化硅等化合物的形式存在于地殼中。
(3)單質(zhì)硅存在與金剛石都屬于原子晶體,其中原子與原子之間以共價鍵相結(jié)合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻為6×1/2=3個原子。
(4)Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,該反應(yīng)的化學方程式為Mg2Si + 4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2
(5)①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多,原因是①C—C鍵和C—H鍵較強,所形成的烷烴穩(wěn)定。而硅烷中Si—Si鍵和Si—H鍵的鍵能較低,易斷裂,導致長鏈硅烷難以生成。②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是C—H鍵的鍵能大于C—O鍵,C—H鍵比C—O鍵穩(wěn)定。而Si—H鍵的鍵能卻遠小于Si—O鍵,所以Si—H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強的Si—O鍵。
(6)中心原子Si原子的雜化形式為sp3,Si與O的原子數(shù)之比為1∶3,化學式為[SiO3]n2n-(或SiO32-)。
練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

硫酸銨在強熱條件下分解:4(NH42SO4=6NH3↑+N2↑+3SO2↑+SO3↑+7H2O若將生成的氣體通入氯化鋇溶液中,得到的沉淀物是( 。
A.BaSO3和BaSO4B.BaS
C.BaSO3D.BaSO4

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

下列反應(yīng)中硝酸既能表現(xiàn)出酸性又表現(xiàn)出氧化性的是( 。
A.使石蕊試液變紅
B.與銅反應(yīng)生成Cu(NO32和NO氣體
C.與Na2CO3反應(yīng)放出CO2氣體生成NaNO3
D.與S單質(zhì)混合共熱時生成H2SO4和NO2

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

下列說法正確的是
A.混合物的分離是依據(jù)混合物中各組分性質(zhì)的差異進行的,元素分析儀、紅外光譜儀、原子吸收光譜儀等均是分離物質(zhì)的常用儀器。
B.道爾頓、湯姆生、盧瑟福、玻爾、阿伏加德羅等科學家在原子結(jié)構(gòu)的認識上作出了重大貢獻,他們主要采用的是定量研究和實驗研究的方法。
C.煤和石油的綜合利用中煤的氣化、煤的液化和石油的分餾是物理變化,石油的裂化和裂解、煤的干餾是化學變化
D.某些鋁硅酸鹽形成的分子篩中有許多籠狀空穴和通道,常用于分離、提純氣體或液體混合物,還可作干燥劑、離子交換劑、催化劑及催化劑載體等

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:實驗題

(2014屆四川省眉山市高三第一次診斷性考試化學試卷)
根據(jù)Mg能在CO2中燃燒,某興趣小組推測Na應(yīng)該也能在CO2中燃燒,且固體產(chǎn)物可能為C、Na2O和Na2CO3中的兩種或三種。該小組用如下圖裝置進行了實驗探究。已知PdCl2能被CO還原得到黑色的Pd。

回答下列問題:
(1)為了使反應(yīng)隨開隨用,隨關(guān)隨停,上圖虛線方框內(nèi)應(yīng)選用    裝置(填下圖字母代號),如何檢驗所選裝置的氣密性     

(2)裝置2中所盛試劑為       。
A.NaOH溶液             B.飽和NaHCO3溶液
C.飽和Na2CO3溶液        D.飽和NaCl溶液
(3)檢測裝置的氣密性完好并裝好藥品后,在點燃酒精燈前應(yīng)先進行裝置1中的反應(yīng)操作,待觀察到     現(xiàn)象時,再點燃酒精燈,這步操作的目的是        
(4)由實驗現(xiàn)象和進一步的探究得出反應(yīng)機理。
A.裝置6中有黑色沉淀生成;
B.取反應(yīng)后直玻管中的固體物質(zhì)23.0g溶于足量的水中,無氣泡產(chǎn)生且得到澄清的溶液;將溶液加水稀釋配成250 mL的溶液;
C.取25.00ml步驟B的溶液,滴加足量BaCl2溶液,將生成的白色沉淀過濾、洗滌、干燥,稱量得固體質(zhì)量為1.97g。
①步驟C中不溶物干燥前必須經(jīng)過洗滌,如何檢驗該沉淀是否洗滌干凈    。
②該探究得出鈉與二氧化碳反應(yīng)的化學方程式為                   。

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:實驗題

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用炭在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度450~500℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息:①四氯化硅遇水極易水解;②SiCl4沸點為57.7℃,熔點為-70.0℃。請回答:
(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                                          。
(2)裝置C中的試劑是             ;裝置F的作用是                            ;
裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是                                            。
(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中含有鐵元素,為了分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預(yù)處理,使鐵元素還原成Fe2,再用KMnO4標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定。
①反應(yīng)的離子方程式:                                                       。
②滴定前是否要滴加指示劑?    (填“是”或“否”),請說明理由                  
③滴定前檢驗Fe3是否被完全還原的實驗操作是                                 。

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

下列關(guān)于SiO2和CO2的敘述中不正確的是(  )。
A.都是共價化合物
B.SiO2可用于制光導纖維,干冰可用于人工降雨
C.都能溶于水且與水反應(yīng)生成相應(yīng)的酸
D.都是酸性氧化物,都能與強堿溶液反應(yīng)

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

氯氣用途十分廣泛,可用于生產(chǎn)半導體材料硅,其生產(chǎn)的流程如下,下列說法不正確的是(  )
A.①③是置換反應(yīng),②是化合反應(yīng)
B.高溫下,焦炭與氫氣的還原性均強于硅的
C.任一反應(yīng)中,每消耗或生成28 g硅,均轉(zhuǎn)移4 mol電子
D.高溫下將石英砂、焦炭、氯氣、氫氣按一定比例混合可得高純硅

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:實驗題

為了證明一氧化碳具有還原性,有人設(shè)計了下列實驗:

(1)裝置B中最適宜的試劑是___________________________________________。
(2)裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學方程式是___________________________________。
(3)必須用裝置C吸收除去氣體中水蒸氣的理由是_________________________。
(4)若根據(jù)F中石灰水變渾濁的現(xiàn)象也能確定CO具有還原性,應(yīng)在上圖中裝置______與______之間連接下列裝置中的______(填序號)。

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