元素最高正化合價(jià)為+6，其負(fù)化合價(jià)為
 
．某元素R與氫形成的氣態(tài)氫化物的化學(xué)式為RH3，其最高價(jià)氧化物的化學(xué)式為
 
．
考點(diǎn)：元素周期律的作用
專題：元素周期律與元素周期表專題
分析：主族元素的最高正化合價(jià)+|負(fù)價(jià)|=8，據(jù)此計(jì)算．
解答： 解：已知元素最高正化合價(jià)為+6，則其負(fù)化合價(jià)為-2；某元素R與氫形成的氣態(tài)氫化物的化學(xué)式為RH3，則R的負(fù)價(jià)為-3，所以最高正化合價(jià)為+5，則其最高價(jià)氧化物的化學(xué)式為R2O5，
故答案為：-2；R2O5．
點(diǎn)評：本題考查了元素最高正化合價(jià)和負(fù)價(jià)的關(guān)系，題目比較簡單，依據(jù)最高正化合價(jià)+|負(fù)價(jià)|=8分析即可．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

某同學(xué)擬用“甲醛法”測定工業(yè)產(chǎn)品中氯化銨的純度（假定雜質(zhì)不與甲醛反應(yīng)）反應(yīng)為：4NH4Cl+6HCHO→（CH2）6N4+4HCl+6H2O，稱取1.5g該樣品溶于水，加入足量的甲醛并加水配成100mL溶液．從中取出10mL，滴入酚酞再用0.1mol/L的NaOH溶液滴定，到滴定終點(diǎn)時(shí)消耗NaOH溶液25.00mL，該樣品中氯化銨的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為（　　）
A、8.92%
B、89.2%
C、85.6%
D、92.3%

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

寫出下列有機(jī)物的結(jié)構(gòu)簡式：
（1）2，3，5一三甲基-4-乙基庚烷
 

（2）3，5-二甲基-3-庚烯
 

（3）3，4，4-三甲基-1-戊炔
 

（4）間甲基苯乙烯
 
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

在下列給定條件的溶液中一定能大量共存的離子組是（　�。�
A、飽和氯水中：Na+、SO32-、I-、Ca2+
B、澄清透明的溶液中：Cu2+、K+、NO3-、Cl-
C、c（Fe3+）=0.1 mol?L-1的溶液中：K+、Ba2+、SCN-、CO32-
D、常溫下水電離出的c（H+）?c（OH-）=10-26的溶液中：Na+、S2-、NH4+、NO3-

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（1）5.3g Na2CO3的物質(zhì)的量為
 
，將其配成500mL溶液，所得溶液中Na2CO3的物質(zhì)的量濃度為
 
．取出該溶液10mL，在取出的溶液中通入HCl氣體到不再產(chǎn)生氣泡為止，共消耗
 
mL HCl氣體（標(biāo)準(zhǔn)狀況）．
（2）V mL Al2（SO4）3溶液中，含有Al3+ m g，則溶液中SO42-的物質(zhì)的量濃度為
 
．（用含有m、V的式子表示）

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

等質(zhì)量的SO2和SO3，它們的物質(zhì)的量比為
 
，分子數(shù)比為
 
，原子數(shù)比為
 
，相同條件下體積比為
 
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

已知反應(yīng)：
①2K2CrO4+H2SO4=K2Cr2O7+K2SO4+H2O，
②K2Cr2O7+6FeSO4+7H2SO4=3Fe2（SO4）3+Cr2（SO4）3+K2SO4+7H2O，
③Fe2（SO4）3+2HI=2FeSO4+I2+H2SO4．
下列結(jié)論正確的是（　�。�
A、①②③均是氧化還原反應(yīng)
B、氧化性強(qiáng)弱順序是：K2Cr2O7＞Fe2（SO4）3＞I2
C、反應(yīng)②中氧化劑與還原劑的物質(zhì)的量之比為6：1
D、反應(yīng)③中0.1mol還原劑共失去電子數(shù)為1.2×1022

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

將某黑色固體A加熱至紅熱，放入熱的濃H2SO4中，反應(yīng)時(shí)放出的兩種氣體皆為酸性氧化物，反應(yīng)的化學(xué)方程式為
 
，此反應(yīng)證明濃H2SO4具有
 
性，若有a g A參加反應(yīng)，放出的氣體在標(biāo)況下占
 
L，轉(zhuǎn)移的電子的物質(zhì)的量是
 
；被還原H2SO4為
 
mol．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

2004年9月3日英國《自然》雜志報(bào)道，碳化硅是已知最硬的物質(zhì)之一，其單晶體可制作半導(dǎo)體材料．但正是由于它硬度高，熔化及鍛制的過程相當(dāng)費(fèi)勁，而且制成的晶片容易產(chǎn)生瑕疵，如雜質(zhì)、氣泡等，這些物質(zhì)會(huì)嚴(yán)重影響或削弱電流．因此，碳化硅一直無法被用來制造芯片．日本研究人員稱，他們找到了鍛制碳化硅晶體的新方法，使碳化硅晶片成本低、用途廣、性能更可靠．下列有關(guān)碳化硅（SiC）的有關(guān)說法錯(cuò)誤的是（　　）
A、晶體硅和晶體碳化硅都是原子晶體
B、碳化硅是一種新型的無機(jī)非金屬材料
C、碳化硅的熔點(diǎn)比晶體硅高
D、制取碳化硅的反應(yīng)：SiO2+3C
 高溫 
.
 
SiC+2CO↑中，SiO2是氧化劑，C是還原劑

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