(1)已知：元素的一個基態(tài)的氣態(tài)原子得到一個電子形成-1價氣態(tài)陰離子時所放出的能量稱為該元素的第一電子親和能，用E1表示。從-1價的氣態(tài)陰離子再得到1個電子，成為-2價的氣態(tài)陰離子所放出的能量稱為第二電子親和能E2，依此類推。FeO是離子晶體，其晶格能可通過如下的Born－Haber循環(huán)計(jì)算得到。

鐵單質(zhì)的原子化熱為__________kJ/mol，FeO的晶格能為__________kJ/mol，基態(tài)O原子E1____________E2(填“大于”或“小于”)，從原子結(jié)構(gòu)角度解釋_________。

(2)乙二胺四乙酸又叫做EDTA(圖1)，是化學(xué)中一種良好的配合劑，形成的配合物叫做螯合物。EDTA在配位滴定中經(jīng)常用到，一般是測定金屬離子的含量。已知：EDTA配離子結(jié)構(gòu)(圖2)。

EDTA中碳原子軌道的雜化類型為____________，EDTANa-Fe(Ⅲ)是一種螯合物，六個配位原子在空間構(gòu)型為____________。EDTANa-Fe(Ⅲ)的化學(xué)鍵除了σ鍵和配位鍵外，還存在____________。

(3)Fe3O4晶體中，O2-的重復(fù)排列方式如圖所示，該排列方式中存在著由如1、3、6、7的O 圍成的正四面體空隙和如3、6、7、8、9、12的O2-圍成的正八面體空隙。Fe3O4中有一半的Fe3+填充在正四面體空隙中，另一半Fe3+和Fe2+填充在正八面體空隙中，則Fe3O4晶體中，O2-數(shù)與正四面體空隙數(shù)(包括被填充的)之比為__________，有__________%的正八面體空隙填充陽離子。Fe3O4晶胞的八分之一是圖示結(jié)構(gòu)單元(圖3)，晶體密度為5.18 g/cm3，則該晶胞參數(shù)a=____________pm。(寫出計(jì)算表達(dá)式)

(1)已知A和B為第三周期元素,其原子的第一至第四電離能如下表所示:

A通常顯 價,A的電負(fù)性 B的電負(fù)性(填“＞”、“＜”或“=”)。

(2)紫外光的光子所具有的能量約為399 kJ·mol-1。根據(jù)下表有關(guān)蛋白質(zhì)分子中重要化學(xué)鍵的信息,說明人體長時間照射紫外光后皮膚易受傷害的原因 。

組成蛋白質(zhì)的最簡單的氨基酸中的碳原子雜化類型是 。

(3)實(shí)驗(yàn)證明:KCl、MgO、CaO、TiN這4種晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl晶體結(jié)構(gòu)相似(如圖所示),已知3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表:

則該4種離子晶體(不包括NaCl)熔點(diǎn)從高到低的順序是: 。其中MgO晶體中一個Mg2+周圍和它最鄰近且等距離的Mg2+有 個。

(4)金屬陽離子含未成對電子越多,則磁性越大,磁記錄性能越好。離子型氧化物V2O5和CrO2中,適合作錄音帶磁粉原料的是 。

(5)某配合物的分子結(jié)構(gòu)如圖所示,其分子內(nèi)不含有 (填序號)。

A離子鍵；B極性鍵；C金屬鍵；D配位鍵；E氫鍵；F非極性鍵

（1）該氮?dú)浠�合物的電子式�?/span>_________。

（2）該物質(zhì)與液態(tài)雙氧水反應(yīng)能產(chǎn)生兩種無毒又不污染環(huán)境的物質(zhì)，寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式_______________________。

（3）NH3分子中的N原子有一對孤對電子能發(fā)生反應(yīng)：NH3+HCl=NH4Cl。試寫出上述氮?dú)浠�合物通入足量鹽酸時，發(fā)生反應(yīng)的方程式。

_________________________________________。

(1)早期是利用NH3還原法，可將NOx還原為N2進(jìn)行脫除。

已知：①4NH3(g)+5O2(g)4NO(g)+6H2O(g) △H=-905.9 kJ/mol

②N2(g)+O2(g)2NO(g) △H=+180 kJ/mol

③H2O(g)H2O(l) △H=-44 kJ/mol

寫出常溫下，NH3還原NO反應(yīng)的熱化學(xué)方程式：____________。

(2)以漂粉精溶液為吸收劑可以有效脫除煙氣中的NO。

①漂粉精溶液的主要成分是Ca(ClO)2，若吸收過程中，消耗的Ca(ClO)2與吸收的NO的物質(zhì)的量之比為3：4，則脫除后NO轉(zhuǎn)化為____________。

②某一興趣小組研究不同溫度下相同濃度漂粉精溶液對NO脫除率的影響，結(jié)果如圖所示：

圖中，40～60℃ NO脫除率上升可能的原因?yàn)?/span>____________；60～80℃ NO脫除率下降可能的原因?yàn)?/span>____________。

