精英家教網 > 高中化學 > 題目詳情

【題目】設NA為阿伏伽德羅常數的值，下列說法正確的是（ ）
A.1molFeCl2與1molCl2反應時轉移的電子數為2NA
B.2g H218O與D216O的混合物中所含電子數目為NA
C.273K，101kPa下，28g乙烯與丙烯混合物中含有C﹣H鍵的數目為5NA
D.pH=1的H2SO3溶液10L，含H+的數目為2NA

【答案】B
【解析】解：A.1molFeCl2與1molCl2反應，氯化亞鐵不足，只消耗0.5mol氯氣，生成1mol氯離子，轉移電子數為：NA ， 故A錯誤；
B．H218O與D216O相對分子質量都是20，1個分子中都含有10個電子，則2g H218O與D216O物質的量為 =0.1mol，所含電子數目為0.1mol×10=1mol，個數為NA ， 故B正確；
C．由于乙烯和丙烯分子中含有的碳氫鍵數目不同，題中條件無法計算混合物中含有的碳氫鍵數目，故C錯誤；
D．pH=1的H2SO3溶液，C（H+）=0.1mol/L，則含有氫離子物質的量為0.1mol/L×10L=1mol，含H+的數目為NA ， 故D錯誤；
故選：B．

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】一定溫度下，向10 mL H2O2溶液中加入適量FeCl3溶液，反應分兩步進行：

①2Fe3++ H2O2＝2Fe2++ O2↑+ 2H+，② H2O2 + 2Fe2+ + 2H+ ＝2Fe3++2H2O，

反應過程中能量變化如下圖所示。下列說法正確的是(　　)

A. 反應②的ΔH=（E2 -E1）kJ·mol－1

B. Fe3+的作用是增大過氧化氫的分解速率

C. 反應2H2O2(aq)＝2H2O(l)+O2(g)的△H<0

D. 反應①是放熱反應、反應②是吸熱反應

查看答案和解析>>

科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】除去乙烷中乙烯的辦法是（ ）

A.點燃B.與氫氣反應

C.通過酸性高錳酸鉀溶液D.通過溴水

查看答案和解析>>

科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】下圖是元素周期表的一部分，表中的①～⑧中元素，用元素符號或化學式填空回答：

族

周期

ⅠA

ⅡA

ⅢA

ⅣA

ⅤA

ⅥA

ⅦA

0

二

①

②

③

三

④

⑤

⑥

⑦

四

⑧

（1）在這些元素中，化學性質最不活潑的原子的原子結構示意圖為___________。

（2）②元素的原子L層有______個電子，其最高價氧化物的化學式為________，氣態(tài)氫化物的化學式為________，實驗室制備其氣態(tài)氫化物的化學方程式為__________。

（3）這些元素的最高價氧化物對應的水化物中，酸性最強的是_______，堿性最強的是______，呈兩性的是__________________。

（4）③④⑤中原子半徑最大的是____________，③⑥的氣態(tài)氫化物更穩(wěn)定的是_____________。

（5）寫出①單質在空氣中燃燒的化學方程式_______________________。

查看答案和解析>>

科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】相同質量的SO2和SO3它們之間的關系是

A. 所含硫原子的物質的量之比為1:1

B. 氧原子的物質的量之比為3:2

C. 氧元素的質量比為5:6

D. 硫元素的質量比為4:5

查看答案和解析>>

科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】下列可用濃硫酸干燥的氣體有(　　)

①H2　②SO2�、�H2S　④Cl2　⑤NH3　⑥HCl�、�CO2　⑧HBr�、�CO

A.①②④⑥⑧⑨B.①②④⑥⑦⑨

C.①②④⑥⑦⑧D.全部

查看答案和解析>>

科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】工業(yè)上利用無機礦物資源生產部分材料的流程示意圖如下。下列說法正確的是(　 　)

（注：鋁土礦中含有A12O3、SiO2、Fe2O3）

A. 在鋁土礦制備較高純度A1的過程中只用到NaOH溶液、CO2氣體、冰晶石

B. 石灰石、純堿、石英、玻璃都屬于鹽，都能與鹽酸反應

C. 在制粗硅時，氧化劑與還原劑的物質的量之比為1∶2

D. 黃銅礦（CuFeS2)與O2反應產生的Cu2S、SO2均是還原產物

查看答案和解析>>

科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】下列說法中正確的是( )

A. 原子最外層只有1個電子的元素一定是金屬元素

B. 最外層電子數比次外層電子數多的元素一定位于第二周期

C. 氯元素的近似相對原子質量為35.5，則它在自然界中存在的兩種同位素35Cl和37Cl的原子個數比為1:3

D. 金屬與非金屬分界線附近的元素既有金屬性，又有非金屬性，稱為過渡元素

查看答案和解析>>

科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】砷化鎵（GaAs）是優(yōu)良的半導體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等．回答下列問題：
（1）寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式 ．
（2）根據元素周期律，原子半徑GaAs，第一電離能GaAs．（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立體構型為 ， 其中As的雜化軌道類型為 ．
（4）GaF3的熔點高于1000℃，GaCl3的熔點為77.9℃，其原因是 ．
（5）GaAs的熔點為1238℃，密度為ρ gcm﹣3 ， 其晶胞結構如圖所示．該晶體的類型為 ， Ga與As以鍵鍵合．Ga和As的摩爾質量分別為MGa gmol﹣1和MAs gmol﹣1 ， 原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏伽德羅常數值為NA ， 則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為 ．

查看答案和解析>>

同步練習冊答案