如圖所示,桌面上有一輕質(zhì)彈簧,左端固定在A點(diǎn),自然狀態(tài)時其右端B點(diǎn)位于桌面右側(cè)邊緣。水平桌面右側(cè)有一豎直放置、半徑R=0.3m的光滑半圓軌道MNP,桌面與軌道相切于M點(diǎn)。在以MP為直徑的右側(cè)和水平半徑ON的下方部分有水平向右的勻強(qiáng)電場,場強(qiáng)的大小,F(xiàn)用質(zhì)量m0=0.4kg的小物塊a將彈簧緩慢壓縮到C點(diǎn),釋放后彈簧恢復(fù)原長時物塊恰停止在B點(diǎn)。用同種材料、質(zhì)量為m=0.2kg、帶+q的絕緣小物塊b將彈簧緩慢壓縮到C點(diǎn),釋放后,小物塊b離開桌面由M點(diǎn)沿半圓軌道運(yùn)動,恰好能通過軌道的最高點(diǎn)P。(取g= 10m/s2)

求:(1)小物塊b經(jīng)過桌面右側(cè)邊緣B點(diǎn)時的速度大。

(2)釋放后,小物塊b在運(yùn)動過程中克服摩擦力做的功;

(3)小物塊b在半圓軌道運(yùn)動中最大速度的大小。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源:2015-2016學(xué)年廣西桂林十八中高一下開學(xué)考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖,在固定斜面上的一物塊受到一外力F的作用,F平行于斜面向上。若要物塊在斜面上保持靜止, F的取值應(yīng)有一定范圍。已知其最大值和最小值分別為F1和F2 (F2>0)。由此可求出: ( )

A.物塊的質(zhì)量 B.斜面的傾角

C.物塊對斜面的正壓力 D.物塊與斜面間的最大靜摩擦力

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科目:高中物理 來源:2016屆云南省玉溪市高三下第一次月考理綜物理試卷(解析版) 題型:多選題

以下有關(guān)近代物理內(nèi)容的若干敘述,正確的是________.

A.紫外線照射到金屬鋅板表面時能夠發(fā)生光電效應(yīng),則當(dāng)增大紫外線的照射強(qiáng)度時,從鋅板表面逸出的光電子的最大初動能也隨之增大

B.太陽輻射的能量主要來自太陽內(nèi)部的核聚變反應(yīng)

C.有10個放射性元素的原子核,當(dāng)有5個原子核發(fā)生衰變所需的時間就是該放射性元素的半衰期

D.氫原子由較高能級躍遷到較低能級時,要釋放一定頻率的光子,同時氫原子的電勢能減小,電子的動能增大

E.質(zhì)子和中子結(jié)合成新原子核一定有質(zhì)量虧損,釋放出能量

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科目:高中物理 來源:2016屆四川省高三3月考理科綜合物理試卷(解析版) 題型:計(jì)算題

如圖甲,MN、PQ兩條平行的光滑金屬軌道與水平面成θ=30°角固定,M、P之間接電阻箱R,導(dǎo)軌所在空間存在勻強(qiáng)磁場,磁場方向垂直于軌道平面向上,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B=0.5T.質(zhì)量為m的金屬桿a b水平放置在軌道上,其接入電路的電阻值為r.現(xiàn)從靜止釋放桿a b,測得最大速度為vm.改變電阻箱的阻值R,得到vm與R的關(guān)系如圖乙所示.已知軌距為L=2m,重力加速度g取l0m/s2,軌道足夠長且電阻不計(jì).求:

(1)桿a b下滑過程中感應(yīng)電流的方向及R=0時最大感應(yīng)電動勢E的大小;

(2)金屬桿的質(zhì)量m和阻值r;

(3)當(dāng)R=4Ω時,求回路瞬時電功率每增加1W的過程中合外力對桿做的功W.