(3)過硫酸鈉(Na2S2O8)氧化去除NO

第一步：NO在堿性環(huán)境中被Na2S2O8氧化為NaNO2

第二步： NaNO2繼續(xù)被氧化為NaNO3，反應(yīng)為NO2-+S2O82-+2OH-NO3-+2SO42-+H2O。不同溫度下，平衡時NO2-的脫除率與過硫酸鈉(Na2S2O8)初始濃度(指第二步反應(yīng)的初始濃度)的關(guān)系如圖所示：

①a、b、c、d四點(diǎn)平衡常數(shù)K由大到小的順序?yàn)?/span>____________，原因是____________。

②若a點(diǎn)(0.1，40%)時，NO2-的初始濃度為a mol·L-1，平衡時pH=13，則65℃時，第二步反應(yīng)的平衡常數(shù)K=____________。(用含a的代數(shù)式表示)

(4)利用新型材料光催化脫除NO法如圖所示：

某電化小組將過程A、B設(shè)計(jì)成酸性電解池反應(yīng)，則該反應(yīng)中陰極反應(yīng)為_______。

(1)在基態(tài)14C原子中,核外存在___對自旋相反的電子，基態(tài)氮原子的價層電子排布圖為____。

(2)將F2通入稀NaOH溶液中可生成OF2,OF2分子構(gòu)型為__其中氧原子的雜化方式為_______。

(3)CuSO4溶液能用作P4中毒的解毒劑,反應(yīng)可生成P的最高價含氧酸和銅,該反應(yīng)的化學(xué)方程式是_____。

（1）氯原子的電子排布式為________________。

（2）元素的基態(tài)氣態(tài)原子得到一個電子形成氣態(tài)負(fù)一價離子時所放出的能量稱作第一電子親和能(E1)。第二周期部分元素的E1變化趨勢如圖(a)所示，其中除氮元素外，其他元素的E1自左而右依次增大的原因是_________________；氮元素的E1呈現(xiàn)異常的原因是__________________。

（3）經(jīng)X射線衍射測得化合物3[H3ON5]·3[NH4N5]·NH4Cl的晶體結(jié)構(gòu)，其局部結(jié)構(gòu)如圖(b)所示。

①H3O＋中心原子的雜化類型為________，NH4+的空間構(gòu)型為________。

②3[H3ON5]·3[NH4N5]·NH4Cl中陰離子N5-中的σ鍵總數(shù)為________個。分子中的大π鍵可用符號Π 表示，其中m代表參與形成大π鍵的原子數(shù)，n代表參與形成大π鍵的電子數(shù)(如苯分子中的大π鍵可表示為Π)，則N5-中的大π鍵應(yīng)表示為________。

③圖(b)中虛線代表氫鍵，其中表示式為(NH4+)N—H…Cl、________、________。

（1）用濃鹽酸配制1:1（體積比）的稀鹽酸（約6 mol·L-1），需要的玻璃儀器有___________

（2）上述裝置中，A是___________溶液，其作用是___________ 。

（3）上述裝置中，B物質(zhì)是___________。

（4）一次性飯盒中石蠟和CaCO3在食物中的溶出量是評價飯盒質(zhì)量的指標(biāo)之一，測定溶出量的主要實(shí)驗(yàn)步驟設(shè)計(jì)如下：剪碎、稱重→浸泡溶解→過濾→殘?jiān)�烘干→冷卻、稱重→恒重

①從物質(zhì)分類的角度分析，石蠟屬于有機(jī)物中的____________類，為了將石蠟從飯盒中溶出，應(yīng)選用下列試劑中的__________。

a．氯化鈉溶液 b．稀醋酸 c．稀硫酸 d 正已烷

②飯盒中的碳酸鈣常用稀醋酸將其溶出，試寫出其反應(yīng)的離子方程式__________。

A. X元素位于周期表中第16列

B. X、Y、Z元素兩兩之間均能形成原子個數(shù)比為l：1的化合物

C. X、Y、Z元素形成的單質(zhì)均具有強(qiáng)還原性

D. R的沸點(diǎn)高于M的沸點(diǎn)

A. 乙烯分子中有一個sp2-sp2σ鍵和一個p-p π鍵

B. 乙炔每個碳原子都有兩個未雜化的2p軌道，它們之間可形成兩個π鍵

C. 乙烷兩個C原子均是sp3雜化，分子中一共有6個σ鍵

D. 苯分子每個碳原子均是sp2雜化

A. 凡是中心原子采取sp2雜化的分子，其分子構(gòu)型都是平面三角形

B. 對于主族元素，中心原子的雜化軌道數(shù)等于價層電子對數(shù)

C. 雜化軌道可用于形成鍵、π鍵或用于容納未參與成鍵的弧電子對

D. Sp3雜化軌道是由任意的1個s軌道和3個p軌道雜化形成的四個sp3雜化軌道