分析 (1)金屬桿有沿著斜面向上的加速度時,安培力等于重力沿斜面的分力,由安培力表達式F=BIL,結(jié)合B隨t的變化關系,可以解得時間t;
(2)金屬桿沿導軌下滑且沒有感應電流產(chǎn)生,說明磁通量不變,由此可以表示初末磁通量相等,解得金屬桿下滑5m所用的時間.
(3)金屬桿受到重力和安培力的作用而做勻加速運動,由牛頓第二定律,結(jié)合安培力表達式,可解得磁感應強度B.
解答 解:(1)設金屬桿長為L,距離導軌頂部為x,經(jīng)過ts后,金屬桿有沿著導軌向上的加速度,此時安培力等于重力沿導軌的分力,則:FA=mgsinθ,
又:FA=BIL=B$\frac{E}{R}$L,
其中:E=$\frac{△B}{△t}{L}^{2}$=0.25V,
所以:(4+0.5t)$\frac{E}{R}$L=mgsinθ,
解得:t=30.4s.
(2)由金屬桿與導軌組成的閉合電路中,磁通量保持不變,經(jīng)過ts的位移為s,則:
B1Ls0=B2L(s+s0),
金屬桿做初速度為零的勻加速直線運動,
s=5m,
代入數(shù)據(jù)解得:t=$\sqrt{5}$s
(3)對金屬桿由牛頓第二定律:
mgsinθ+F-FA=ma,
其中:FA=BIL=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,
解得:mgsinθ+F-$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$=ma,
代入數(shù)據(jù)得:2+(1-$\frac{{B}^{2}}{8}$)v=2,
所以,1-$\frac{{B}^{2}}{8}$=0,
解得:B=2$\sqrt{2}$T
答:(1)至少經(jīng)過30.4s釋放,會獲得沿斜面向上的加速度;
(2)金屬桿下滑5m所用的時間為$\sqrt{5}$s;
(3)勻強磁場磁感應強度B的大小為2$\sqrt{2}$T.
點評 對于電磁感應問題研究思路常常有兩條:一條從力的角度,重點是分析安培力作用下導體棒的平衡問題,根據(jù)平衡條件列出方程;另一條是能量,分析涉及電磁感應現(xiàn)象中的能量轉(zhuǎn)化問題,根據(jù)動能定理、功能關系等列方程求解.
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 一入射光照射到某金屬表面上能發(fā)生光電效應,若僅使入射光的強度減弱,那么從金屬表面逸出的光電子的最大初動能將變小 | |
B. | 大量光子產(chǎn)生的效果顯示出波動性,個別光子產(chǎn)生的效果顯示出粒子性 | |
C. | 電子的發(fā)現(xiàn)說明原子是可分的 | |
D. | 根據(jù)愛因斯坦光子說,光子能量E=h$\frac{c}{λ}$ (h為普朗克常量,c、λ為真空中的光速和波長) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 34mA | B. | 34μA | C. | 8.5 mA | D. | 8.5μA |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | A時砝碼處于超重,正向上加速運動 | |
B. | B時砝碼處于超重,正向下加速運動 | |
C. | C時砝碼處于失重,可能向下減速運動 | |
D. | C時砝碼處于超重,可能向下減速運動 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 導體棒上滑時棒中的電流方向由N到M | |
B. | 導體棒上滑階段和下滑階段受到的安培力方向相同 | |
C. | 導體棒回到原位置時速度大小必小于v | |
D. | 導體棒上滑階段和下滑階段的最大加速度大小相等 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | MN中電流方向是由N到M | |
B. | 勻速運動的速度v的大小是$\frac{mgRsinθ}{{B}^{2}{L}^{2}}$ | |
C. | 在MN、PQ都勻速運動的過程中,F(xiàn)=3mgsinθ | |
D. | 在MN、PQ都勻速運動的過程中,F(xiàn)=2mgsinθ |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 該點電荷離開磁場時速度方向的反向延長線通過O點 | |
B. | 該點電荷的比荷為$\frac{2{v}_{0}}{BR}$ | |
C. | 該點電荷在磁場中的運動時間為$\frac{πR}{3{v}_{0}}$ | |
D. | 該點電荷在磁場中的運動時間為$\frac{πR}{2{v}_{0}}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 3qE | B. | 4qE | C. | 5qE | D. | 6qE |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 正電子和Si核軌跡形狀是外切圓 | |
B. | 正電子和Si核軌跡形狀是內(nèi)切圓 | |
C. | 正電子的軌跡圓半徑大于原子核${\;}_{14}^{30}Si$,的軌跡圓半徑 | |
D. | 正電子的軌跡圓半徑小于原子核${\;}_{14}^{30}Si$,的軌跡圓半徑 |
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