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VCD光盤上的光記材料有多種,其光記原理為:在激光照射下發(fā)生物理變化或化學(xué)變化,從而記錄儲存信號。碲的某種化合物是常見的一種VCD光記錄材料,下列關(guān)于碲及其化合物的敘述不正確的是(    )

A.碲的化合價有-2、+4、+6能超群

B.碲的氧化物有TeO2和TeO3

C.碲能與氫氣直接化合,且H2Te比H2Se穩(wěn)定

D.單質(zhì)碲為銀白色、導(dǎo)電性比硒強(qiáng)的固體

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下列有關(guān)晶體的敘述錯誤的是(    )

A.離子晶體中,一定存在離子鍵                         B.原子晶體中,只存在共價鍵

C.金屬晶體的熔沸點(diǎn)均很高                               D.稀有氣體的原子能形成分子晶體

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下列分子含有的電子數(shù)目與HF相同,且只有兩個極性共價鍵的是(    )

A.CO2                     B.N2O                       C.H2O                   D.CH4

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下列分子中,所有原子的最外層均為8電子結(jié)構(gòu)的是(    )

A.BeCl2                     B.H2S                       C.NCl3                       D.SF4

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下列各項表達(dá)正確的是(    )

A.F-的結(jié)構(gòu)示意圖:

B.CO2的分子模型示意圖:

C.NaCl的電子式:

D.N2的結(jié)構(gòu)式:∶N≡N∶

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常溫下,將物質(zhì)的量濃度為a mol/L的稀鹽酸與物質(zhì)的量濃度為b mol/L的稀NaOH溶液等體積混合,所得溶液的pH=2(假設(shè)反應(yīng)前后溶液體積不變),則a和b的關(guān)系是(    )

A.a=b+0.01               B.a=2b                 C.b=2a              D.a=b+0.02

 

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A、B、C、D四種元素,已知A原子核內(nèi)只有一個質(zhì)子,B原子的電子總數(shù)恰好與D原子最外層電子數(shù)相等,且D原子最外層電子數(shù)是其次外層電子數(shù)的3倍,又知A、B、C、D的原子序數(shù)依次增大。據(jù)此推知:

(1)A與D組成的化合物,其化學(xué)式可表示為____________。

(2)B與D組成的化合物中,屬于極性分子的化學(xué)式為____________;屬于非極性分子的結(jié)構(gòu)式為____________。

(3)A與C組成的四核分子屬于___________分子。

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據(jù)報道,科學(xué)家將干冰在一定條件下轉(zhuǎn)變?yōu)橐环N十分堅固的晶體,該晶體熔點(diǎn)高,硬度大,是一種新型的耐磨材料。請完成下列問題:

(1)干冰發(fā)生的變化屬于____________變化;

(2)變化過程中克服粒子間的作用力類型是____________;

(3)該晶體屬于____________晶體,其熔點(diǎn)比二氧化硅____________。

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二氧化硅是立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),其晶體結(jié)構(gòu)如圖5-4所示。認(rèn)真觀察該晶體結(jié)構(gòu)后完成下列問題:

(1)二氧化硅中最小的環(huán)為________元環(huán)。

(2)每個硅原子為________個最小環(huán)所共有。

                       

                                              圖5-4

(3)每個最小環(huán)平均擁有________個硅原子,________個氧原子。

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下列變化中,①I2升華,②燒堿熔化,③NaCl溶于水,④HCl溶于水,⑤O2溶于水,⑥Na2O2溶于水。未發(fā)生化學(xué)鍵破壞的是________;僅發(fā)生離子鍵破壞的是________;僅發(fā)生共價鍵破壞的是________;既發(fā)生離子鍵破壞,又發(fā)生共價鍵破壞的是________。

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