(1)寫出電解飽和氯化鈉溶液時的電極反應和總的離子反應方程式:?
陽極:_____________________;?
陰極:_____________________;?
總反應式:_____________________。
(2)離子交換膜電解槽一般采用金屬鈦作陽極,其原因是_______,陰極一般用碳鋼網(wǎng)制成。陽離子交換膜把電解槽隔成陽極室和陰極室,其作用是__________________________。
(3)為了使電解氯化鈉的速度加快,下列措施可行的是?( )?
a.增加陰極碳鋼網(wǎng)面積?
b.提高飽和氯化鈉溶液的溫度?
c.加大陰極與陽極間的距離?
d.提高電解時的電源電壓?
(4)如果對某離子交換膜電解槽采取下列措施:①電解時的電壓增大到原來的2倍;②電解時電流增大到原來的2倍;③電解時的溫度從30 ℃提高到60 ℃。則電解速率一定會達到原來的2倍的是_______,解釋其原因:_____________________。
解析:本題考查用電解飽和食鹽水來制NaOH、H2、Cl2的知識,更結合了生產(chǎn)中的一些實際情況,而且與物理知識有所聯(lián)系。?
答案:(1)2Cl-Cl2↑+2e- 2H++2e-
H2↑ 2Cl-+2H2O
2OH-+H2↑+Cl2↑
(2)陽極產(chǎn)生的Cl2不易腐蝕金屬鈦 既能防止陰極產(chǎn)生的H2和陽極產(chǎn)生的Cl2相混合而引起爆炸,又能避免Cl2和NaOH溶液作用生成NaCl而影響燒堿的質(zhì)量 (3)abd?
(4)② 當電解時的電壓增大到原來的2倍時,電解池的電阻可能會發(fā)生變化,電流不一定為原來的2倍;當電解時的溫度從30 ℃提高到60 ℃時,電解池的內(nèi)阻會有所降低,但并不一定恰好降低為原來的一半;當電解時的電流增大到原來的2倍時,單位時間內(nèi)流過電路的電荷量恰好為原來的2倍,發(fā)生反應的物質(zhì)的物質(zhì)的量也恰好為原來的2倍,即反應速率為原來的2倍
科目:高中化學 來源: 題型:閱讀理解
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弱酸化學式 | HClO | H2CO3 |
電離平衡常數(shù) | K=4.7×10-8 | K1=4.3×10-7,K2=5.6×10-11 |
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科目:高中化學 來源: 題型:
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科目:高中化學 來源: 題型:閱讀理解
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科目:高中化學 來源:2013-2014學年浙江省五校高三第一次聯(lián)考化學試卷(解析版) 題型:填空題
工業(yè)上用電解飽和NaCl溶液的方法來制取NaOH、Cl2和H2,并以它們?yōu)樵仙a(chǎn)一系列化工產(chǎn)品,稱為氯堿工業(yè)。
(1)若采用無隔膜法電解冷的食鹽水時,Cl2會與NaOH充分接觸,導致產(chǎn)物僅是NaClO和H2。無隔膜法電解冷的食鹽水相應的離子方程式為 。
(2)氯堿工業(yè)耗能高,一種將電解池與燃料電池相組合的新工藝可以節(jié)(電)能30%以上。在這種工藝設計中,相關物料的傳輸與轉化關系如下圖所示,其中的電極未標出,所用的離子膜都只允許陽離子通過。
①經(jīng)精制的飽和NaCl溶液應從圖中電解池的 (填寫“左” 或“右”)池注入。
②圖中X是____ __(填化學式);乙中右室的電極反應式為: _ ,圖示中氫氧化鈉溶液質(zhì)量分數(shù)a%與b%的關系是 (填字母)。
A. a%=b% B. a%﹥b% C. a%﹤b%
③甲中的離子交換膜為 (填“陽離子交換膜”或“陰離子交換膜”)。
(3)氯堿工業(yè)的產(chǎn)物NaOH與不同物質(zhì)反應可以生成不同的鹽。已知常溫下,濃度均為0.1 mol/L的4種鈉鹽溶液pH如下表:
溶質(zhì) |
Na2CO3 |
NaHCO3 |
NaClO |
NaHSO3 |
pH |
11.6 |
9.7 |
10.3 |
5.2 |
下列說法中,不正確的是 (填字母)
a.向氯水中加入NaHCO3,可以增大氯水中次氯酸的濃度
b.四種溶液中,水的電離程度最大的是NaClO
c.常溫下,相同物質(zhì)的量濃度的H2SO3、H2CO3、HClO,pH最大的是H2SO3
d.NaHSO3溶液中離子濃度大小順序為c(Na+)> c(H+)>c(HSO3-) >c(SO32-)>c(OH-)
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科目:高中化學 來源: 題型:
(12分)氯堿工業(yè)中,通過電解飽和食鹽水獲得重要的化工原料:氯氣、氫氣和氫氧化鈉。其中氯氣用途十分廣泛,除用于凈水、環(huán)境消毒外,還用于生產(chǎn)鹽酸、硅、聚氯乙烯、氯苯等。
(1)寫出氯堿工業(yè)中通過電解飽和食鹽水獲得重要的化工原料氯氣的離子方程式
(2)工業(yè)上可用氯氣和石灰乳為原料制造漂白粉,寫出該反應的化學方程式
(3)工業(yè)上生產(chǎn)半導體材料硅的流程如下:
①寫出在制備粗硅時反應的化學方程式_____________________________,在該反應的化學方程式上標出電子的轉移方向和數(shù)目。此反應中焦炭的作用是____________。(填“氧化劑”或“還原劑”)
②粗硅與氯氣反應后得到沸點較低的液態(tài)四氯化硅中�;煊幸恍└叻悬c,難揮發(fā)性雜質(zhì),必須進行分離提純。其提純方法為____________。(填序號)
A.蒸餾 B.過濾 C.萃取 D.結晶
③由四氯化硅通入氫氣得到高純硅和氯化氫氣體,寫出該反應的化學方程式___________________。
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