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【題目】實(shí)驗(yàn)測(cè)得,某有機(jī)物A相對(duì)分子質(zhì)量為72。
(1)若A是烴,其分子式為______,它有_____種同分異構(gòu)體,沸點(diǎn)最高的是__________________ (寫結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式)。若該烴與Cl2發(fā)生取代反應(yīng),生成的一氯代物只有1種,則該A的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為______。
(2)若該有機(jī)物3.6g完全燃燒生成0.15molCO2和0.1molH2O,則A的分子式為_______。若它是一種不飽和羧酸,該酸與甲醇發(fā)生酯化反應(yīng)的化學(xué)方程式為(注明反應(yīng)條件):__________________。
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【題目】下表為元素周期表的一部分:
族 | ||||||||
1 | ① | |||||||
2 | ② | |||||||
3 | ③ | ④ | ⑤ | ⑥ |
I. 請(qǐng)參照元素①-⑥在表中的位置,用化學(xué)用語(yǔ)回答下列問題:
(1)畫出元素②的離子結(jié)構(gòu)示意圖______________。
(2②、③、⑤的離子半徑由大到小的順序?yàn)?/span>_________________________。
(3)元素④和⑥形成的化合物的電子式:____________________。
II. 由上述部分元素組成的物質(zhì)間,在一定條件下,可以發(fā)生下圖所示的變化,其中A是一種淡黃色固體。請(qǐng)回答:
(4)寫出固體A與液體X反應(yīng)的離子方程式 。
(5)氣體Y是一種大氣污染物,直接排放會(huì)形成酸雨。可用溶液B吸收,寫出過量的Y與B
溶液反應(yīng)的離子方程式__________________________________________________
(6)若氣體C與Y在恒容絕熱的條件下反應(yīng),下列哪些說法說明該反應(yīng)達(dá)到平衡狀態(tài):_______
A. 溫度不變
B. 2v正(C)=v逆(Y)
C.混合氣體的密度不變
D.混合氣體的平均相對(duì)分子質(zhì)量不變
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【題目】在相同溫度下用惰性電極電解下列溶液,一段時(shí)間后溶液酸性增強(qiáng)的是( )
A.HCl B.NaOH C.Na2SO4 D.CuSO4
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【題目】短周期A、B、C、D4種元素,原子序數(shù)依次增大,A原子的最外層上有4個(gè)電子;B的陰離子和C的陽(yáng)離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu),兩元素的單質(zhì)反應(yīng),生成一種淡黃色的固體E;D與B屬于同一族元素。
(1)元素:A為______,B為______,C為______(填元素符號(hào))。D的質(zhì)子數(shù)和中子數(shù)相等。D原子組成符號(hào)為:______。
(2)寫出AB2的電子式 。
(3)用電子式表示B、C兩元素形成E的過程 。
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【題目】在體積為2 L密閉容器中加入反應(yīng)物A、B,發(fā)生如下反應(yīng):A(g)+2B(g) 3C(g)。經(jīng)2 min后,A的濃度從開始時(shí)的1.0 mol/L 降到0.8 mol/L。已知反應(yīng)開始時(shí)B的濃度是0.5 mol/L。則:2 min末B的濃度為______,C的物質(zhì)的量為______。2 min內(nèi)的反應(yīng)速率,V(A)=______, V(C)=______,B的轉(zhuǎn)化率是______。
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【題目】有關(guān)晶體的下列說法中正確的是
A.晶體中分子間作用力越大,分子越穩(wěn)定
B.原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高
C.冰熔化時(shí)水分子中共價(jià)鍵發(fā)生斷裂
D.氯化鈉熔化時(shí)離子鍵未被破壞
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【題目】[化學(xué)——選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,可用于制作微型激光器或太陽(yáng)能電池的材料等。回答下列問題:
(1)寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式________________________。
(2)根據(jù)元素周期律,原子半徑Ga_____________As,第一電離能Ga____________As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立體構(gòu)型為____________________,其中As的雜化軌道類型為_________。
(4)GaF3的熔點(diǎn)高于1000℃,GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃,其原因是_____________________。
