Question

7．A、B、C、D、E屬于短周期元素，原子序數(shù)依次增大，已知A 與E同主族，B、C、D、E同周期，A與B可形成兩種離子化合物甲和乙，在甲中A、B 離子的電子層結(jié)構(gòu)相同；C的簡單離子半徑是同周期所有離子中最小的，高純度的D單質(zhì)可制造芯片；又知 C、D的單質(zhì)都能與強堿溶液反應(yīng)．
（1）寫出：AO       DSi（元素符號）
（2）寫出乙的化學(xué)式Na₂O₂，化合物乙所含化學(xué)鍵類型離子鍵、共價鍵
（3）E元素在周期表中的位置是第三周期第ⅥA族
（4）畫出B的原子結(jié)構(gòu)示意圖；
（5）C單質(zhì)與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式2Al+2OH^-+2H₂O=2AlO₂^-+3H₂↑；
（6）舉出C單質(zhì)在工業(yè)上的一種重要用途（必須用化學(xué)方程式表示）2Al+Fe₂O₃$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Al₂O₃+2Fe．

Answer 1

分析 A、B、C、D、E屬于短周期元素，原子序數(shù)依次增大，高純度的D單質(zhì)可制造芯片，C、D的單質(zhì)都能與強堿溶液反應(yīng)，C的簡單離子半徑是同周期所有離子中最小的，則D為Si，C為Al；B、C、D、E同周期，所以B、C、D、E在第三周期，A與B可形成兩種離子化合物甲和乙，A與E同主族，E的原子序數(shù)大于Si，且在甲中氧離子與鈉離子的電子層結(jié)構(gòu)相同，可推知A為氧，B為鈉，E為硫，甲為氧化鈉（Na₂O），乙為過氧化鈉（Na₂O₂ ），據(jù)此解答．

解答 解：A、B、C、D、E屬于短周期元素，原子序數(shù)依次增大，高純度的D單質(zhì)可制造芯片，C、D的單質(zhì)都能與強堿溶液反應(yīng)，C的簡單離子半徑是同周期所有離子中最小的，則D為Si，C為Al；B、C、D、E同周期，所以B、C、D、E在第三周期，A與B可形成兩種離子化合物甲和乙，A與E同主族，E的原子序數(shù)大于Si，且在甲中氧離子與鈉離子的電子層結(jié)構(gòu)相同，可推知A為氧，B為鈉，E為硫，甲為氧化鈉（Na₂O），乙為過氧化鈉（Na₂O₂ ）．
（1）由上述分析可知，A為O元素，D為Si元素，故答案為：O；Si；
（2）乙為Na₂O₂，含有離子鍵、共價鍵，故答案為：Na₂O₂；離子鍵、共價鍵；
（3）E為硫元素，有3個電子層，最外層有6個電子，處于第三周期第ⅥA族，故答案為：第三周期第ⅥA族；
（4）B為鈉，Na有3個電子層，最外層1個電子，原子結(jié)構(gòu)示意圖為：，故答案為：；
（5）Al與氫氧化鈉、水反應(yīng)生成偏鋁酸鈉和氫氣，離子反應(yīng)方程式為：2Al+2OH^-+2H₂O=2AlO₂^-+3H₂↑；
故答案為：2Al+2OH^-+2H₂O=2AlO₂^-+3H₂↑；
（6）Al在工業(yè)上常做還原劑，由于冶煉金屬，比如Al與氧化鐵反應(yīng)，化學(xué)反應(yīng)方程式為：2Al+Fe₂O₃$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Al₂O₃+2Fe，故答案為：2Al+Fe₂O₃$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Al₂O₃+2Fe．

點評 本題考查結(jié)構(gòu)性質(zhì)位置關(guān)系綜合應(yīng)用，涉及元素化合物推斷、核外電子排布、化學(xué)鍵、方程式書寫等，側(cè)重對基礎(chǔ)知識的鞏固．