四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法，有關反應的化學方程式為：SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
4HCl+Si下列說法不合理的是（　�。�
A．反應制得的硅可用于制造半導體材料
B．增大壓強有利于加快上述反應的化學反應速率
C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應制得
D．混入少量空氣對上述反應無影響
A．硅位于金屬與非金屬元素的交界處，硅具有金屬性和非金屬性，則反應制得的硅可用于制造半導體材料，故A正確；
B．該反應中有氣體參加反應，則增大壓強，化學反應速率增大，故B正確；
C．硅與氯氣能發(fā)生氧化還原反應，則四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應制得，故C正確；
D．硅能與氧氣反應生成二氧化硅，所以混入少量空氣對上述反應有影響，故D錯誤；
故選D．
練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法，有關反應的化學方程式為：SiCl4+2H2
 高溫 
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4HCl+Si下列說法不合理的是（　�。�

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科目：高中化學 來源： 題型：

四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法，有關反應的化學方程式為：SiCl4（g）+2H2（g）
 高溫 
.
 
Si（s）+4HCl（g）．下列說法合理的是（　　）
A、光導纖維的主要成分是硅單質(zhì)
B、減小壓強有利于加快化學反應速率
C、高溫下，氫氣的還原性強于硅
D、混入少量空氣對上述反應無影響

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科目：高中化學 來源：2012-2013學年黑龍江省牡丹江一中高二上學期期末化學試卷（帶解析） 題型：單選題

四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法，有關反應的化學方程式為：
SiCl4＋2H24HCl＋Si
下列說法不合理的是

A．反應制得的硅可用于制造半導體材料
B．增大壓強有利于加快上述反應的化學反應速率
C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應制得
D．混入少量空氣對上述反應無影響

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科目：高中化學 來源：2014屆黑龍江省高二上學期期末化學試卷（解析版） 題型：選擇題

四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法，有關反應的化學方程式為：

SiCl4＋2H24HCl＋Si

下列說法不合理的是

A．反應制得的硅可用于制造半導體材料

B．增大壓強有利于加快上述反應的化學反應速率

C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應制得

D．混入少量空氣對上述反應無影響

 

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科目：高中化學 來源：2012-2013學年黑龍江省牡丹江一中高二（上）期末化學試卷（解析版） 題型：選擇題

四氯化硅還原法是當前制備較高純度硅的一種方法，有關反應的化學方程式為：SiCl4+2H24HCl+Si下列說法不合理的是（ ）
A．反應制得的硅可用于制造半導體材料
B．增大壓強有利于加快上述反應的化學反應速率
C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應制得
D．混入少量空氣對上述反應無影響

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