Question

下列物質(zhì)的熔．沸點(diǎn)高低順序中，正確的是（　　）

• A、金剛石＞晶體硅＞二氧化硅＞碳化硅
• B、MgO＞O₂＞N₂＞H₂O
• C、CI₄＞CBr₄＞CCl₄＞CH₄
• D、金剛石＞生鐵＞純鐵＞鈉

Answer 1

考點(diǎn)：晶體熔沸點(diǎn)的比較

專題：化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)

分析：A、原子晶體組成元素的原子半徑越小，共價(jià)鍵鍵能越大，熔沸點(diǎn)越高；
B、離子晶體的熔沸點(diǎn)大于分子晶體，水中含有氫鍵，熔、沸點(diǎn)比氮?dú)�、氧氣的大�?br />C、分子晶體的相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子之間的作用力越強(qiáng)；
D、熔、沸點(diǎn)：原子晶體＞金屬晶體，合金的熔點(diǎn)比純金屬的低．

解答：解：A、原子半徑Si＞C＞O，原子晶體組成元素的原子半徑越小，共價(jià)鍵鍵能越大，熔沸點(diǎn)越高，應(yīng)為金剛石＞二氧化硅＞碳化硅＞晶體硅，故A錯(cuò)誤；
B、離子晶體的熔沸點(diǎn)大于分子晶體，水中含有氫鍵，熔、沸點(diǎn)比氮?dú)�、氧氣的大，則熔、沸點(diǎn)為MgO＞H₂0＞O₂＞N₂，故B錯(cuò)誤；
C、都為分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子之間的作用力越強(qiáng)，則熔沸點(diǎn)越高，則CI₄＞CBr₄＞CCl₄＞CF₄，故C正確；
D、熔、沸點(diǎn)：原子晶體＞金屬晶體，合金的熔點(diǎn)比純金屬的低，則熔沸點(diǎn)為金剛石＞純鐵＞生鐵＞鈉，故D錯(cuò)誤；
故選：C．

點(diǎn)評(píng)：本題考查晶體的熔沸點(diǎn)高低的比較，題目難度不大，注意晶體類型和影響晶體熔沸點(diǎn)高低因素的判斷．