A. | 板間電場強(qiáng)度大小為3mgq | |
B. | 質(zhì)點(diǎn)在板間運(yùn)動的過程中與它從板的右端運(yùn)動到光屏的過程中速度變化相同 | |
C. | 若僅將滑片P向下滑動一段后,再讓該質(zhì)點(diǎn)從N點(diǎn)以水平速度v0射入板間,質(zhì)點(diǎn)將不會垂直打在光屏上 | |
D. | 若僅將兩平行板的間距變大一些,再讓該質(zhì)點(diǎn)從N點(diǎn)以水平速度v0射入板間,質(zhì)點(diǎn)依然會垂直打在光屏上 |
分析 質(zhì)點(diǎn)先在電場和重力場的復(fù)合場中做類平拋運(yùn)動,要垂直打在M屏上,離開出場后,質(zhì)點(diǎn)一定打在光屏的上方,做斜上拋運(yùn)動.質(zhì)點(diǎn)從離開電場后到垂直打在M屏上過程是平拋運(yùn)動的逆運(yùn)動,采用運(yùn)動的分解方法可知,分析質(zhì)點(diǎn)類平拋運(yùn)動與斜上拋的關(guān)系,確定加速度關(guān)系,求出板間場強(qiáng).
解答 解:A、質(zhì)點(diǎn)的軌跡如圖所示,
設(shè)質(zhì)點(diǎn)在板間運(yùn)動的過程中加速度大小為a,則有質(zhì)點(diǎn)離開電場時豎直分速度大小vy=at1=qE−mgm•lv0,質(zhì)點(diǎn)離開電場后運(yùn)動過程其逆過程是平拋運(yùn)動,則vy=gt2=g2lv0,聯(lián)立解得3mgq,故A正確;
B、質(zhì)點(diǎn)先在水平放置的兩平行金屬板間做類平拋運(yùn)動,要垂直打在M屏上,離開電場后,質(zhì)點(diǎn)一定打在屏的上方,做斜上拋運(yùn)動.否則,質(zhì)點(diǎn)離開電場后軌跡向下彎曲,質(zhì)點(diǎn)不可能垂直打在M板上.質(zhì)點(diǎn)在板間的類平拋運(yùn)動和離開電場后的斜上拋運(yùn)動,水平方向都不受外力,都做勻速直線運(yùn)動,速度都等于v0,而且v0方向水平,質(zhì)點(diǎn)垂直打在M板上時速度也水平,根據(jù)質(zhì)點(diǎn)的軌跡彎曲方向可知兩個過程質(zhì)點(diǎn)的合力方向相反,加速度方向相反,則速度變化量方向相反.故B錯誤
C、若僅將滑片P向下滑動一段后,R的電壓減小,電容器的電壓要減小,電量要減小,由于二極管具有單向?qū)щ娦�,所以電容器不能放電,電量不變,板間電壓不變,所以質(zhì)點(diǎn)的運(yùn)動情況不變,再讓該質(zhì)點(diǎn)從N點(diǎn)以水平速度v0射入板間,質(zhì)點(diǎn)依然會垂直打在光屏上,故C錯誤
D、若僅將兩平行板的間距變大一些,電容器電容減小,由QU知U不變,電量要減小,但由于二極管具有單向?qū)щ娦�,所以電容器不能放電,電量不變,根�?jù)推論可知板間電場強(qiáng)度不變,所以質(zhì)點(diǎn)的運(yùn)動情況不變,再讓該質(zhì)點(diǎn)從N點(diǎn)以水平速度v0射入板間,質(zhì)點(diǎn)依然會垂直打在光屏上,故D正確
故選:AD
點(diǎn)評 本題關(guān)鍵抓住兩個運(yùn)動軌跡的特點(diǎn),巧用逆向思維分析電場外質(zhì)點(diǎn)的運(yùn)動情況.要知道運(yùn)動的合成與分解是研究曲線運(yùn)動的常用方法,要靈活運(yùn)用.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 導(dǎo)體棒ab兩次上升的最大高度比較,有H=h | |
B. | 導(dǎo)體棒ab兩次上升都做勻減速直線運(yùn)動 | |
C. | 有磁場時,導(dǎo)體棒ab在向上運(yùn)動中受到沿導(dǎo)軌平面向下的、大小逐漸減小的安培力作用 | |
D. | 有磁場時,導(dǎo)體棒ab在向上運(yùn)動時,電阻中有由M流向P、大小逐漸減小的電流 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | ![]() | B. | ![]() | C. | ![]() | D. | ![]() |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 初速度越大,它通過的路程越長 | |
B. | 它在這段時間的中間時刻速度越大,通過路程越長 | |
C. | 在這段時間內(nèi)平均速度越大,通過路程越長 | |
D. | 末速度越大,通過路程越長 |
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