【題目】諾貝爾化學獎得主GerhardErtl曾深入研究了Pt金屬表面催化CO氧化反應的模型,下列關(guān)于的說法正確的是( )

A. 的中子數(shù)與質(zhì)子數(shù)之差是134 B. 的核外電子數(shù)是202

C. 和互稱為同位素 D. 和是同一種核素

【答案】C

【解析】分析：表示質(zhì)子數(shù)為78，質(zhì)量數(shù)為202的鉑核素，從核素和同位素的概念以及組成原子的微粒之間的數(shù)量關(guān)系對選項的正誤作出判斷。

詳解：A、核組成符號左下方的數(shù)字表示質(zhì)子數(shù)，左上方表示質(zhì)量數(shù)，所以的中子數(shù)與質(zhì)子數(shù)之差是202-78-78＝46，A錯誤；

B、的核外電子數(shù)和質(zhì)子數(shù)相等，均為78，B錯誤；

C、質(zhì)子數(shù)相同，中子數(shù)不同的同一種元素的不同核素互為同位素，因此和互為同位素，C正確；

D、和質(zhì)子數(shù)相同，質(zhì)量數(shù)不同，是不同的核素，互稱同位素，D錯誤；答案選C。

練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】CH2=CHCl(氯乙烯，沸點-13.9C)是聚氯己烯的單體。某學習小組依據(jù)文獻報道用乙烷氧氯化法設計制取氯乙烯�；卮鹣铝袉栴}：

（1）甲組同學設計下列裝置制備氯化氫和氧氣。

①裝置A和B用于制備和干燥HCl；濃硫酸顯示的性質(zhì)是_____；導管I的作用是_______；B的后續(xù)裝置發(fā)生堵塞時，玻璃管II出現(xiàn)的現(xiàn)象是____________________。

②裝置C制O2時發(fā)生反應的離子方程式為____________________。

（2）乙組同學利用甲組制得的氯化氫和氧氣并利用下列裝置制取氯乙烯。

①裝置D除干燥三種氣體外，另外兩個作用是__________和____________。

②E中發(fā)生反應的化學方程式為______________________。

③裝置G的作用是______________________。

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】根據(jù)化學反應的實質(zhì)是舊鍵斷裂、新鍵形成的觀點，下列變化沒有發(fā)生化學鍵斷裂的是

A.電解水B.干冰受熱直接變成氣體

C.HCl溶解于水D.打雷放電時，O2變成O3

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】下列方程式正確的是

A. 用KIO3氧化酸性溶液中的KI： 5I－+IO3－+3H2O =3I2+6OH－

B. 用稀硝酸洗滌試管內(nèi)壁的銀鏡： Ag+2H＋+NO3－=Ag＋+NO↑+H2O

C. 將過量SO2通入冷氨水中： SO2+NH3·H2O =HSO3－+NH4+

D. 向NH4HCO3溶液中加過量的NaOH溶液并加熱： NH4+ +OH－NH3↑+H2O

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】將Mg、Cu組成的2.64 g混合物投入到100 mL稀硝酸中完全溶解，并收集還原產(chǎn)物NO氣體（假設還原產(chǎn)物只有一種）。然后向反應后的溶液中逐滴加入2 mol·L-1NaOH溶液，下圖是生成沉淀的質(zhì)量與滴入NaOH溶液體積間的關(guān)系圖。

（1）生成的NO在標況下的體積為___________L。

（2）Cu的物質(zhì)的量為_________mol。

（3）稀硝酸的濃度為___________mol/L。

（4）a的值為_________。

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】標況下，兩個容積相同的容器中，一個盛有NH3氣體，另一個盛有N2和H2的混合氣體。若兩容器內(nèi)的氣體具有相等的電子數(shù)，則混合氣體中N2和H2的物質(zhì)的量之比為

A. 4:1 B. 1:2 C. 2:1 D. 1:4

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】現(xiàn)有常溫下的四份溶液：①0.01 mol/L CH3COOH溶液；②0.01 mol/L HCl溶液；③pH＝12的氨水；④pH＝12的NaOH溶液。下列說法正確的是

A．①中水的電離程度最小，③中水的電離程度最大

B．將①④混合，若c(CH3COO－)>c(H＋)，則混合液一定呈堿性

C．將四份溶液分別稀釋到原體積相同倍數(shù)后，溶液的pH：③>④，②>①

D．將②③混合，若pH＝7，則消耗溶液的體積：②>③

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素，其原子半徑隨原子數(shù)變化如圖所示已知W的一種核素的質(zhì)量數(shù)為18，中子數(shù)為10，X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1，Y的單質(zhì)是一種常見的半導體材料，Z的非金屬性在同周期元素中最強下列說法正確的是( )

A. 對應簡單離子半徑：

B. 對應氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性

C. 化合物XZW既含離子鍵，又含共價鍵

D. Y的氧化物與Z和X的最高價氧化物對應的水化物均能反應

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】硅是重要的半導體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)．請回答下列問題：
（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為 ， 該能層具有的原子軌道數(shù)為、電子數(shù)為 ．
（2）硅主要以硅酸鹽、等化合物的形式存在于地殼中．
（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以相結(jié)合，其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻個原子．
（4）單質(zhì)硅可通過甲硅烷（SiH4）分解反應來制備．工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應制得SiH4 ， 該反應的化學方程式為 ．
（5）碳和硅的有關(guān)化學鍵鍵能如下所示，簡要分析和解釋下列有關(guān)事實：

化學鍵

C﹣C

C﹣H

C﹣O

Si﹣Si

Si﹣H

Si﹣O

鍵能/（kJmol﹣1

356

413

336

226

318

452

①硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多，原因是 ．
②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4 ， 更易生成氧化物，原因是 ．
（6）在硅酸鹽中，SiO4﹣4四面體（如圖1）通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式．圖（2）為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為 ， Si與O的原子數(shù)之比為 ， 化學式為 ．

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