A.0 B.1 C.2 D.3
科目:高中化學 來源:河北省衡水中學2012屆高三第四次調(diào)研考試化學試題 題型:022
(Ⅰ)多項選擇題
下列說法中正確的是________.
A.丙烯分子中有8個σ鍵,1個π鍵
B.在SiO2晶體中,1個Si原子和2個O原子形成2個共價鍵
C.NF3的沸點比NH3的沸點低得多,是因為NH3分子間有氫鍵,NF3只有范德華力
D.NCl3和BC13分子中,中心原子都采用 sp3雜化
E.SO3與CO32-互為等電子體,SO3是極性分子
(Ⅱ)人類在使用金屬的歷史進程中,經(jīng)歷了銅、鐵、鋁之后,第四種將被廣泛應(yīng)用的金屬被科學家預(yù)測是鈦(Ti),它被譽為“未來世紀的金屬”.試回答下列問題:
(1)Ti元素在元素周期表中的位置是第________周期第________族;其基態(tài)原子的電子排布式為________.
(2)在Ti的化合物中,可以呈現(xiàn)+2、+3、+4三種化合價,其中以+4價的Ti最為穩(wěn)定.偏鈦酸鋇的熱穩(wěn)定性好,介電常數(shù)高,在小型變壓器、話筒和擴音器中都有應(yīng)用.偏鈦酸鋇晶體中晶胞的結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示,它的化學式是________,其中Ti4+的氧配位數(shù)為________,Ba2+的氧配位數(shù)為________.
(3)常溫下的TiCl4是有刺激性臭味的無色透明液體,熔點-23.2℃,沸點136.2℃,所以TiCl4是________晶體.
(4)已知Ti3+可形成配位數(shù)為6的配合物,其空間構(gòu)型為正八面體,如下圖1所示,我們通?梢杂孟聢D2所示的方法來表示其空間構(gòu)型(其中A表示配體,M表示中心原子).配位化合物[Co(NH3)4Cl2]的空間構(gòu)型也為八面體型,它有________種同分異構(gòu)體.
(Ⅲ)(1)已知過氧化氫分子的空間結(jié)構(gòu)如下圖所示,分子中氧原子采取________雜化.(2)R是1~36號元素中未成對電子數(shù)最多的原子.R3+在溶液中存在如下轉(zhuǎn)化關(guān)系:
R3+R(OH)3[R(OH)4]-
①基態(tài)R原子的價電子排布式為________;
②[R(OH)4]-中存在的化學鍵是________.
A.離子鍵
B.極性鍵
C.非極性鍵
D.配位鍵
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科目:高中化學 來源: 題型:
(13分)短周期中五種元素A、B、C、D、E原子序數(shù)依次增大,其中A、B、C原子核外電子層數(shù)之和是5,且C原子最外層上的電子數(shù)為A和B兩元素原子最外電子層上電子數(shù)的總和,C原子的價電子構(gòu)型為,A原子的最外層電子數(shù)等于其電子層數(shù)。D和E可以形成原子個數(shù)比為1:1和1:2的兩種離子化合物,且D原子的2p能級上有兩個未成對電子,試回答下列問題:
(1)B、C、D、E四種元素的原子,半徑從大到小的順序是 (填元素符號或化學式,下同);第一電離能從大到小的順序是
(2)C原子的電子排布圖_____________,D2-的結(jié)構(gòu)示意圖___________。A、D可形成多種化合物,其中一種是氧化劑,其水溶液有弱酸性,寫出該化合物的結(jié)構(gòu)式________________,分子中含有_____________________鍵(填“極性”或“非極性”,下同)是__________分子。
(3) A、B、D三種元素可以形成多種有機化合物分子,其中最簡單原子數(shù)最少的一種是室內(nèi)裝潢時形成的主要氣體污染物。試寫出它的電子式_ _,根據(jù)價層電子對互斥(VSEPR)理論推測該分子中心原子的雜化方式為 雜化,空間構(gòu)型為__ 。
(4) C和E形成一種離子化合物Y,其摩爾質(zhì)量為65g/mol,Y受熱或撞擊時立即分解為兩種單質(zhì)。則Y的化學式為 ,Y的陰離子是一種弱酸根離子,全由C元素組成,Y與鹽酸反應(yīng)的離子方程式為 。
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科目:高中化學 來源:2013-2014學年東北三省三校高三第一次聯(lián)合模擬考試理綜化學試卷(解析版) 題型:填空題
A、B、C、D、E、F六種元素的原子序數(shù)依次增大。A的最高正價和最低負價的絕對值相等。B的基態(tài)原子有3個不同的能級且各能級中電子數(shù)相等。D的基態(tài)原子與B的基態(tài)原子的未成對電子數(shù)目相同,E的基態(tài)原子的s能級的電子總數(shù)與p能級的電子數(shù)相等,F(xiàn)的基態(tài)原子的3d軌道電子數(shù)是4s電子數(shù)的4倍。請回答下列問題:
