硅單質及其化合物應用范圍很廣。請回答下列問題:
(1)制備硅半導體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如圖

①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學方程式:__________________
②整個制備過程必須嚴格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應生成H2SiO3、HCl和另一種物質,寫出配平后的化學方程式________________;H2還原SiHCl3過程中若混有O2,可能引起的后果是_____________。
(2)下列有關硅材料的說法正確的是___________(填字母)。
A.碳化硅化學性質穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
B.氮化硅硬度大、熔點高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料--光導纖維
D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英制成的,其熔點很高
E.鹽酸可以與硅反應,故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
(1)①SiHCl3+H2Si+3HCl;②SiHCl3+3H2O=H2SiO3↓+3HCl↑+H2↑;氧氣與氫氣混合,可能引起爆炸,氧氣可能會氧化SiHCl3
(2)BC
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    科目:高中化學 來源: 題型:

    硅單質及其化合物應用范圍很廣.
    (1)制備硅半導體材料必須先得到高純硅,工業(yè)上可以按如下步驟制備高純硅.
    Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅;
    Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450~500℃條件下反應制得SiCl4;
    Ⅲ.SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過量H2在1 100~1 200℃條件下反應制得高純硅.
    已知SiCl4沸點為57.6℃,能與H2O強烈反應.1mol H2與SiCl4氣體完全反應吸收的熱量為120.2kJ.
    請回答下列問題:
    ①第Ⅲ步反應的熱化學方程式為
    2H2(g)+SiCl4(g)
     1100-1200℃ 
    .
     
    Si(s)+4HCl(g)△H=+240.4kJ?mol-1
    2H2(g)+SiCl4(g)
     1100-1200℃ 
    .
     
    Si(s)+4HCl(g)△H=+240.4kJ?mol-1

    ②整個制備純硅的過程中必須嚴格控制在無水無氧的條件下.SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧,其生成物是
    H2SiO3(或H4SiO4)和HCl
    H2SiO3(或H4SiO4)和HCl
    ;H2還原SiCl4過程中若混入O2,可能引起的后果是
    爆炸
    爆炸

    (2)二氧化硅被大量用于生產(chǎn)玻璃.工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283kg在高溫下完全反應時放出CO2 44kg,生產(chǎn)出的玻璃可用化學式Na2SiO3?CaSiO3?xSiO2表示,則其中x=
    4
    4

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    科目:高中化學 來源: 題型:

    (2008?廣東)硅單質及其化合物應用范圍很廣.請回答下列問題:
    (1)制備硅半導體材料必須先得到高純硅.三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:

    ①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學反應方程式
    SiHCl3+H2
     1357K 
    .
     
    Si+3HCl
    SiHCl3+H2
     1357K 
    .
     
    Si+3HCl

    ②整個制備過程必須嚴格控制無水無氧.SiHCl3遇水劇烈反應生成H2SiO3、HCl和另一種物質,寫出配平的化學反應方程式
    3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl
    3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl
    ;H2還原SiHCl3過程中若混O2,可能引起的后果是
    高溫下,H2遇O2發(fā)生爆炸
    高溫下,H2遇O2發(fā)生爆炸

    (2)下列有關硅材料的說法正確的是
    ABCD
    ABCD
    (填字母).
    A.碳化硅化學性質穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水混
    B.氮化硅硬度大、熔點高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
    C.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂的,其熔點很高
    D.鹽酸可以與硅反應,故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
    (3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃.取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入飽和氯化銨溶液,振蕩.寫出實驗現(xiàn)象并給予解釋
    生成白色絮狀沉淀,又刺激性氣味的氣體生成,SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應,SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3
    生成白色絮狀沉淀,又刺激性氣味的氣體生成,SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應,SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3

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    科目:高中化學 來源: 題型:

    硅單質及其化合物應用范圍很廣.三氯硅烷(SiHCl3)還原法是目前工業(yè)制高純度硅的主要方法,生產(chǎn)過程如下圖:
    精英家教網(wǎng)
    根據(jù)題意完成下列備題:
    (1)硅在元素周期表的位置
     
    ,其最外層有
     
    種能量不同的電子.
    (2)硅的氣態(tài)氫化物為SiH4,其空間構型為
     
    ;三氯硅烷中某些元素最高價氧化物對應水化物的酸性
     
     
    (填化學式).
    (3)寫出三氯硅烷與氫氣反應的化學反應方程式:
     

    (4)自然界中硅酸鹽種類多,結構復雜,通常用二氧化硅和金屬氧化物的形式來表示其組成.如正長石(KALSi3O8),氧化物形式為:
     

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    科目:高中化學 來源: 題型:

    硅單質及其化合物應用范圍很廣。請回答下列問題:

    (1)制備硅半導體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:

    ①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學反應方程式____________________________。

    ②整個制備過程必須嚴格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應生成H2SiO3、HCl和另一種物質,寫出配平的化學反應方程式_________________;H2還原SiHCl3過程中若混入O2,可能引起的后果是_________________________。

    (2)下列有關硅材料的說法正確的是__________________(填字母)。

    A.碳化硅化學性質穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

    B.氮化硅硬度大、熔點高,可用于制作高溫陶瓷和軸承

    C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導纖維

    D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點很高

    E.鹽酸可以與硅反應,故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

    (3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入飽和氯化銨溶液,振蕩。寫出實驗現(xiàn)象并給予解釋_______________________________。

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    科目:高中化學 來源:2011屆福建省廈門外國語學校高三11月月考化學試卷 題型:填空題

    硅單質及其化合物應用范圍很廣。
    (1)制備硅半導體材料必須先得到高純硅,工業(yè)上可以按如下步驟制備純硅:
    Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
    Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450 ℃~500 ℃ 反應制得SiCl4
    Ⅲ.  SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過量H2在1100 ℃~1200 ℃ 反應制得純硅
    已知SiCl4沸點為57.6 ℃,能與H2O強烈反應。1 mol H2與SiCl4氣體完全反應吸收的熱量為120.2 kJ。請回答下列問題:
    ① 第Ⅰ步制備粗硅的化學反應方程式為                                       ,第Ⅲ步反應的熱化學方程式是                                                   。
    ②整個制備純硅過程必須嚴格控制無水無氧。SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧,其生成物是          ;H2還原SiCl4過程中若混O2,可能引起的后果是        
    (2)二氧化硅大量用于生產(chǎn)玻璃。工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283 kg在高溫下完全反應時放出CO2 44 kg,生產(chǎn)出的玻璃可用化學式Na2SiO3·CaSiO3·xSiO2表示,則其中x         。

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