(5)GaAs的熔點(diǎn)為1238℃,密度為ρg·cm-3,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為________________,Ga與As以________鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa g·mol-1 和MAs g·mol-1,原子半徑分別為rGa pm和rAs pm,阿伏伽德羅常數(shù)值為NA,則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為____________________。
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【題目】量取16.0mL 10.0molL﹣1HCl溶液,加蒸餾水稀釋至100mL,取兩份稀釋后的HCl溶液各25mL,分別加入等質(zhì)量的Mg和Al,相同條件下充分反應(yīng),產(chǎn)生氫氣的體積隨時(shí)間變化的曲線如圖所示(氫氣體積已折算成標(biāo)準(zhǔn)狀況下的體積),請(qǐng)計(jì)算:
(1)稀釋后HCl溶液的物質(zhì)的量濃度為 mol·L-1。
(2)加入Al的質(zhì)量至少有 。
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【題目】[化學(xué)——選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]鍺(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素,在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]____________,有__________個(gè)未成對(duì)電子。
(2)Ge與C是同族元素,C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵,但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析,原因是________________。
(3)比較下列鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn),分析其變化規(guī)律及原因_____________________。
GeCl4 | GeBr4 | GeI4 | |
熔點(diǎn)/℃ | 49.5 | 26 | 146 |
沸點(diǎn)/℃ | 83.1 | 186 | 約400 |
(4)光催化還原CO2制備CH4反應(yīng)中,帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge、O電負(fù)性由大至小的順序是______________。
(5)Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu),其中Ge原子的雜化方式為_______________________,微粒之間存在的作用力是_____________。
(6)晶胞有兩個(gè)基本要素:
①原子坐標(biāo)參數(shù),表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置,下圖為Ge單晶的晶胞,其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0);B為(,0,);C為(,,0)。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為______。
②晶胞參數(shù),描述晶胞的大小和形狀,已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76 pm,其密度為__________g·cm-3(列出計(jì)算式即可)。
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【題目】中和熱的測(cè)定是高中重要的定量實(shí)驗(yàn)。取0.55mol/L的NaOH溶液50mL與0.25mol/L的硫酸50mL置于圖所示的裝置中進(jìn)行中和熱的測(cè)定實(shí)驗(yàn),回答下列問題:
(1)從上圖實(shí)驗(yàn)裝置看,其中尚缺少的一種玻璃用品是_________,除此之外,裝置中的一個(gè)明顯錯(cuò)誤是 。
(2)若改用60mL 0.25mol·L-1 H2SO4和50mL 0.55mol·L-1NaOH溶液進(jìn)行反應(yīng)與上述實(shí)驗(yàn)相比,所放出的熱量________ ___(填“相等”、“不相等”),若實(shí)驗(yàn)操作均正確,則所求中和熱________ ___(填“相等”“不相等”)。
(3)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)如下表:
①請(qǐng)?zhí)顚懴卤碇械目瞻祝?/span>
溫度 實(shí)驗(yàn)次數(shù) | 起始溫度t1℃ | 終止溫度t2/℃ | 溫度差平均值 (t2-t1)/℃ | ||
H2SO4 | NaOH | 平均值 | |||
1 | 26.2 | 26.0 | 26.1 | 29.5 |
|
2 | 27.0 | 27.4 | 27.2 | 32.3 | |
3 | 25.9 | 25.9 | 25.9 | 29.2 | |
4 | 26.4 | 26.2 | 26.3 | 29.8 |
②近似認(rèn)為0.55 mol/L NaOH溶液和0.25 mol/L硫酸溶液的密度都是1 g/cm3,中和后生成溶液的比熱容c=4.18 J/(g·℃)。則中和熱ΔH=______ ____ ( 取小數(shù)點(diǎn)后一位)。
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