A. | 甲線框可能不落地 | |
B. | 乙線框一定先落地 | |
C. | 穿過磁場(chǎng)的過程中,通過甲線框的電量較多 | |
D. | 穿過磁場(chǎng)的過程中,乙線框產(chǎn)生的熱量較多 |
分析 先根據(jù)線框進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)安培力的大小,比較安培力做功的大小,再根據(jù)功能關(guān)系比較線框落地時(shí)速度的大小.再對(duì)全過程,運(yùn)用動(dòng)量定理列式,即可比較時(shí)間的長(zhǎng)短.
解答 解:先比較甲、乙線框落地時(shí)速度的大。阂揖框進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度較大,安培力較大,線框克服安培力做功較多,
即產(chǎn)生的熱量較多,即:Q乙>Q甲;根據(jù)能量守恒定律得知乙線框落地時(shí)的速度較小,即v乙<v甲,故D正確;
線框穿過磁場(chǎng)區(qū)域過程受到的安培力是變力,設(shè)受到的平均安培力為F,穿過磁場(chǎng)的時(shí)間為△t,下落全過程的時(shí)間為t,
落地速度為v.對(duì)全過程,由動(dòng)量定理得:mgt-F△t=mv,
而F△t=BIL△t=BLq,又穿過線框的電荷量:q=$\frac{△Φ}{R}$,因?yàn)榇磐俊鳓迪嗤,通過線框截面的電荷量相等,
則兩個(gè)下落過程線框所受的安培力沖量相同.因?yàn)関乙<v甲,所以t乙<t甲,即乙線框先落地,故B正確,AC錯(cuò)誤.
故選:BD.
點(diǎn)評(píng) 本題的關(guān)鍵要運(yùn)用動(dòng)量定理分析時(shí)間關(guān)系,還要掌握感應(yīng)電荷量的公式q=$\frac{△Φ}{R}$.對(duì)于變力情形,運(yùn)用動(dòng)量定理研究時(shí)間是常用的方法,要學(xué)會(huì)應(yīng)用.
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
I(A) | 0.12 | 0.20 | 0.31 | 0.32 | 0.50 | 0.57 |
U(V) | 1.37 | 1.32 | 1.24 | 1.18 | 1.10 | 1.05 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 金屬桿ab進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的感應(yīng)電流的方向?yàn)橛蒪到a | |
B. | 金屬桿ab進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度大小為$\sqrt{2glsinα}$ | |
C. | 金屬桿ab進(jìn)入磁場(chǎng)后產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)$\frac{mgsinα}{Bl}$ | |
D. | 金屬桿ab進(jìn)入磁場(chǎng)后金屬桿cd對(duì)兩根小柱的壓力大小為零 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | A、B兩點(diǎn)電熱相等 | |
B. | A、B兩點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)相同 | |
C. | 將一正電荷從A點(diǎn)移到B點(diǎn),電場(chǎng)力不做功 | |
D. | 一正電荷在A點(diǎn)的電勢(shì)能大于在B點(diǎn)的電勢(shì)能 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 玻璃對(duì)紫光的折射率最小 | B. | 紅光通過棱鏡的偏轉(zhuǎn)角最大 | ||
C. | 在玻璃中各種色光頻率相同 | D. | 在玻璃中速度最大的是紅光 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 從光照至金屬表面上到發(fā)射出光電子之間的時(shí)間間隔將明顯增加 | |
B. | 逸出的光電子的最大初動(dòng)能不變 | |
C. | 單位時(shí)間內(nèi)從金屬表面逸出的光電子數(shù)目將減少 | |
D. | 有可能不發(fā)生光電效應(yīng) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 3N | B. | 4N | C. | 5N | D. | 3$\sqrt{3}$N |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | mg′>mg | |
B. | mg′<mg | |
C. | mg′和mg的方向都指向地心 | |
D. | mg′和mg的方向都指向北京所在緯線圈的圓心 |
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