(1)F的基態(tài)原了價電子排布式為 。
(2)B、C、D、E的原子的第一電離能由小到大的順序為 。(用元素符號回答)
(3)下列關(guān)于B2A2分子和A2D2分子的說法正確的是
A.分子中都含有σ鍵和π鍵
B.中心原子都sp雜化
C.都是含極性鍵和非極性鍵的非極性分子
D.互為等電子體
E.B2A2分子的沸點明顯低于A2D2分子
(4)F2+能與BD分子形成[F(BD)4]2+,其原因是BD分子中含有 。
(5)由B、E、F三種元素形成的一種具有超導(dǎo)性的晶體,晶胞如圖所示。B位于E和F原子緊密堆積所形成的空隙當中。與一個F原子距離最近的F原子的數(shù)目為 ,該晶體的化學式為 。若該晶體的相對分子質(zhì)量為M,阿伏加德羅常數(shù)為NA,B、E、F三種元素的原子半徑分別為r1pm、r2pm、r3pm,,則該晶體的密度表達式為 g·cm3。
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科目:高中化學 來源:2014屆四川省高二10月月考化學試卷(解析版) 題型:填空題
(每空2分 共16分) 20世紀50年代科學家提出價層電子對互斥模型(簡稱VSEPR模型),用于預(yù)測簡單分子立體結(jié)構(gòu)。其要點可以概括為:
Ⅰ、用AXnEm表示只含一個中心原子的分子組成,A為中心原子,X為與中心原子相結(jié)合的原子,E為中心原子最外層未參與成鍵的電子對(稱為孤對電子),(n+m)稱為價層電子對數(shù)。分子中的價層電子對總是互相排斥,均勻的分布在中心原子周圍的空間;
Ⅱ、分子的立體構(gòu)型是指分子中的原子在空間的排布,不包括中心原子未成鍵的孤對電子; Ⅲ、分子中價層電子對之間的斥力主要順序為: i、孤對電子之間的斥力>孤對電子對與共用電子對之間的斥力>共用電子對之間的斥力; ii、雙鍵與雙鍵之間的斥力>雙鍵與單鍵之間的斥力>單鍵與單鍵之間的斥力; iii、X原子得電子能力越弱,A-X形成的共用電子對之間的斥力越強; iv、其他。
請仔細閱讀上述材料,回答下列問題:
(1)根據(jù)要點I可以畫出AXnEm的VSEPR理想模型,請?zhí)顚懴卤恚?/p>
n+m |
2 |
|
VSEPR理想模型 |
|
正四面體 |
價層電子對之間的理想鍵角 |
|
109°28′ |
(2)請用VSEPR模型解釋CO2為直線型分子的原因 。
(3) H2O分子的立體構(gòu)型為: ,請你預(yù)測水分子中∠H-O-H的大小范圍為 ,原因是 。
(4) SO2Cl2和SO2F2都屬AX4E0型分子,S=O之間以雙鍵結(jié)合,S-Cl、S-F之間以單鍵結(jié)合。請你預(yù)測 SO2Cl2和SO2F2分子的立體構(gòu)型: 。
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科目:高中化學 來源:2011-2012年四川省成都市六校協(xié)作體高二上學期期中考試化學試卷 題型:填空題
(13分)短周期中五種元素A、B、C、D、E原子序數(shù)依次增大,其中A、B、C原子核外電子層數(shù)之和是5,且C原子最外層上的電子數(shù)為A和B兩元素原子最外電子層上電子數(shù)的總和,C原子的價電子構(gòu)型為,A原子的最外層電子數(shù)等于其電子層數(shù)。D和E可以形成原子個數(shù)比為1:1和1:2的兩種離子化合物,且D原子的2p能級上有兩個未成對電子,試回答下列問題:
(1)B、C、D、E四種元素的原子,半徑從大到小的順序是 (填元素符號或化學式,下同);第一電離能從大到小的順序是
(2)C原子的電子排布圖_____________,D2-的結(jié)構(gòu)示意圖___________。A、D可形成多種化合物,其中一種是氧化劑,其水溶液有弱酸性,寫出該化合物的結(jié)構(gòu)式________________,分子中含有_____________________鍵(填“極性”或“非極性”,下同)是__________分子。
(3) A、B、D三種元素可以形成多種有機化合物分子,其中最簡單原子數(shù)最少的一種是室內(nèi)裝潢時形成的主要氣體污染物。試寫出它的電子式_ _,根據(jù)價層電子對互斥(VSEPR)理論推測該分子中心原子的雜化方式為 雜化,空間構(gòu)型為__ 。
(4) C和E形成一種離子化合物Y,其摩爾質(zhì)量為65 g/mol,Y受熱或撞擊時立即分解為兩種單質(zhì)。則Y的化學式為 ,Y的陰離子是一種弱酸根離子,全由C元素組成,Y與鹽酸反應(yīng)的離子方程式為 。
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