下列四種裝置(電解質(zhì)溶液皆為海水)中的鐵電極腐蝕速率從快到慢順序為( 。
| A. | ②③④① | B. | ②③①④ | C. | ①④③② | D. | ①②③④ |
考點:
金屬的電化學腐蝕與防護.
專題:
電化學專題.
分析:
電化學腐蝕中,金屬得到保護時,腐蝕較慢,作原電池正極和電解池陰極的金屬被保護,電解原理引起的腐蝕>原電池原理引起的腐蝕>化學腐蝕>有防護腐蝕措施的腐蝕.
解答:
解:①②是電解池,①中鐵為陰極,②中鐵為陽極,鐵電極腐蝕速率②>①,③④是原電池,③中鐵失負極,④中鐵是正極,鐵電極腐蝕速率③>④,電解原理引起的腐蝕>原電池原理引起的腐蝕>有防護腐蝕措施的腐蝕,即鐵電極腐蝕速率:②>③>①>④.
故選B.
點評:
本題考查不同條件下金屬腐蝕的快慢,明確腐蝕快慢為:電解原理引起的腐蝕>原電池原理引起的腐蝕>化學腐蝕>有防護腐蝕措施的腐蝕即可解答.
科目:高中化學 來源: 題型:
以下有關原子結構及元素周期律的敘述正確的是( 。
| A. | 第IA族元素銫的兩種同位素137Cs比133Cs多4個質(zhì)子 |
| B. | 同周期元素(除0族元素外)從左到右,原子半徑逐漸減小 |
| C. | 第ⅦA族元素從上到下,其氫化物的穩(wěn)定性逐漸增強 |
| D. | 同主族元素從上到下,單質(zhì)的熔點逐漸降低 |
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科目:高中化學 來源: 題型:
有關晶體的下列說法中不正確的是( )
| A. | 在NaCl晶體中,距Na+最近的Cl﹣形成正八面體 |
| B. | 在NaCl晶體中,每個晶胞平均占有4個Na+ |
| C. | 在CsCl晶體中,每個晶胞平均占有8個Cs+ |
| D. | 銅晶體為面心立方堆積,銅原子的配位數(shù)(距離一個銅原子最近的其它銅原子的個數(shù))為12 |
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科目:高中化學 來源: 題型:
磷化硼(BP)和氮化硼(BN)是受到高度關注的耐磨涂料,它們的結構相似,圖為磷化硼晶體結構中最小的重復結構單元.磷化硼可由三溴化硼和三溴化磷在氫氣中高溫反應合成:BBr3+PBr3+3H2=BP+6HBr.
回答下列問題:
(1)上述反應物中含有一種元素,其基態(tài)原子具有八種不同能量電子,寫出其基態(tài)原子的價電子軌道表示式.
(2)BP中每個B或P原子均形成4個共價鍵,其中有一個配位鍵,提供空軌道是 原子.
(3)磷化硼的晶體類型是 ,B原子的雜化方式是 ,每生成1molBP,共形成 4 molB﹣P鍵.
(4)已知BBr3+PBr3+3H2=BP+6HBr反應中,P元素被還原,判斷電負性:P B (填“>”、“<”)
(5)BBr3分子中,B原子采取 雜化,鍵角為
(6)氮化硼晶體的熔點要比磷化硼晶體高,其原因是 .
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科目:高中化學 來源: 題型:
下列各組物質(zhì)分類正確的是( 。
A | B | C | D | |
強電解質(zhì) | HF | HClO4 | Ba(OH)2 | 食鹽水 |
弱電解質(zhì) | Cu(OH)2 | NH3•H2O | CaCO3 | HClO |
非電解質(zhì) | Cu | SO2 | 蔗糖 | H2O |
| A. | A | B. | B | C. | C | D. | D |
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科目:高中化學 來源: 題型:
某溫度下純水中c(H+)=10﹣6mol/L,此溫度下pH=5的鹽酸與pH=9的氫氧化鋇溶液混合后pH=7,則氫氧化鋇溶液與鹽酸之比為( 。
| A. | 2:99 | B. | 1:1 | C. | 1:99 | D. | 1:100 |
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科目:高中化學 來源: 題型:
下列一鹵代烷不能發(fā)生消去反應的是( 。
A. CH3CH2Cl B. (CH3)2CHCl C. (CH3)3CCl D. (CH3)3CCH2Cl
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科目:高中化學 來源: 題型:
下列離子方程式與所述事實相符且正確的是( 。
| A. | 用硫氰化鉀溶液檢驗溶液中的Fe3+:Fe3++3SCN﹣=Fe(SCN)3↓ |
| B. | 鋼鐵生銹的負極電極反應:Fe﹣3e﹣=Fe3+ |
| C. | 證明氯氣氧化性大于硫可用:Cl2+S2﹣=2Cl﹣+S↓ |
| D. | 用鈉與硫酸銅溶液反應證明金屬性鈉更強:2Na+Cu2+=Cu+2Na+ |
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