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科目:高中物理 來源:2016屆四川省高三3月考理科綜合物理試卷(解析版) 題型:選擇題

某橫波在介質(zhì)中沿x軸傳播,圖甲為t=0.75s時的波形圖,圖乙為P點(diǎn)(x=1.5m處的質(zhì)點(diǎn))的振動圖象,那么下列說法正確的有 ( )

A.該波向右傳播,波速為2m/s

B.質(zhì)點(diǎn)L與質(zhì)點(diǎn)N的運(yùn)動方向總相反

C.t=1.0s時,質(zhì)點(diǎn)P處于平衡位置,并正在往正方向運(yùn)動

D.在0.5s時間內(nèi),質(zhì)點(diǎn)P向右運(yùn)動了1m

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科目:高中物理 來源:2016屆四川省高三12月考理科綜合物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖所示,虛線a、b、c代表電場中的三個等勢面,相鄰等勢面之間的電勢差相等,即Uab=Ubc,實(shí)線為一帶正電的質(zhì)點(diǎn)僅在電場力作用下通過該區(qū)域時的運(yùn)動軌跡,P、Q是這條軌跡上的兩點(diǎn),據(jù)此可知( )

A.三個等勢面中,c的電勢最高

B.帶電質(zhì)點(diǎn)通過P點(diǎn)時的電勢能較Q點(diǎn)大

C.帶電質(zhì)點(diǎn)通過P點(diǎn)時的動能較Q點(diǎn)大

D.帶電質(zhì)點(diǎn)通過P點(diǎn)時的加速度較Q點(diǎn)大

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科目:高中物理 來源:2016屆江西省吉安市高三下第一次段考理綜物理試卷(解析版) 題型:計(jì)算題

如圖所示,光滑水平面上依次放置兩個質(zhì)量均為m的小物塊A和C以及光滑曲面劈B,B的質(zhì)量為M=3m,劈B的曲面下端與水平面相切,且劈B足夠高,現(xiàn)讓小物塊C以水平速度向右運(yùn)動,與A發(fā)送彈性碰撞,碰撞后小物塊A又滑上劈B,求物塊A在B上能夠達(dá)到的最大高度。

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科目:高中物理 來源:2016屆河北定州中學(xué)高三下學(xué)期周練1物理試卷(解析版) 題型:計(jì)算題

如圖甲所示,在一端封閉、長約1m的玻璃管內(nèi)注滿清水,水中放一個蠟塊,將玻璃管的開口端用膠塞塞緊,然后將這個玻璃管倒置,在蠟塊沿玻璃管上升的同時,將玻璃管水平向右移動.假設(shè)從某時刻開始計(jì)時,蠟塊在玻璃管內(nèi)每1 s上升的距離都是10cm,玻璃管向右勻加速平移,每1 s通過的水平位移依次是2.5 cm、7.5 cm、12.5 cm、17.5 cm.圖乙中,y軸表示蠟塊豎直方向的位移,x軸表示蠟塊隨玻璃管通過的水平位移,t=0時蠟塊位于坐標(biāo)原點(diǎn).

(1)請?jiān)趫D乙中畫出蠟塊在4 s內(nèi)的軌跡;

(2)求出玻璃管向右平移的加速度;

(3)求t=2s時蠟塊的速度v的大小.

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科目:高中物理 來源:2016屆安徽省六安市高三下綜合訓(xùn)練5理綜物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖所示為一有理想邊界MN.PQ的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,磁場方向垂直紙面向里,磁場寬度為d,一質(zhì)量為m.帶電量為+q的帶電粒子(不計(jì)重力)從MN邊界上的A點(diǎn)沿紙面垂直MN以初速度進(jìn)入磁場,已知該帶電粒子的比荷,進(jìn)入磁場時的初速度與磁場寬度d,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B的關(guān)系滿足,其中為PQ上的一點(diǎn),且與PQ垂直,下列判斷中,正確的是

A.該帶電粒子進(jìn)入磁場后將向下偏轉(zhuǎn)

B.該帶電粒子在磁場中做勻速圓周運(yùn)動的半徑為2d

C.該帶電粒子打在PQ上的點(diǎn)與點(diǎn)的距離為

D.該帶電粒子在磁場中運(yùn)動的時間為

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