研究物質(zhì)的性質(zhì)的基本程序一般可分為四個步驟，研究物質(zhì)的性質(zhì)的一般程序的第二步是

A．實(shí)驗(yàn)和觀察                           B．預(yù)測物質(zhì)的性質(zhì)

C．解釋及結(jié)論                           D．觀察物質(zhì)的外觀性質(zhì)

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：山東省東營市勝利第二中學(xué)2011屆高三上學(xué)期期中學(xué)段考試化學(xué)試題 題型：013

下列說法正確的是

[　　]

A．

研究物質(zhì)的性質(zhì)，常用觀察、實(shí)驗(yàn)、分類、比較等方法；研究物質(zhì)的結(jié)構(gòu)，常利用模型、假說等方法．

B．

“84”消毒液(NaClO溶液)的漂白原理與Na2O2、SO2相同

C．

硅是制取光導(dǎo)纖維的主要材料

D．

先開發(fā)資源再治理環(huán)境的發(fā)展理念符合可持續(xù)發(fā)展的基本國策

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科目：高中化學(xué) 來源：2015屆廣東省高一第一學(xué)期期末考試化學(xué)試卷B（解析版） 題型：選擇題

研究物質(zhì)的性質(zhì)的基本程序是一個系統(tǒng)過程，其基本程序一般分為四個過程。下列是研究物質(zhì)性質(zhì)的基本程序的第一步的是

A．預(yù)測物質(zhì)的性質(zhì)            B．觀察物質(zhì)的外觀狀態(tài)

C．進(jìn)行實(shí)驗(yàn)和觀察            D．作出相關(guān)的解釋和結(jié)論

 

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科目：高中化學(xué) 來源：2010年安徽省高一上學(xué)期第三次月考化學(xué)試卷 題型：選擇題

研究物質(zhì)的性質(zhì)的基本程序一般可分為四個步驟，研究物質(zhì)的性質(zhì)的一般程序的第二步是

A．實(shí)驗(yàn)和觀察                           B．預(yù)測物質(zhì)的性質(zhì)

C．解釋及結(jié)論                           D．觀察物質(zhì)的外觀性質(zhì)

 

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科目：高中化學(xué) 來源：漳州二模 題型：填空題

[化學(xué)---物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]研究物質(zhì)的微觀結(jié)構(gòu)，有助于人們理解物質(zhì)變化的本質(zhì)．請回答下列問題．
（1）P、S、Cl三種元素中，第一電離能最小的是______．
（2）PCl3和CH4中心原子的雜化類型相同，PCl3分子的空間構(gòu)型是______．
（3）鈦原子的電子排布式為______．在濃的TiCl3溶液中加入乙醚，并通入HCl至飽和，可得到配位數(shù)為6、組成為TiCl3?6H2O的綠色晶體，將1mol該物質(zhì)溶于水，加入足量硝酸銀溶液，立即產(chǎn)生1mol氯化銀沉淀，則該配合物陽離子的化學(xué)式為______，形成該離子時提供孤電子對的分子或離子是______（填化學(xué)式）．
（4）鐵元素在1183K以下形成的晶體的基本結(jié)構(gòu)單元如圖1所示，1183K以上轉(zhuǎn)變?yōu)閳D2所示結(jié)構(gòu)的基本結(jié)構(gòu)單元．兩種晶體的基本結(jié)構(gòu)單元中的原子個數(shù)之比為______．
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科目：高中化學(xué) 來源：2010年福建省漳州市高考化學(xué)二模試卷（解析版） 題型：填空題

[化學(xué)---物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]研究物質(zhì)的微觀結(jié)構(gòu)，有助于人們理解物質(zhì)變化的本質(zhì)．請回答下列問題．
（1）P、S、Cl三種元素中，第一電離能最小的是    ．
（2）PCl3和CH4中心原子的雜化類型相同，PCl3分子的空間構(gòu)型是    ．
（3）鈦原子的電子排布式為    ．在濃的TiCl3溶液中加入乙醚，并通入HCl至飽和，可得到配位數(shù)為6、組成為TiCl3?6H2O的綠色晶體，將1mol該物質(zhì)溶于水，加入足量硝酸銀溶液，立即產(chǎn)生1mol氯化銀沉淀，則該配合物陽離子的化學(xué)式為    ，形成該離子時提供孤電子對的分子或離子是    （填化學(xué)式）．
（4）鐵元素在1183K以下形成的晶體的基本結(jié)構(gòu)單元如圖1所示，1183K以上轉(zhuǎn)變?yōu)閳D2所示結(jié)構(gòu)的基本結(jié)構(gòu)單元．兩種晶體的基本結(jié)構(gòu)單元中的原子個數(shù)之比為    ．

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