分析 (1)Cu元素為29號元素,原子核外有29個電子,根據(jù)能量最低原理書寫核外電子排布式;原子軌道處于全空、半滿或全滿時最穩(wěn)定;
(2)硒、硅均能與氫元素形成氣態(tài)氫化物分別為H2Se、SiH4,其分子結(jié)構(gòu)分別與H2O,CH4相似;若“Si-H”中鍵合電子偏向氫原子,說明硅顯正價,氫氣與硒反應時單質(zhì)硒是氧化劑,硒顯負價;
(3)SeO2常溫下白色晶體,熔、沸點低,為分子晶體;根據(jù)價層電子對互斥理論計算雜化類型;
(4)BF3•NH3中B原子含有3個σ 鍵和1個配位鍵,所以其價層電子數(shù)是4,B原子采取sp3雜化,該化合物中,B原子提供空軌道的原子、N原子提供孤電子對;
(5)金剛砂(SiC)的硬度為9.5,屬于原子晶體;以頂點碳原子研究,與之最近的碳原子處于面心;根據(jù)均攤法計算晶胞中C、Si原子數(shù)目,用阿伏伽德羅常數(shù)表示出晶胞質(zhì)量,再根據(jù)ρ=$\frac{m}{V}$求算密度.
解答 解:(1)Cu元素為29號元素,原子核外有29個電子,所以核外電子排布式為:1s22s22p63s23p63d104s1,
CuO中銅的價層電子排布為3d94s0,Cu2O中銅的價層電子排布為3d10,3d10為穩(wěn)定結(jié)構(gòu),所以在高溫時,能生成Cu2O,即穩(wěn)定性是CuO<Cu2O,高溫時可以生成Cu2O,
故答案為:1s22s22p63s23p63d104s1;CuO中銅的價層電子排布為3d 94s0,Cu2O中銅的價層電子排布為3d10,后者處于穩(wěn)定的全充滿狀態(tài)而前者不是;
(2)硒、硅均能與氫元素形成氣態(tài)氫化物分別為H2Se,SiH4,其分子結(jié)構(gòu)分別V形,正四面體;若“Si-H”中鍵合電子偏向氫原子,說明硅顯正價,氫氣與硒反應時單質(zhì)硒是氧化劑,硒顯負價,所以硒與硅的電負性相對大小為Se>Si,
故答案為:V形、正四面體;>;
(3)SeO2常溫下白色晶體,熔、沸點低,為分子晶體,二氧化硒分子中價層電子對=2+$\frac{1}{2}$(6-2×2)=3,Se原子的雜化類型為sp2,
故答案為:分子晶體;sp2;
(4)BF3•NH3中B原子含有3個σ 鍵和1個配位鍵,所以其價層電子數(shù)是4,B原子采取sp3雜化,該化合物中,B原子提供空軌道的原子、N原子提供孤電子對,所以B、N原子之間形成配位鍵,
故答案為:sp3;配位;
(5)金剛砂(SiC)的硬度為9.5,屬于原子晶體,以頂點碳原子研究,與之最近的碳原子處于面心,所以每個C原子周圍最近的C原子數(shù)目為$\frac{3×8}{2}$=12,
該晶胞中C原子個數(shù)=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,Si原子個數(shù)為4,晶胞質(zhì)量為4×$\frac{28+12}{{N}_{A}}$g,晶胞邊長=a×10-10cm,體積V=(a×10-10cm)3,其密度=4×$\frac{28+12}{{N}_{A}}$g÷(a×10-10cm)3=$\frac{4×40}{{N}_{A}×(a×1{0}^{-10})^{3}}$g/cm3,
故答案為:原子;12;$\frac{4×40}{{N}_{A}×(a×1{0}^{-10})^{3}}$.
點評 本題是對物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的考查,涉及核外電子排布、電負性、空間構(gòu)型與雜化方式判斷、晶體類型與性質(zhì)、晶胞計算等,掌握均攤法進行晶胞的有關計算,需要學生具備扎實的基礎.
科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 取代反應 | B. | 氧化反應 | C. | 加成反應 | D. | 酯化反應 |
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科目:高中化學 來源: 題型:推斷題
X元素是宇宙中最豐富的元素 |
Y元素基態(tài)原子的核外p電子數(shù)比s電子數(shù)少1 |
Z元素被譽為“太空金屬”,也有“生物金屬”之稱,其基態(tài)原子次外層有2個未成對電子 |
R元素在元素周期表的第十一列 |
Q元素在周期表里與R元素在同一個分區(qū) |
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科目:高中化學 來源: 題型:推斷題
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科目:高中化學 來源: 題型:實驗題
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科目:高中化學 來源: 題型:實驗題
碳酸鹽 | MgCO3 | CaCO3 | BaCO3 | SrCO3 |
熱分解溫度/℃ | 402 | 900 | 1172 | 1360 |
陽離子半徑/pm | 66 | 99 | 112 | 135 |
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科目:高中化學 來源: 題型:推斷題
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